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最新专利技术
  • 一种电力电气断路器
    一种电力电气断路器_南京工程学院_202511443133.0
    本发明涉及断路器技术领域，且公开了一种电力电气断路器，包括支架结构和断路器本体，所述支架结构包括横梁和底架，所述横梁位于底部用于与电力塔连接，所述底架呈线性排列安装在两个横梁之间；所述断路器本体包括绝缘支柱、接线端、静触头和活动触头，所述绝...
    2026-01-30
  • 用于熔断器装置的模制填充垫
    用于熔断器装置的模制填充垫_力特保险丝公司_202510708729.2
    一种用于封装熔断器元件的模制填充垫可以包括一个或更多个收集通道和一个或更多个模制壁。收集通道可以沿着容纳熔断器元件的熔断器主体的内部壁引导来自熔断器元件的导电颗粒，以控制导电颗粒的任何排放。模制壁可以压靠在熔断器主体的内部壁上，以控制导电颗...
    2026-01-30
  • 熔断器、电池及用电装置
    熔断器、电池及用电装置_江苏正力新能电池技术股份有限公司_202511202842.X
    本申请涉及一种熔断器、电池及用电装置，熔断器包括载电件。载电件包括熔断部，熔断部包括沿载电件的纵长方向依次布置的多个熔断区，每一熔断区内设置有能够熔断的熔断位。该多个熔断区包括主熔断区和位于主熔断区两侧的多个次熔断区，主熔断区内的熔断位的横...
    2026-01-30
  • 紫外至近红外的宽谱多层复合光电阴极及其制备方法
    紫外至近红外的宽谱多层复合光电阴极及其制备方法_南京三乐集团有限公司_202511100173.5
    本发明公开了一种紫外至近红外的宽谱多层复合光电阴极及其制备方法，本发明旋涂钇铝石榴石(YAG)下转换光学层、喷涂氟化钇钠(NaYF4)上转换光学层、磁控溅射沉积AuNPs层作为表面等离子体共振层和电荷传输层，最终在上述膜层上制备多碱光电阴极...
    2026-01-30
  • 晶体管器件及其制造方法、集成电路
    晶体管器件及其制造方法、集成电路_上海集成电路材料研究院有限公司_202410691154.3
    本申请提供一种晶体管器件及其制造方法、集成电路，该晶体管器件包括：第一基板1，在第一基板的第一主面一侧设置有冷场电子发射单元，冷场电子发射单元包括电子加速层4、高电位发射极7和低电位电极12，第一基板的第一主面一侧还设置有栅极10，在第一基...
    2026-01-30
  • 晶体管器件及其制造方法、集成电路
    晶体管器件及其制造方法、集成电路_上海集成电路材料研究院有限公司_202410691158.1
    本申请提供一种晶体管器件及其制造方法、集成电路，该晶体管器件包括：第一基板1，其第一主面一侧设置有冷场电子发射单元，冷场电子发射单元包括电子加速层4、高电位发射极7和低电位电极12，第一主面一侧还设置有栅极10，背面电极金属薄膜11至少部分...
    2026-01-30
  • 一种小功率连续波磁控管的同轴输出机构
    一种小功率连续波磁控管的同轴输出机构_成都国光电气股份有限公司_202511145416.7
    本发明公开了一种小功率连续波磁控管的同轴输出机构，涉及小功率连续波磁控管技术领域，主要用于解决现有的连续波磁控管的输出机构不能满足特定场景下的小功率微波输出的问题。其包括两端分别与磁控管阳极、射频连接器母头连接的输出窗外导体，输出窗外导体内...
    2026-01-30
  • 一种周期性开槽平板结构加载矩形波导的全金属慢波结构
    一种周期性开槽平板结构加载矩形波导的全金属慢波结构_南通大学_202511204821.1
    本发明公开了一种周期性开槽平板结构加载矩形波导的全金属慢波结构，利用在金属平板上周期性刻蚀双F型槽结构，通过将周期性开槽平板嵌入带矩形波导中构成一种全金属慢波结构，形成双带状电子注通道。这种结构极大增强了电子注通道处的纵向场强，具有与该频段...
    2026-01-30
  • 磁控管装置、上电极结构以及半导体工艺设备
    磁控管装置、上电极结构以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410692492.9
    本发明提供一种磁控管装置、上电极结构以及半导体工艺设备。磁控管装置包括驱动组件、第一传动组件、摆动组件和磁控组件；驱动组件驱动第一传动组件以带动磁控组件和摆动组件围绕第一旋转轴线沿第一方向旋转，同时使摆动组件绕第二旋转轴线沿第一方向旋转；摆...
    2026-01-30
  • 一种行波偏转小型化条纹变像管
    一种行波偏转小型化条纹变像管_电子科技大学_202511266504.2
    本发明公开了一种行波偏转小型化条纹变像管，属于光学超快成像领域。本发明包含多种电极(阴极，栅极、聚焦极、阳极)、行波偏转器和荧光屏等。其特征在于，各电极和行波偏转器均为良导体金属材质。球面阴极能够减少不同位置发射电子的路径差。栅极和聚焦极均...
    2026-01-30
  • 通道式X射线线性阵列靶组件、CT球管和CT设备
    通道式X射线线性阵列靶组件、CT球管和CT设备_惠仁康宁(苏州)健康科技有限公司_202511365602.1
    本发明涉及通道式X射线线性阵列靶组件、CT球管和CT设备。所述靶组件包括靶盘和靶盘轴，靶盘的数量为多个，依次安装在靶盘轴上，靶盘边缘部位设有环形的靶体，除位于最前侧的靶盘外，对于任一靶盘，位于该靶盘前面的靶盘上均设有用于构成通向该靶盘的电子...
    2026-01-30
  • 一种可维持高真空度的X射线管
    一种可维持高真空度的X射线管_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202511373064.0
    本发明提供一种可维持高真空度的X射线管，包括阴极组件和阳极组件；与阳极组件和阴极组件形成真空腔体的壳体；阴极排气管，第一端与所述阴极组件连通，第二端密封；腔体排气管，第一端通过设置于壳体的排气口与X射线管腔体连通，其第二端密封，或者所述X射...
    2026-01-30
  • 一种电极片、静电透镜和带电粒子系统
    一种电极片、静电透镜和带电粒子系统_华为技术有限公司_202410703094.2
    本申请提供了一种电极片、静电透镜和带电粒子系统，电极片包括核心图形区和环绕核心图形区的边缘区；核心图形区开设有多个主孔，在核心图形区的下部设置有避让窗口；在平行于电极片的上表面的平面上，核心图形区的投影位于避让窗口的投影内。在一些具体的技术...
    2026-01-30
  • 不均匀的D形聚焦离子束
    不均匀的D形聚焦离子束_FEI公司_202510655643.8
    本公开涉及不均匀的D形聚焦离子束。方法包括：利用带电粒子束源产生带电粒子束并沿带电粒子束柱的束轴将该带电粒子束引导至目标；引导该带电粒子束通过被定位成相对于该束轴偏移的细长孔；以及将该束聚焦到该目标以产生该束的非对称强度横截面，其中该横截面...
    2026-01-30
  • 一种扫描电镜成像补偿装置、成像补偿方法以及扫描电镜
    一种扫描电镜成像补偿装置、成像补偿方法以及扫描电镜_无锡亘芯悦科技有限公司_202511169499.3
    本申请涉及电子束扫描技术领域，特别是涉及一种扫描电镜成像补偿装置、成像补偿方法以及扫描电镜。该装置包括：主控模块，用于生成所述扫描电镜工作时的扫描波形以及扫描时序；增益补偿模块，与所述主控模块相连接，用于根据所述扫描电镜的误差参数，对所述扫...
    2026-01-30
  • 一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法
    一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法_华中科技大学_202511116566.5
    本申请涉及电子束增材设备技术领域，尤其涉及一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法，该聚焦装置包括第一聚焦部件和第二聚焦部件，其中，第一聚焦部件，包括第一磁轭环和第一数量的第一磁性件，第一数量的第一磁性件连接在第一磁轭环的内环且沿周向均匀分布...
    2026-01-30
  • 磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽
    磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽_FEI公司_202510689440.0
    本公开涉及磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽。使用闪烁体的带电粒子检测器安置在真空室中，并且包括光电倍增管(PMT)，该PMT安置在磁物镜的极片处或附近。为了保持令人满意的PMT操作，该PMT安置在由高饱和值磁性材料构造的PMT屏蔽件内。利用所...
    2026-01-30
  • 离子注入束流调整方法和调整系统
    离子注入束流调整方法和调整系统_上海积塔半导体有限公司_202511220044.X
    本发明提供了一种离子注入束流调整方法和调整系统，该调整方法包括如下步骤：监测离子注入束流并获得已设定第一周期内的离子注入束流的平均值，所述离子注入束流为注入束流与中和用带电离子束流的耦合；获得所述离子注入束流的平均值与目标离子注入束流之间的...
    2026-01-30
  • 一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法
    一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法_合肥博雷电气有限公司_202410689602.6
    一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法，所述反应腔的顶部开设有9个沿对角线等距均匀排布的观察窗。不同于传统的3×3阵列均匀排布，对角线排布方法可以探测到从中心到边缘的整个区域的等离子体光强，可以更好的评估微波等离子体的均匀性。在每一个...
    2026-01-30
  • 上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备
    上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410692791.2
    本发明提供一种上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备，应用于边缘刻蚀设备，该装置包括进气部件、遮挡件、聚焦环和调节单元，其中，聚焦环设置于进气部件下方，且环绕在遮挡件的周围；聚焦环包括多个子聚焦部，多个子聚焦部沿遮挡件的周向间隔分布；调节单元包...
    2026-01-30
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