Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法
    一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法_中山大学_202511381326.8
    本发明公开了一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法，涉及砷化硼晶体合成技术领域。助溶剂包括锑和砷，合成方法包括将真空密封有硼、助溶剂的容器放置于双温区加热设备，高温端加热至800‑920℃，低温端加热至650‑850℃，高温...
    2026-02-15
  • 一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法
    一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511464172.9
    本发明提出了一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明的制备方法为：将InP多晶料、单质锌、三氧化二硼和红磷按顺序装入坩埚，然后将坩埚放入石英管中，对石英管抽真空后进行熔封形成石英杜瓦管，并放入单晶炉中，密封后启动单...
    2026-02-15
  • 一种氧化镓晶体制备工艺及其装置
    一种氧化镓晶体制备工艺及其装置_安徽环巢光电科技有限公司_202511395920.2
    本发明涉及氧化镓晶体制备技术领域，具体是一种氧化镓晶体制备工艺及其装置。具体的制备工艺包括以下步骤：S1、混合物料压制成料胚；S2、料胚在氯化镓溶液中真空浸渍；S3、料胚在氯化钾溶液中真空浸渍；S4、将料胚放入到生长炉内，对坩埚升温；S5、...
    2026-02-15
  • 一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法
    一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511305666.2
    本发明提出了一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、将原料BaCO3、Fe2O3以及CeF3与助熔剂LiF‑NaF‑B2O3烘干；S2、将原料BaCO3与Fe2O3进行称量，同时添加适量CeF3粉末，将上述原料和助熔...
    2026-02-15
  • 一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法
    一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511327788.1
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法，包括加热机构，加热机构包括若干个弧形加热板，其中一个弧形加热板上设有位于其中心的激光测距机构，单晶炉内设有位于坩埚旁侧的定位区，定位区内设有激光接收机构...
    2026-02-15
  • 一种提高自动放肩成活率的方法
    一种提高自动放肩成活率的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511452327.7
    本发明公开了一种提高自动放肩成活率的方法，涉及硅棒拉制技术领域，包括：当单晶炉炉内硅料全熔后，将导流筒降至下限位；启动视觉判断功能，根据视觉判断结果调整功率以控制液面温度；依据导流筒倒影月牙面积确定液面与导流筒下沿距离，调整埚位；进行自动增...
    2026-02-15
  • 一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置
    一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置_俞瑞仙_202511361159.0
    本发明公开了一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的氮化铝(AlN)单晶PVT生长方法及装置。该方法在生长过程中分段调节压力：升温过程中将腔体压力维持在0.9Mpa‑大气压。达到生长温度时，气压降低至0.5‑0.8MPa，压力在生长过程中周期性微...
    2026-02-15
  • 一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用
    一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用_北京大学_202511109831.7
    本发明提供一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜为连续均一硒氧化铋单晶薄膜，且所述大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜的晶圆直径大于等于4英寸。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶...
    2026-02-15
  • 基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法
    基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法_哈尔滨工业大学_202511399686.0
    本发明涉及金刚石材料制备技术领域，具体涉及基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法，首先对金刚石基底预处理并利用原子力显微镜扫描获取表面三维形貌，确定凹陷与平整区域，据此设计局域偏压分布图谱，对凹陷区域施加较大负偏压，平整区域施加...
    2026-02-15
  • 一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法
    一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法_合肥致真精密设备有限公司_202511218438.1
    本发明公开了一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法，具体涉及MBE薄膜生长设备技术领域，包括真空腔体系统和传送样系统；真空腔体系统包括通过闸板阀依次连接的快速进样腔、预处理腔、工艺腔和互联腔；传送样系统包括：安装在快速进样腔底部的样品架...
    2026-02-15
  • 一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备
    一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备_瑶光半导体(浙江)有限公司_202511354564.X
    本发明公开了一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备，涉及半导体制造设备领域。包括上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在基座上，用于承载待加工件，其中，所述上盖设有第一进气结...
    2026-02-15
  • 一种能够减振的反应室
    一种能够减振的反应室_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511388274.7
    本发明涉及反应室技术领域，公开了一种能够减振的反应室，包括圆筒，其用于盛装反应物料，底座，其设置于圆筒的底部，用于支撑圆筒，若干个第一减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减振，若干个第二减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减...
    2026-02-15
  • 一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺
    一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511249947.0
    本发明涉及一种包括反应腔室、设置于反应腔室内的基座及预热环，预热环为无缝一体成型的圆环结构，预热环包括：与反应腔室的下环件内壁匹配固定的下部圆顶集成部以及沿下部圆顶集成部向基座方向水平延伸的预热部，下部圆顶集成部的曲率半径与下环件的曲率半径...
    2026-02-15
  • 一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘
    一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511327991.9
    本发明涉及一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘，属于半导体制造设备生产领域，包括：石墨盘体；至少一个片槽，设在所述石墨盘体正面并用于容纳衬底片放置；内凹槽，位于所述片槽的底部边缘，且与所述片槽之间形成空隙，所述空隙与所述石墨...
    2026-02-15
  • 一种半导体晶圆外延炉用基座
    一种半导体晶圆外延炉用基座_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511520748.9
    本发明涉及一种半导体晶圆外延炉用基座，包括座体，座体上设置有用于安装晶圆设置的外延空间，座体包括设置在中心位置用于支撑晶圆设置的支撑部以及包围支撑部一周并与支撑部之间形成外延空间的边缘引流部，座体上方设有与外延空间连接且用于气体水平流动的气...
    2026-02-15
  • 一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法
    一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511707452.8
    本发明涉及一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法，包括由石英材料制成的轴体，轴体的一端用于连接驱动机构，另一端设有用于支撑晶圆基座的轴支架；其中，外延炉内设有用于顶升晶圆基座的圆柱形升降销，轴支架上设有供升降销贯穿并升降运动的...
    2026-02-15
  • 在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法
    在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110757.0
    本发明涉及半导体外延生长技术领域，且公开了一种在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，该在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，包括以下步骤：S1、表面预处理与活性位点构建，预处理碳化硅结构件表面，通过物理或化学修饰...
    2026-02-15
  • 多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法
    多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511426601.3
    本申请公开了一种多型SiC异质外延生长制备3C‑SiC方法，其包括如下步骤：将多型SiC衬底置于反应腔室中，从第一预设温度开始升温至第二预设温度，采用第一气源以第一流量对多型SiC衬底进行蚀刻处理；维持第二预设温度，控制第一气源为第二流量，...
    2026-02-15
  • 一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器
    一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器_中石化南京工程有限公司_202511087573.7
    本发明公开了一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器，反应器筒体上部为晶种进料区，晶种进料区下部为反应区，反应区下方设有流化气进气管和反应气进气管，流化气进气管的上方设有气体分布器，反应气进气管从气体分布器中向上穿过通入到反应区内，反应气...
    2026-02-15
  • 一种聚晶金刚石的制备方法
    一种聚晶金刚石的制备方法_河南四方达超硬材料股份有限公司_202511184970.6
    本发明提供一种聚晶金刚石的制备方法，涉及聚晶金刚石技术领域。本发明提供的聚晶金刚石的制备方法，包括以下步骤：将合成棒原料进行烧结制备聚晶金刚石；所述合成棒原料包括一个或两个以上上下间隔布置的原料单元，所述原料单元包括金属杯和盛装在金属杯内的...
    2026-02-15
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证