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最新专利技术
  • 一种多尺寸载片晶圆通用型预键合结构及其使用方法
    一种多尺寸载片晶圆通用型预键合结构及其使用方法_电荷科技(张家港)有限公司_202511826790.3
    本发明涉及晶圆封装领域，具体涉及一种多尺寸载片晶圆通用型预键合结构及其使用方法，包括预键合腔体，所述预键合腔体的内部固定有载台支架，所述载台支架的顶部固定有载台，所述载台的四周设置有测量夹紧对中机构，所述载台的内壁中滑动设置有支撑杆，所述支...
    2026-03-16
  • 一种定心机构、键合设备及定心方法
    一种定心机构、键合设备及定心方法_吾拾微电子(苏州)有限公司_202610123627.9
    本发明涉及一种定心机构、键合设备及定心方法，包括：升降件，能够在外力驱动下沿高度方向移动；定心组件，包括抵持件及定位件，抵持件可相对于升降件水平移动，以带动定位件靠近或远离升降件，以使定位件具有初始位置和定心位置；伸缩件，能够连接抵持件，且...
    2026-03-16
  • 转移头制备模具及其制备方法、转移头制备方法
    转移头制备模具及其制备方法、转移头制备方法_成都辰显光电有限公司_202411143370.0
    本发明涉及一种转移头制备模具及其制备方法、转移头制备方法。转移头制备模具，包括衬底基板和模版层，模版层设置于所述衬底基板的一侧，所述模版层背离所述衬底基板的一面具有与预设转移头图案对应的凹槽；所述模版层采用易刻蚀材料，用于在转移头制备成型后...
    2026-03-16
  • 一种电极组件、静电吸盘及半导体处理装置
    一种电极组件、静电吸盘及半导体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411173000.1
    本发明提供了一种电极组件、静电吸盘及半导体处理装置，其中所述电极组件包括：至少两层第一电极；每层所述第一电极为沿所述静电吸盘径向盘绕形成的第一平面螺旋线圈；相邻两层的所述第一电极之间通过连接点电连接；馈入点，其设置在顶层或底层的第一电极上，...
    2026-03-16
  • 一种静电吸盘及等离子体处理设备
    一种静电吸盘及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610113510.2
    本发明涉及半导体处理设备技术领域，尤其涉及一种静电吸盘及等离子体处理设备，包括基座、介电层、边缘环和环形密封件，基座的顶部设有外凸的支撑台；介电层设于支撑台的顶部；粘合层设于支撑台和介电层之间；边缘环的内缘环部设置有从顶部向底部方向凹陷的环...
    2026-03-16
  • 半自动热压键合机电气与机械个别结构
    半自动热压键合机电气与机械个别结构_三河建华高科有限责任公司_202511794097.2
    本发明属于半导体封装领域，提供了半自动热压键合机电气与机械个别结构，包括安装柜，安装柜的上表面固定安装有真空腔室，真空腔室内安装有基盘，基盘内设置有机械对位件，包括推杆与校准卡点，推杆与校准卡点配合，基盘内设置有支撑件，支撑件垂直放置；本发...
    2026-03-16
  • 一种晶圆载盘和半导体器件的加工设备
    一种晶圆载盘和半导体器件的加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511812194.X
    本发明公开了一种晶圆载盘和半导体器件的加工设备。该晶圆载盘包括：盘体，用于放置晶圆，在所述盘体表面且围绕所述晶圆边缘的位置设有多个容纳槽；以及活动部件，位于各所述容纳槽内，各所述活动部件在所述晶圆放置于所述盘体表面后，向晶圆侧移动，以夹持固...
    2026-03-16
  • 一种密封装置及半导体工艺设备
    一种密封装置及半导体工艺设备_江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司_202512055197.X
    本发明公开了一种密封装置及半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域。该密封装置包括承载体、承载台、驱动组件、轴承座组件和多个密封件，承载体内设有中空腔，承载台设于承载体的顶部，用于承载晶圆。驱动组件包括驱动件和旋转轴，驱动件与旋转轴驱动连接，...
    2026-03-16
  • 一种用于微翘曲片的增粘热盘的结构
    一种用于微翘曲片的增粘热盘的结构_苏州大族芯科技有限公司_202511739225.3
    本发明公开了一种用于微翘曲片的增粘热盘的结构，包括基板，所述基板安装有热盘组件，所述热盘组件上方设置有上盖，所述基板安装有两个驱动上盖升降的升降组件，所述基板安装有顶升机构；所述热盘组件包括底盘和顶盘，所述底盘和顶盘之间安装有加热丝，所述顶...
    2026-03-16
  • 半导体装置及其制造方法和测试方法
    半导体装置及其制造方法和测试方法_长江存储科技有限责任公司_202411154768.4
    本申请实施例提供了一种半导体装置及其制造方法和测试方法。该半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一待测试部件和第一测试部件，第一测试部件位于第一待测试部件在第一方向上的一侧，并用于测试第一待测试部件。第二半导体结...
    2026-03-16
  • 半导体测试结构及其制造方法
    半导体测试结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640188.0
    本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括：半导体衬底、设置在其上的介电层、形成于介电层中并暴露出衬底的通孔、形成在通孔底部的金属半导体化合物层、以及填充在通孔内的导电填充材料。该制造方法包括：提供半导体衬底；形成含通孔...
    2026-03-16
  • 半导体外延工艺的监控方法
    半导体外延工艺的监控方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714250.6
    本发明提供一种半导体外延工艺的监控方法。该方法包括：在衬底上依次外延生长一个包括多个外延层以及设置在相邻外延层之间的标记层的多层结构；然后对该多层结构进行分析，以同时获得多个外延层中至少一者的厚度与组分浓度信息。本发明通过在单片测试晶片上构...
    2026-03-16
  • 可靠性测试结构及测试方法
    可靠性测试结构及测试方法_上海积塔半导体有限公司_202511714995.2
    本发明提供了一种可靠性测试结构及测试方法，可靠性测试结构包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底的介质层；位于介质层中的至少一第一测试结构和第二测试结构；所述第一测试结构包括第一金属层、第二金属层和第一通孔层；所述第二测试结构包括第三金属层、第四金...
    2026-03-16
  • 一种半切电池片测试分选方法及装置
    一种半切电池片测试分选方法及装置_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511742332.1
    本发明实施例提供一种半切电池片测试分选方法及装置。该方法包括本实施例提供一种半切电池片测试分选方法，包括：对整片的电池片进行测试，将测试数据分解为至少一个准半切电池片测试数据；获取对切割后的半切电池片进行边缘钝化沉积前的第一测试数据；将切割...
    2026-03-16
  • 芯片检测装置及制备方法、芯片检测方法
    芯片检测装置及制备方法、芯片检测方法_成都辰显光电有限公司_202411113943.5
    本申请涉及一种芯片检测装置及制备方法、芯片检测方法；其中芯片检测装置用于对驱动背板中的多个显示芯片进行转移缺陷检测，该芯片检测装置包括检测基板和设置在该检测基板上的多个压电接触部；其中各压电接触部间隔设置在检测基板上，多个压电接触部与多个显...
    2026-03-16
  • 基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法
    基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640220.5
    本申请提供一种基于模板匹配图像识别的非均匀离子注入工艺监控方法，包括：步骤一，对一晶圆实施待监控的非均匀离子注入，依据该晶圆的量测数据进行建模，得到用于监控该非均匀离子注入的剂量/电阻分布的模板；步骤二，对实施该非均匀离子注入后的批次晶圆进...
    2026-03-16
  • 检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法
    检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714223.9
    本发明提供一种检测半导体器件后段制程中通孔开路的方法，该方法包括：提供经过第一化学机械抛光工艺的半导体晶圆，其上形成有包含通孔和上覆沟槽的互连结构；对该半导体晶圆进行第二化学机械抛光工艺，以去除沟槽中的导电材料，直至通孔的顶面被暴露；最后，...
    2026-03-16
  • 监控超扫描离子注入工艺的方法
    监控超扫描离子注入工艺的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714267.1
    本发明提供一种监控超扫描离子注入工艺的方法。该方法包括：提供衬底；根据预设的超扫描离子注入工艺参数，对衬底执行离子注入，以形成具有预设区域分布的非均匀注入剂量；基于该预设区域分布，对退火设备的多个温区进行差异化温度设置，并对衬底执行退火工艺...
    2026-03-16
  • 一种晶体晶面斜切角测量方法、半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种晶体晶面斜切角测量方法、半导体器件的制备方法及半导体器件_苏州纳维科技有限公司_202511716641.1
    本发明提供了一种晶体晶面斜切角测量方法及半导体器件的制备方法，该晶体晶面斜切角测量方法包括：提供一待测晶体；于所述待测晶体的表面选择测试区域；基于测试区域的宽度、测试区域内待测晶体表面的原子台阶数量以及原子台阶的厚度得到待测晶体的晶面斜切角...
    2026-03-16
  • 基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置
    基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置_深圳市德明利技术股份有限公司_202511778497.4
    本发明公开了一种基于3D Warpage测量eMMC基板剥离异常的检测方法及装置，包括：确定eMMC基板的几何中心点位置，以所述几何中心点作为基准点；在eMMC基板上确定测量点位；确定参考平面，采集每个测量点位相对所述参考平面的垂直高度偏差...
    2026-03-16
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