Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种液相等离子表面处理装置、抛光方法及表面清洁方法
    一种液相等离子表面处理装置、抛光方法及表面清洁方法_嘉兴凡特智能装备有限公司_202511513484.4
    本发明公开了一种液相等离子表面处理装置、抛光方法及表面清洁方法，包括反应池、超声波组件、工件悬挂机构和电解系统；所述反应池为导电材质，连接电解系统其中一电极；所述超声波组件包括超声波发生器以及若干超声波振头，超声波振头安装在反应池两侧；所述...
    2026-04-04
  • 一种金属管类零件内表面抛光装置
    一种金属管类零件内表面抛光装置_天津豪佳福金属制品有限公司_202512036405.1
    本发明公开了一种金属管类零件内表面抛光装置，具体涉及金属管电解抛光领域，包括主机架，主机架上安装有放置架，放置架上可拆卸安装有管件，管件的内部固定设有波纹管，波纹管包括波纹段，波纹段的两端均固定设有直线段，主机架的一端活动设有驱动机架，驱动...
    2026-04-04
  • 一种基于有机-无机协同界面改性制备硫酸钙晶须的方法
    一种基于有机-无机协同界面改性制备硫酸钙晶须的方法_青岛科技大学_202511851750.4
    本发明公开了一种基于有机‑无机协同界面改性制备硫酸钙晶须的方法。将硫酸钙、无机助剂分散于去离子水中形成均匀浆料，然后进行高温高压反应，反应结束后冷却至室温，过滤、洗涤至中性，得到无机改性晶须前体；将无机改性晶须前体分散于水‑乙醇混合溶剂中，...
    2026-04-04
  • 电化学-光诱导耦合的连续流无种子银纳米线制备方法
    电化学-光诱导耦合的连续流无种子银纳米线制备方法_北京中科纳通电子技术有限公司_202511937835.4
    本发明公开了电化学‑光诱导耦合的连续流无种子银纳米线制备方法，属于纳米材料制备技术领域，包括：S1、制备形貌导向剂：将有机光敏结构单元通过共价键连接至含羟基的Gemini表面活性剂上制备得到形貌导向剂；S2、配制电化学‑光诱导耦合反应液；S...
    2026-04-04
  • IIIA族氮化物单晶生长方法
    IIIA族氮化物单晶生长方法_丰田合成株式会社_202511280245.9
    本发明提供一种能够提高晶体品质的IIIA族氮化物单晶生长方法。使GaN单晶在GaN基板(晶种基板(9))上生长，包括厚膜化工序，通过反复将GaN基板(晶种基板(9))浸渍于在坩锅(100)中存积的Ga与Na的混合熔融液(101)中且提起后在...
    2026-04-04
  • III族氮化物单晶生长方法、III族氮化物单晶生长用的夹具和III族氮化物单晶的制造装置
    III族氮化物单晶生长方法、III族氮化物单晶生长用的夹具和III族氮化物单晶的制造装置_丰田合成株式会社_202511295420.1
    本发明提供一种能够提高晶体品质的III族氮化物单晶生长方法，其通过将在上表面形成有由III族氮化物单晶构成的多个种晶的晶种基板浸渍于贮存在坩埚中的混合熔液而形成多个初始晶核(S1)，通过反复将晶种基板浸渍于混合熔液中并提起后在氮气氛下进行加...
    2026-04-04
  • 一种基于熔盐助熔剂法低温合成超高镍单晶正极材料的方法
    一种基于熔盐助熔剂法低温合成超高镍单晶正极材料的方法_浙江大学衢州研究院_202511812922.7
    本发明公开了一种基于熔盐助熔剂法低温合成超高镍单晶正极材料的方法，包括：将镍含量≥90%的超高镍前驱体与锂源按化学计量比混合，随后加入一定质量的氯化钠(NaCl)作为助熔剂介质并充分研磨；将混合物料在含氧气氛中进行程序升温烧结，最高烧结温度...
    2026-04-04
  • 坩埚、晶体生长装置和晶体生长方法
    坩埚、晶体生长装置和晶体生长方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411262365.1
    本发明实施例提供一种坩埚以及使用所述坩埚的晶体生长装置及晶体生长方法。所述坩埚例如包括：筒状侧壁和连接于所述筒状侧壁的底端的埚底，所述筒状侧壁和所述埚底共同围成容置腔，所述筒状侧壁的顶端为坩埚开口，所述埚底配置有毛细孔，所述毛细孔在所述容置...
    2026-04-04
  • 一种加热器以及单晶炉
    一种加热器以及单晶炉_隆基绿能科技股份有限公司_202411218267.8
    本申请实施例，提供一种加热器以及单晶炉。所述加热器包括：相互连接的加热器本体和脚板；沿所述加热器本体的周向，所述加热器本体设置有至少一个抗变形结构；所述抗变形结构靠近脚板一侧的端面为第一抗变形面；所述加热器本体靠近脚板一侧的端面为第一端面、...
    2026-04-04
  • 一种采用机器学习的双层外延片生长控制方法
    一种采用机器学习的双层外延片生长控制方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511896820.8
    本发明公开了一种采用机器学习的双层外延片生长控制方法，属于生产控制技术领域，该方法包括：获取外延片生长的历史质量数据和历史工艺数据，将历史质量数据中第一外延层生长完成后的中间质量数据输入至由历史工艺参数导引的自适应表征模型中，获得表征第一外...
    2026-04-04
  • 金刚石生长装置
    金刚石生长装置_浙江晶盛机电股份有限公司_202511804877.0
    本申请公开了一种金刚石生长装置，其涉及金刚石生长技术领域。本申请提供了一种金刚石生长装置，其包括基座、第一基台和第二基台，第一基台设置于基座的上表面，并与基座固定连接，第二基台设于第一基台背离基座的一侧，并用于承载金刚石生长的物料，其中，第...
    2026-04-04
  • 半导体工艺腔室
    半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411281346.3
    本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和喷淋件，腔室本体的顶部设有第一开口，腔室本体内设有基座；喷淋件设置于腔室本体内，喷淋件位于基座的上方，基座与喷淋件之间形成工艺空间，喷淋件包括多个喷淋板，各喷...
    2026-04-04
  • 半导体工艺参数的调整方法、系统、设备及存储介质
    半导体工艺参数的调整方法、系统、设备及存储介质_上海车仪田科技有限公司_202610172195.0
    本申请提供了一种半导体工艺参数的调整方法、系统、设备及存储介质，涉及半导体检测技术领域，本申请基于当前工艺周期的原始反射光谱和工艺参数，从预设函数库获取搜索参数的参考阈值，减少了固定阈值依赖，提升了复杂光谱条件下的检测稳定性。基于历史反射光...
    2026-04-04
  • 一种在单晶铜箔上制备大面积单晶氧化铁的方法
    一种在单晶铜箔上制备大面积单晶氧化铁的方法_华南师范大学_202511788266.1
    本发明涉及一种在单晶铜箔上制备大面积单晶氧化铁的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：加热铁源前驱体至第一目标温度，以使所述铁源前驱体气化，并加热单晶铜衬底至第二目标温度；S2：当所述铁源前驱体升温至所述第一目标温度时，通入氧气，所述氧气与...
    2026-04-04
  • 一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料水平合成的方法和装置
    一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料水平合成的方法和装置_陕西铟杰半导体有限公司_202610144258.1
    本发明公开了一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料水平合成的方法和装置。该方法包括高纯物料准备与密封、加热反应与压力调控、保温反应、温度梯度调控、冷却结晶、退火处理和泄压取料等步骤。通过控制高纯铟和高纯磷的摩尔比范围为1~1.2，在特定温度下反...
    2026-04-04
  • 一种光伏单晶硅片和包含其的太阳能电池
    一种光伏单晶硅片和包含其的太阳能电池_隆基绿能科技股份有限公司_202411170081.X
    本申请提供了一种光伏单晶硅片和包含其的太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，尤其属于光伏硅片技术领域。该硅片的电阻率为50~500Ω·cm；该硅片的氧含量小于或等于8×1017atom/cm3，优选为1.5×1017~6×1017atom/c...
    2026-04-04
  • 拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质
    拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511996021.8
    本公开提供了一种拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质。该方法包括根据目标产品类型确定预测模型，以基于预测模型和热场状态参数确定加热系统的基准功率轨迹；在单晶硅生长的过程中，实时监测晶棒的几何参数，根据几何参数与目标值的偏差生成...
    2026-04-04
  • 大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂
    大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂_湖南居锂新能源科技有限公司_202610197338.3
    本发明公开了一种大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂。该方法通过少锂配方制得含锂铁反占位缺陷的大单晶前驱体，再将该前驱体制成极片组装电池，经过充循环处理收集活性物料，然后将活性物料与磷酸锂、聚多巴胺及氢氧化锂混合处理，经干燥、热处理制得...
    2026-04-04
  • 一种特定晶面暴露比例的TiO2纳米片及制备方法和应用
    一种特定晶面暴露比例的TiO2纳米片及制备方法和应用_中国科学院海洋研究所_202511807221.4
    本发明属于光电化学阴极保护与纳米功能材料制备技术领域，具体涉及一种特定晶面暴露比例的TiO2纳米片及制备方法和应用。所述TiO2纳米片垂直生长于FTO导电玻璃表面，垂直方向对应{001}晶面，顶部及部分侧面暴露为{101}晶面，由此在单一纳...
    2026-04-04
  • 一种两端复合的梯度掺杂单晶光纤的制备方法
    一种两端复合的梯度掺杂单晶光纤的制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511619007.6
    本发明属于单晶光纤生长技术领域，涉及以热键合晶体为源棒，利用激光加热基座(LHPG)法生长稀土离子掺杂浓度梯度分布复合单晶光纤的方法。所述制备方法包括：采用具有三明治结构的热键合晶体为源棒，利用激光加热基座法生长稀土离子掺杂浓度呈现梯度分布...
    2026-04-04
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证