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最新专利技术
  • 存储器件及其形成方法
    存储器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511314529.5
    提出了用于在CFET SRAM器件中进行电源分配的单元设计，使用中间带单元将器件的背面连接到其正面。一种器件包括设置在衬底上的单元阵列。该单元阵列包括第一阵列部分和第二阵列部分，在器件的俯视图中沿第一方向分离。该器件还包括设置在沿第一方向的...
    2026-04-12
  • 存储器单元、存储器阵列和制造半导体器件的方法
    存储器单元、存储器阵列和制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744068.5
    存储器单元包括：有源区域，沿着第一方向纵向延伸；以及第一栅极结构和第二栅极结构，沿着与第一方向不同的第二方向纵向延伸。第一栅极结构接合有源区域以形成第一晶体管，并且第二栅极结构接合有源区域以形成第二晶体管。存储器单元还包括：第一外延部件，设...
    2026-04-12
  • 半导体结构及其形成方法、半导体器件
    半导体结构及其形成方法、半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411306655.1
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件，该半导体结构包括：沿第一方向依次排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区；其中，第一掺杂区与第四掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区的掺杂类型与第三掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂...
    2026-04-12
  • 半导体器件、制作方法以及存储器系统
    半导体器件、制作方法以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411310919.0
    本公开实施例公开了一种半导体器件、制作方法以及存储器系统，所述半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：半导体层，包括有源区；所述半导体层在第一方向上具有相对设置的第一侧和第二侧；第一隔离结构，嵌设于所述半导体层中且在与所述第一...
    2026-04-12
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411564701.8
    半导体结构包括半导体基板、位元线结构以及位元线间隔物。位元线结构设置于半导体基板上。位元线间隔物覆盖位元线结构，其中位元线间隔物包括SiCO层、绝缘氧化物层以及绝缘氮化物层。SiCO层覆盖位元线结构，其中SiCO层的氧浓度等于或大于55at...
    2026-04-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411598619.7
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板及字元线。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的平均功函数大于低功函数层的平均功函数，低功函数层包括下部及在下部上的上部，以及下部的平均晶粒尺寸小于上...
    2026-04-12
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202510128439.0
    本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。所述装置包括：衬底；设置于衬底上的栅极结构；覆盖栅极结构的第一绝缘层；设置穿过第一绝缘层的接触件，其中接触件横向地邻近栅极结构；设置于第一绝缘层上且物理接触接触件的金属层；以及覆盖金属层的侧壁的第一介...
    2026-04-12
  • 半导体装置及半导体存储装置
    半导体装置及半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510175708.9
    实施方式提供一种半导体装置及半导体存储装置，其能够制造品质较佳的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：多个栅极电极，沿着与上下方向交叉的第1方向延伸，在与上下方向及第1方向交叉的第2方向上相互隔开地设置；多个位电极，在栅极电极的上方沿着第2...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510230291.1
    本公开提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个半导体层，在第1方向上层叠并在第2方向及第3方向上排列；多个过孔布线，分别电连接于在第1方向上层叠的多个半导体层；多个存储部，分别电连接于多个半导体层；多个栅电极，分别...
    2026-04-12
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510253651.X
    一实施方式的存储装置包含第一导电体、第一半导体、第一绝缘体、第二导电体、第三导电体及第二绝缘体。第一导电体在第一方向上延伸。第一半导体沿着与第一方向相交的第一平面包围第一导电体。第一绝缘体沿着第一平面包围第一半导体。第二导电体沿着第一平面包...
    2026-04-12
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510274309.8
    本发明提供抑制存储器件的制造成本的存储器件。实施方式的存储器件包括第1及第2导电构件、多个存储单元、以及屏蔽电极。第1及第2导电构件各自在第1方向上延伸设置。第1及第2导电构件在第2方向上排列。多个存储单元在第1方向上排列。多个存储单元各自...
    2026-04-12
  • 半导体装置及半导体存储装置
    半导体装置及半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510281385.1
    本发明提供一种半导体装置及半导体存储装置，其晶体管特性优异。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1电极与第2电极之间的第1氧化物半导体层；第2氧化物半导体层，在与连结第1电极与第2电极的第1方向垂直的第2方向，与第1氧化物半导体...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510316515.0
    提供良好地动作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：在第一方向上层叠的多个第一半导体层、与多个第一半导体层电连接的通孔布线、与多个第一半导体层电连接的多个存储部、与多个第一半导体层对置的多个第一栅电极。另外，该半导体存储装置具备：相对于多个...
    2026-04-12
  • 半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510385415.3
    提供晶体管特性优异的半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层对置的栅电极。栅电极包含将氧化物半导体层夹在中间的第一部分和第二...
    2026-04-12
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510907397.0
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底，包括有源单元区域、虚设单元区域和外围电路区域，虚设单元区域在平面图中在有源单元区域周围延伸，外围电路区域在平面图中在虚设单元区域周围延伸；以及器件隔离膜，在有源单元区域和虚设...
    2026-04-12
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511045666.3
    本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在半导体衬底上的字线和层间绝缘图案，字线在平行于半导体衬底的顶表面的第一方向上延伸；沟道图案，与字线交叉并且具有在平行于半导体衬底的顶表面的第二方向上...
    2026-04-12
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511223058.7
    一种半导体存储器件，包括：位线，沿第一方向延伸；第一沟道图案，在所述位线的上表面上；第二沟道图案，在所述位线的上表面上；第一字线，沿第二方向延伸；第二字线，沿所述第二方向延伸；第一电容器和第二电容器，分别连接到所述第一沟道图案和所述第二沟道...
    2026-04-12
  • 一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法
    一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法_北京大学_202511839013.2
    本发明公开了一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法，属于半导体集成电路领域。本发明的DRAM单元将写晶体管和读晶体管以同轴心圆柱体的形式三维集成，其中读晶体管位于内核，写晶体管同轴包裹在外周。此结构将单元占地面积缩减至...
    2026-04-12
  • 电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器
    电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器_复旦大学_202511930969.3
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器。该方法包括：在形成有晶体管和存储节点的衬底上形成停止层和绝缘成型层后进行刻蚀，形成暴露存储节点的支柱孔；沉积第一电极层，形成填充支柱孔的绝缘支柱；对绝缘支...
    2026-04-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202511938396.9
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：阵列排布的半导体柱和字线结构。半导体柱沿第一方向延伸并包括至少一个侧面，其中多个半导体柱沿与第一方向垂直的第二方向呈行排布；字线结构位于相邻的第一行半导体柱与第二行半...
    2026-04-12
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