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最新专利技术
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光器件及其制备方法
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光器件及其制备方法_南方科技大学_202511745359.6
    本申请涉及钙钛矿薄膜技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光器件及其制备方法。该钙钛矿薄膜的制备方法包括如下步骤：提供钙钛矿前驱体溶液、基底；将钙钛矿前驱体溶液涂覆在基底一侧的表面，并在90℃~100℃下进行第一次退火工艺一段时间，形...
    2026-04-09
  • 一种数喷法制备钙钛矿太阳能电池钝化层的方法
    一种数喷法制备钙钛矿太阳能电池钝化层的方法_河北工业大学_202511959546.4
    本发明为一种数喷法制备钙钛矿太阳能电池钝化层的方法。该方法在钝化层的制备中，先将钝化剂溶解在极性溶剂中，随后使用极性更低的正丁醇进行稀释，然后通过数喷法进行喷涂，利用混合溶剂在降低对钙钛矿破坏的同时改善溶液浸润性的协同特点，实现在不破坏钙钛...
    2026-04-09
  • 基于吩噻嗪类杂环化合物的自组装单分子层构筑及制备钙钛矿太阳能电池的方法
    基于吩噻嗪类杂环化合物的自组装单分子层构筑及制备钙钛矿太阳能电池的方法_大连理工大学_202610111161.0
    基于吩噻嗪类杂环化合物的自组装单分子层构筑及制备钙钛矿太阳能电池的方法，其属于钙钛矿太阳能电池的技术领域。该方法是将吩噻嗪类衍生物用于空穴传输层和钙钛矿层之间，使其具备促进电荷传输，提升空穴提取率并修饰埋底界面，促进钙钛矿生长的功能。通过将...
    2026-04-09
  • 钙钛矿太阳能电池生产及相关用途、产品和太阳能电池
    钙钛矿太阳能电池生产及相关用途、产品和太阳能电池_丰田自动车株式会社_202511337793.0
    本公开内容涉及钙钛矿太阳能电池生产及相关用途、产品和太阳能电池。本发明提供了溶液作为墨以在墨印刷操作中在钙钛矿太阳能电池的生产中的中间产品的表面上提供经由干燥可转化为钙钛矿太阳能电池的功能层的表面膜的用途，其中墨印刷操作采用具有至少100个...
    2026-04-09
  • 显示装置的制造装置及显示装置的制造方法
    显示装置的制造装置及显示装置的制造方法_株式会社迈格诺皓特_202511210336.5
    本发明涉及显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，制造装置具备：蒸镀腔室，其具备构成为向用于搬送显示装置用的处理基板的搬送路径放射材料的蒸镀源；计测部，其相对于上述蒸镀腔室而言配置在上述处理基板的搬送方向的下游侧，其中，上...
    2026-04-09
  • 玻璃镀膜工艺以及钙钛矿叠层太阳能电池
    玻璃镀膜工艺以及钙钛矿叠层太阳能电池_江苏先导微电子科技有限公司_202511669405.9
    提供一种玻璃镀膜工艺以及钙钛矿叠层太阳能电池。所述玻璃镀膜工艺适用于在钙钛矿叠层太阳能电池的玻璃基底的外表面镀膜，所述玻璃镀膜工艺包括步骤：将K9玻璃基底的表面清洁；为磁控溅射设备的工艺腔选择两支Nb2O5靶、两支Si靶、以及RF离子源，全...
    2026-04-09
  • 光电转换器件以及其制造方法
    光电转换器件以及其制造方法_株式会社东芝_202511264732.6
    光电转换器件以及其制造方法。本发明的实施方式涉及光电转换器件以及其制造方法。提供具有柔性且耐冲击性优异的光电转换器件以及其制造方法。根据实施方式，提供一种具备玻璃基板、光电转换元件和含树脂层的光电转换器件。玻璃基板的厚度为250μm以下，并...
    2026-04-09
  • 有机电致发光器件及其电子设备
    有机电致发光器件及其电子设备_北京夏禾科技股份有限公司_202411265628.4
    公开了一种有机电致发光器件及其电子设备。该有机电致发光器件包含阴极、阳极，以及设置在阴极与阳极之间的第一有机层和发光层，第一有机层设置在阳极和发光层之间，第一有机层和发光层彼此不同且都包含具有式1结构的第一有机材料，该有机电致发光器件能够提...
    2026-04-09
  • 有机电致发光器件及电子装置
    有机电致发光器件及电子装置_陕西莱特光电材料股份有限公司_202411311524.2
    本申请提供一种有机电致发光器件和电子装置，该有机电致电致发光器件包括阴极、阳极以及有机层。所述有机层包括有机发光层；所述有机发光层包含具有式1所示结构的第一有机化合物。
    2026-04-09
  • 一种离子-电子复合热电器件制备方法及热电器件
    一种离子-电子复合热电器件制备方法及热电器件_中国科学院上海硅酸盐研究所_202411314053.0
    本发明涉及热电转换技术领域，具体涉及一种离子‑电子复合热电器件制备方法及热电器件。一种离子‑电子复合热电器件制备方法，包括如下步骤：将p型和n型电子热电粒子交替排列在第一基板的基板电极上，覆盖第二基板至热电粒子上，将热电粒子两端分别与第一基...
    2026-04-09
  • 一种薄膜型热电偶及其热压合机构
    一种薄膜型热电偶及其热压合机构_上海长擎实业有限公司_202511943312.0
    本发明涉及热电偶技术领域，具体为一种薄膜型热电偶及其热压合机构，包括展平机构，用于在热压合前展平置于所述下热压板上的薄膜热电偶件，所述展平机构包括两组展平组件和调节限位机构。本发明热压合机构通过展平、限位、消泡机构的协同作用，有效消除了薄膜...
    2026-04-09
  • 一种具有非线性温差-电压的离子热电凝胶制备方法
    一种具有非线性温差-电压的离子热电凝胶制备方法_电子科技大学_202511964418.9
    该发明公开了一种具有非线性温差‑电压的离子热电凝胶的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明的离子热电凝胶采用聚偏氟二氟乙烯‑co‑六氟丙烯提供网格框架，[EMIM][DCA]和无机氯盐作为离子载体提供自由移动离子，可赋予离子热电凝胶高热电转...
    2026-04-09
  • 一种压电磁电双晶片传感结构及其仿真分析方法
    一种压电磁电双晶片传感结构及其仿真分析方法_云南电网有限责任公司红河供电局_202511908245.9
    本发明公开了一种压电磁电双晶片传感结构及其仿真分析方法，涉及传感器设计与仿真技术领域。结构包括依次层叠的PZT5H压电层、AFC260合金弹性叶片层及PZT5H压电层，采用终端地地终端并联激励以诱导弯曲振动，并可通过附加质量在2327kHz...
    2026-04-09
  • 柔性磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器、电子设备
    柔性磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器、电子设备_珠海多创科技有限公司_202511983371.0
    本发明涉及磁阻元件技术领域，公开一种柔性磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器、电子设备。柔性磁阻元件的制备方法包括以下步骤：在硅基底的表面生长至少一磁阻阵列、焊盘、电极，该至少一磁阻阵列、焊盘及电极经耦接形成惠斯通电桥；对硅基底的背面进行减薄，...
    2026-04-09
  • 一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用
    一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用_北京量子信息科学研究院_202411319688.X
    本申请公开一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用包括：在硅锗衬底上获得条形平台结构；对所述具有条形平台结构的硅锗衬底进行预处理；在具有所述条形平台结构的所述硅锗衬底上方，采用分子束外延生长技术依次生长硅锗缓冲层、硅间隔层、纯锗层和硅盖...
    2026-04-09
  • 接收装置、发送接收装置、通信系统和便携终端装置
    接收装置、发送接收装置、通信系统和便携终端装置_TDK株式会社_202511884681.7
    本发明的接收装置具备磁性元件，该磁性元件具备第1铁磁性层、第2铁磁性层、和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹着的间隔层，包含具有光强度变化的光信号的光照射至所述第1铁磁性层，以基于来自所述磁性元件的输出电压，接收所述光信号的方式构成，照...
    2026-04-09
  • 一种量子芯片的制备方法及微波量子滤波装置
    一种量子芯片的制备方法及微波量子滤波装置_湖南师范大学_202511942002.7
    本发明提供了一种量子芯片的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上形成第一金属层；S2、根据预设的超导电路版图刻蚀所述第一金属层，形成超导电路图案；S3、根据预设的约瑟夫森结图形版图，在步骤S2处理后的工件表面依次形成绝缘层和第二金属层，形成...
    2026-04-09
  • 一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法
    一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法_北京大学_202511853272.0
    本发明公开了一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体存储器件技术领域。所述阻变存储器包括底电极、阻变功能层和顶电极，其中阻变功能层在刻蚀成型后，其侧壁被包裹一层导热率高、电导率低且化学性质稳定的材料，构成热传递层。该热传递层可在器...
    2026-04-09
  • 基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法
    基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法_南京林业大学_202511929845.3
    本发明公开基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法，属于纳电子技术领域；铁电隧道结，包括：依次连接的左电极、中心散射区和右电极；所述左电极与右电极分别由TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构向左和向右周期性重复...
    2026-04-09
  • 一种流体忆阻器及其制备方法和应用
    一种流体忆阻器及其制备方法和应用_澳门大学_202511653053.8
    本发明属于忆阻器技术领域，特别涉及一种流体忆阻器及其制备方法和应用。本发明的流体忆阻器包括基体，基体具有孔隙；石墨烯层，石墨烯层设于基体的一侧表面，石墨烯层在孔隙处破损，且破损边缘向孔隙内褶边；流体A，流体A设于石墨烯层一侧区域；流体B，流...
    2026-04-09
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