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  • 本申请提供了键合方法及半导体器件,该键合方法通过提供第一基板,第一基板包括正面以及与正面相背的背面,背面形成有凹槽,凹槽包括沿第一方向延伸的第一子凹槽以及沿第二方向延伸的第二子凹槽,第一子凹槽与第二子凹槽相交;通过拾取装置吸附第一基板,拾取...
  • 本发明公开了一种应用于经时击穿的测试结构和测试方法,涉及经时击穿测试技术领域,以通过利用第一阱区和第二阱区形成的PN结防止衬底一侧载流子受环境噪声影响较大而导致衬底和栅介质层界面处的电势发生变化而不为零,提高测试结果准确性,进而有利于使得依...
  • 本发明提供了一种互连结构的检测方法,所述检测方法包括:提供具有待检测的互连结构的半导体衬底,互连结构包括互连层及与电性连接于所述互连层下的通孔互连结构;执行研磨工艺依次去除互连层及其下部分厚度的通孔互连结构,以暴露剩余的通孔互连结构的表面;...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种无主栅背接触太阳能电池片的测试装置及其测试方法,包括装载平台、测试模块和定位校准对接模块,装载平台由透光材质制成,设有至少两个支撑区;沿第二方向,相邻两个支撑区之间形成第一条形槽;第一条形槽在第一方向上的...
  • 本发明涉及一种外延后膜厚及滑移线的改善方法,所属半导体硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一阶段:诊断与数据采集,精准量化当前工艺下外延片的电阻率、膜厚分布及其关联性。第二阶段:建立调控模型,并设计针对性的工艺改进方案。建立“电阻率‑膜厚...
  • 本发明的实施例提供了一种接合IC器件的方法。第一接合结构相对于第二接合结构定位。第一接合结构包含第一对准部件。第二接合结构包括第二对准部件,该第二对准部件沿垂直方向朝向第一对准部件。当第一对准部件和第二对准部件对准时,第一对准部件和第二对准...
  • 本发明提供一种用于侦测剥离的装置及方法。所述方法包括:将第一电压施加到第一测试键,第一测试键上覆于中介层且下覆于集成电路管芯的第一互连结构的第一部分中,第一部分与集成电路管芯的多个凸块所定义的开口重迭;在施加第一电压期间,测量第一测试键的第...
  • 本发明公开了一种多方位协同成像的封装芯片检测系统及检测方法,涉及封装芯片检测领域,包括检测平台、成像组件和输送机构,成像组件包括上工位相机、前工位相机和后工位相机,上工位相机位于检测工位的正上方,封装芯片两侧的芯片分别对应前工位相机与后工位...
  • 本发明公开了一种测试方法、装置、系统及存储介质,该测试方法利用光致发光电阻测试法和/或电致发光电阻测试法,测量待测电池片上预设区域的局部电阻,其中,局部电阻为预设区域的薄层面电阻。根据局部电阻和测量中载流子的横向传输路径,计算待测电池片的方...
  • 本发明公开了一种硅片的智能筛选方法以及系统,本发明涉及智能筛选的技术领域,根据漫散射现象的检测而确定对应的表面缺陷,根据该表面缺陷、对应的工序和硅片的加工内容确定对应的多模态图像,对多模态图像进行深度学习,并深入量化各个表面缺陷的深度特征及...
  • 本发明公开了一种基于电学激励的缺陷修复方法和系统,涉及半导体技术领域,用于修复场效应晶体管中位于沟道区与栅介质层之间的至少部分界面缺陷,提高场效应晶体管的工作性能。所述基于电学激励的缺陷修复方法包括:首先,提供待修复对象。待修复对象包括体硅...
  • 本发明涉及一种硅片少子寿命的RTP前处理方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:对硅片进行清洗的预处理准备,清洗后硅片通过氮气吹干。第二步:RTP模块参数设置与调试,RTP模块采用集成式高纯度热处理腔室。第三步:RTP钝化处理...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:在衬底顶部形成鳍部,在鳍部的延伸方向上对鳍部进行鳍切处理,形成开口,之后在开口侧壁形成保护层,形成保护层后,在鳍部露出衬底上形成隔离层,隔离层的顶部低于鳍部的顶部,且覆盖鳍部的部分侧壁。由于在鳍部切断处的开口...
  • 在实施例中,方法可以包括在介电层中形成导通孔,执行定向蚀刻工艺以扩大导通孔的一侧,以及在定向蚀刻工艺之后,在介电层中形成沟槽孔,其中沟槽孔位于导通孔之上并且与导通孔空间连接,其中定向蚀刻工艺产生具有从导通孔的中心测量的第一侧宽度和第二侧宽度...
  • 本申请提供了一种半导体器件形成方法及半导体器件,其中,半导体器件形成方法包括:提供一基板,基板包括第一区域以及位于基板边缘的第二区域,第一区域形成有多个有效器件,第二区域形成有多个无效器件,相邻两个有效器件之间通过第一切割道隔开,相邻两个无...
  • 提供一种具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的的电子部件。电子部件(100)包括:半导体主体(102);半导体主体(102)中的有源区(104);布置在有源区(104)上或上方并且包括堆叠体(108)的至少一个金属化结构(...
  • 一种交错盲孔阵列结构铜热沉的实现方法,通过在包含半导体芯片的封装体顶部设置厚度为封装体厚度的0.03‑0.5倍的铜制带盲孔阵列的热沉;本发明通过交错盲孔阵列结构的Cu板作为热沉,增大QFN与空气之间热交换的比表面积,从而有效降低封装体的温度...
  • 本发明公开一种具有辅助散热结构的芯片封装体及芯片封装方法,具有辅助散热结构的芯片封装体包括:载体,所述载体上设有芯片;封装胶,设置于所述载体上且包覆所述芯片;散热结构,散热结构设置于所述封装胶内,且用于对所述封装胶散热,所述散热结构自所述封...
  • 本发明公开了一种高性能芯片的散热功能结构及制备方法,属于半导体封装技术领域,该结构创新性地集成了水平与垂直双向散热路径;水平散热路径由内置于多个散热器件中的蛇形微流道冷却通道构成,通过外接泵驱动冷却液以0.1‑1 ml/min的流速循环,将...
  • 一种半导体封装组件包括:第一半导体封装,以及从其前表面露出的第一半导体元件和第一组导电图案;经由一组互连结构安装在第一半导体封装前表面上的中介层,其中所述中介层在其后表面处包括第二组导电图案,第二组导电图案与所述第一组导电图案对准以通过所述...
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