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  • 本发明公开的一种交联聚乙烯电缆接头的局部放电监测方法及终端,所述方法包括:获取交联聚乙烯电缆接头的前端电缆运行状态信号和后端电缆运行状态信号;判断前端电缆运行状态信号和后端电缆运行状态信号是否异常;当前端电缆运行状态信号和后端电缆运行状态信...
  • 本发明提供一种局放信号自动定位方法、系统与存储介质,属于信号处理技术领域,具体包括:以开关柜的历史局放数据的检测数据,确定不同的开关柜的局放异常数据,基于局放异常数据以及所述潜在设置目标确定局放在线监测装置的设置目标的识别方案,根据设置目标...
  • 本发明公开了一种绝缘故障检测电路、制氢系统及其绝缘故障检测方法,其中绝缘故障检测电路应用于制氢系统,其包括:电流分配模块,其第一端连接于制氢系统的功率模块输出端第一极与电解槽第一极之间,其第二端连接于制氢系统的功率模块输出端第二极与电解槽第...
  • 本申请涉及电池技术领域,公开了绝缘层绝缘性能的检测方法及检测装置,包括控制绝缘层的加热温度,以使绝缘层由初始温度T0升高至目标温度TN,初始温度T0至目标温度TN之间设有多个预设温度节点Tn;获取绝缘层的实时温度T01;当绝缘层的实时温度T...
  • 本发明公开了一种高压电力设备绝缘故障检测预警系统,涉及电力检测技术领域,本发明包括数据获取模块、数据分析模块、绝缘监测模块、预警终端和数据库,在各采集时刻采集高压电力设备各绝缘体的各信息,并根据高压电力设备各绝缘体的电位差和所处环境,分析高...
  • 本发明公开一种电子器件可靠域实验及耐压加速模型确定方法和系统,包括:通过标准化可靠域实验设计、系统化数据分析和多维度模型验证,实现电子元器件绝缘耐压极限精准检测与长期可靠性评估;其中,系统化数据分析包含:原始数据处理、等效失效时间折算、加速...
  • 本申请实施例公开了基于车载充电器的绝缘检测方法、装置、设备及介质。方法包括:当车载充电器处于逆变工作状态时,获取L线与PE之间的第一电压、N线与PE之间的第二电压以及L线与N线之间的第三电压;基于第一电压、第二电压以及第三电压确定第一电压对...
  • 本申请提供了一种用于测试半导体封装的设备,其包括:测试板;适配器插座,其放置在所述测试板上且电耦合到所述测试板;第一参考模块和第二参考模块,其各自可拆卸地安放在所述适配器插座的参考座中;以及测试插座,其放置在所述适配器插座上。所述测试插座包...
  • 本公开涉及功率半导体器件电流感测。根据一些实施例,负载供电电路包括功率电路和驱动器电路,其中功率电路具有:功率半导体器件;镜像电路,连接到功率半导体器件并且被配置为基于流过功率半导体器件的电流生成镜像电流信号;以及漏极开关,具有连接到功率半...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种功率模块的性能评估方法、装置、设备及存储介质,性能评估方法包括:在目标功率模块的物理仿真模型中提取目标功能节点所属的目标电气路径;在物理仿真模型中分析得到目标功能节点的电流始端信息和电流终端信息,作为目标...
  • 一种耗能阀功率模块循环老化试验平台及循环老化试验方法,适用于直流耗能装置功率模块的可靠性验证。通过容性电源与感性负载的协同设计,实现能量闭环利用,并采用模块化交替试验逻辑,提升测试效率。使用直流电源为试验回路提供电流源,试验对象是多个功率模...
  • 本发明公开了一种GaN‑HEMT器件热阻测试方法、系统、终端设备及存储介质,属于半导体器件测量领域,所述方法为:对GaN‑HEMT器件的栅极和源极之间的电学特性进行判别,得到特性判别结果;基于特性判别结果,获取GaN‑HEMT器件的器件结温...
  • 本发明提供了一种基于视在结温的IGBT模块栅氧老化评估系统及方法,属于半导体老化测试技术领域,该系统包括通过电压上升时间提取电路、通态压降采样电路及电流采样电路,分别采集关断时的电压上升时间、导通时的通态压降及集电极电流,分别计算出第一视在...
  • 本申请提供了一种IGBT故障检测电路和电子设备,IGBT故障检测电路包括:电压检测模块,用于与IGBT的漏极电连接;电流检测模块,用于电连接至电压源与IGBT的源极之间;驱动电路,驱动电路的输出端用于与IGBT的基极电连接;控制器,分别与驱...
  • 本发明提供了一种并行测试的方法、装置、电子设备及存储介质,涉及测试技术领域,包括:获取测试输入参数以及测试设备的硬件资源信息;基于所述测试输入参数与硬件资源信息确定满足硬件约束的最大可并行器件数量,以及判断待测器件间的测试兼容性;基于所述最...
  • 本申请涉及一种雪崩测试电路和系统。雪崩测试电路包括测试模块、检测模块和驱动控制模块;测试模块包括开关单元和电容单元;开关单元分别与驱动控制模块、检测模块和待测器件连接,开关单元用于导通或断开检测模块与待测器件之间的通路;电容单元用于为待测器...
  • 本申请涉及一种IGBT模块电气参数测量方法、装置及系统。方法包括:获取IGBT模块的历史双脉冲测试结果,得到历史剩余寿命曲线;根据每个异常拐点与相邻测试数据点的历史剩余寿命间的差异,确定该异常拐点的异常度;在每个异常区间内,根据工况数据中故...
  • 本发明涉及半导体热阻测试技术领域,公开了一种氮化镓半导体稳态热阻测试设备,包括控制箱,所述控制箱的内部固定设置有支撑架,所述支撑架的内部安装有测试模具,所述控制箱的内部固定设置有测试台,且测试台位于测试模具的正下方,所述测试台的内部开设有多...
  • 本发明涉及电性能测试领域,尤其涉及一种基于智能传感器的电子元件电性能测试设备及方法。所述基于智能传感器的电子元件电性能测试设备,包括壳体;所述壳体内设置有移动单元;所述移动单元的移动部上安装有两个移动块;每个所述移动块上分别安装有连接块;两...
  • 本发明提供一种快恢复二极管运行可靠性测试方法和系统,涉及电路测试技术领域,所述方法包括:将快恢复二极管设置在实验台上,设置测试环境参数,并设置测试电源的频率数据;进而设置测试电源,并获取测试电阻两端的测试电压数据,进而确定可靠性变化指标,并...
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