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最新专利技术
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_江苏高光新材料科技股份有限公司_202610313699.X
    一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极以及在阳极和阴极之间形成的有机层，所述有机层包含空穴注入层、空穴传输区域、电子阻挡层、发光区域、电子传输区；所述空穴传输区域包含第一材料以及第二材料，第一材料与第二材料依次蒸镀形成两层空穴传输层，第一材料...
    2026-04-25
  • 一种Nd/Zr掺杂的高性能BaHfS3基热电块体材料及其制备方法
    一种Nd/Zr掺杂的高性能BaHfS3基热电块体材料及其制备方法_郑州大学_202610033667.4
    本发明适用于热电材料技术领域，提供了一种Nd/Zr掺杂的高性能BaHfS3基热电块体材料及其制备方法，包括以下步骤：将BaCO3、HfO2、ZrO2或Nd2O3原材料粉末按目标计量比进行称量，混合，然后放置于马弗炉中在1150‑1250℃、...
    2026-04-25
  • 一种高ZT热电材料的冷压-热轧协同封装方法
    一种高ZT热电材料的冷压-热轧协同封装方法_成都职业技术学院_202610335767.2
    本发明公开了一种高ZT热电材料的冷压‑热轧协同封装方法，涉及热电材料技术领域，该封装方法包括：将热电材料粉末进行冷压处理，在室温下施加100吨至500吨的压力，形成初始密度不低于理论密度70%的块状前驱体；将所述块状前驱体装入金属钢套内；对...
    2026-04-25
  • 一种用于微型热电制冷器的N型碲化铋基材料及其制备方法
    一种用于微型热电制冷器的N型碲化铋基材料及其制备方法_成都职业技术学院_202610312733.1
    本发明公开了一种用于微型热电制冷器的N型碲化铋基材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。所述材料的通式为Bi2Te3‑xSex+MyZz，其中0.1≤x≤0.5，M为选自Sb、I、Br、Cl的掺杂元素，Z为纳米碳材料或纳米金属氧化物增强相。...
    2026-04-25
  • 一种刚性支撑的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用
    一种刚性支撑的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用_广西大学_202610080460.2
    本发明公开一种刚性支撑的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用，属于可穿戴电子产品技术领域。器件包括柔性基底和多个柔性制冷单元，每个单元由互连电极、热电对及选择性封装层组成。本发明通过热电对嵌入低热导刚性封装材料后整体再嵌入柔性封装材料，形成...
    2026-04-25
  • 一种微结构生物晶体压电柔性电子器件及其制备方法和应用
    一种微结构生物晶体压电柔性电子器件及其制备方法和应用_国科温州研究院(温州生物材料与工程研究所)_202610038093.X
    本发明提供一种微结构生物晶体压电柔性电子器件，制备方法包括：将聚乙烯醇溶液和甘氨酸溶液混合，加入PEDOT：PSS溶液和明胶，搅拌均匀，得到混合溶液；将混合溶液滴加到设置有孔腔结构的模板中，加热一段时间后冷却，得到微结构生物晶体层；将聚氨酯...
    2026-04-25
  • 一种压电复合材料及其制备方法和应用
    一种压电复合材料及其制备方法和应用_艾因蒂克科技(上海)有限公司_202511800944.1
    本发明公开了一种压电复合材料及其制备方法和应用。所述压电复合材料的制备方法包括如下步骤：S1：在压电材料表面沉积金属薄膜层，采用激光刻蚀金属薄膜层，制备金属掩膜图案；S2：采用干法刻蚀工艺将所述金属掩膜图案转移至所述压电材料，得到压电材料骨...
    2026-04-25
  • 一种具有平坦频率响应的纳米纤维声电器件及其制备方法
    一种具有平坦频率响应的纳米纤维声电器件及其制备方法_天津工业大学_202610320765.6
    本发明涉及一种具有平坦频率响应的纳米纤维声电器件及其制备方法，纳米纤维声电器件包括纳米纤维膜、上电极及下电极，纳米纤维膜位于上电极及下电极之间形成三明治结构，形成纳米纤维声电器件。本发明椭圆通孔结构利用其长轴方向的柔顺性，诱导纳米纤维膜在声...
    2026-04-25
  • 一种磁性随机存取存储器
    一种磁性随机存取存储器_杭州电子科技大学_202610039643.X
    本发明公开了一种磁性随机存取存储器，使用稀土元素插入层对STT‑MRAM与SOT‑MRAM存储密度、抗干扰能力、隧穿磁电阻及自旋极化率进行优化改进。本发明提供一种磁性随机存取存储器，包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括MgO材质的隧穿层和铁磁...
    2026-04-25
  • 一种片状新型反常霍尔效应元件及其生产方法
    一种片状新型反常霍尔效应元件及其生产方法_江保国_202512034242.3
    本发明以反常霍尔效应为依据，提供了一种片式新型反常霍尔效应元件及其生产方法，运用超强闭合磁场作为外力诱导磁质材料，运用强大的闭合磁场，诱导磁质材料的原子原子团(包括晶格)在生成磁畴过程中，原子原子团(包括晶格)之间异名磁极相吸引、同名磁极相...
    2026-04-25
  • 一种新体系开关材料、器件及其制备和应用
    一种新体系开关材料、器件及其制备和应用_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511842026.5
    本发明涉及一种新体系开关材料、器件及其制备和应用，所述OTS开关材料的化学通式为(SbxS100‑x)100‑yMy；其中M为As、Si、Te、C、W、N、P、ln中的一种或几种；所述10≤x≤50, 0≤y≤90。本发明其在具有高开关速度...
    2026-04-25
  • 一种空气中合成无铅CsBi3I10钙钛矿薄膜的方法
    一种空气中合成无铅CsBi3I10钙钛矿薄膜的方法_凯里学院_202511971692.9
    本发明公开了一种空气中合成无铅钙钛矿薄膜的方法，在环境空气条件下完成全部制备过程，无需惰性气氛保护；步骤包括将碘化铯与三碘化铋溶于三元混合溶剂中，配置得到碘化铋铯前驱体溶液；将氧化铟锡基板依次在碱性洗涤剂、去离子水及至少两种极性有机溶剂中分...
    2026-04-25
  • 一种基于二维单质铋烯的相变存储材料及器件
    一种基于二维单质铋烯的相变存储材料及器件_西安交通大学_202610067891.5
    本发明公开了一种基于二维单质铋烯的相变存储材料及器件，所述相变存储材料的化学组分为铋单质，熔点为<300℃；所述材料的非晶相为长程无序的原子排布结构，局部结构以缺陷八面体为主，具有四元环与五元环结构，大部分原子的配位数为3，能带结构无带隙；...
    2026-04-25
  • 一种基于钪-碲二元合金的相变存储器件
    一种基于钪-碲二元合金的相变存储器件_西安交通大学_202610068163.6
    本发明公开了一种基于钪‑碲二元合金的相变存储器件，结构自下而上依次为底层电极、相变层、缓冲层、选通层和顶层电极；其中，选通层与相变层均由钪‑碲(Sc‑Te)二元合金构成，选通层材料的化学式为ScxTe100‑x，其中0
    2026-04-25
  • 一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装的人工突触忆阻器件的方法和人工突触忆阻器件
    一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装的人工突触忆阻器件的方法和人工突触忆阻器件_武汉科技大学_202511827481.8
    本发明公布了一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装人工突触忆阻器件的方法及人工突触忆阻器件。包括步骤：(1)在单晶外延衬底上依次外延沉积水溶性牺牲层、下层膜和上层膜，在上层膜表面负载Au/Ti顶电极；(2)通过湿法剥离技术从外延衬底剥离得到无衬底...
    2026-04-25
  • 一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用
    一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用_西北工业大学_202512027281.0
    本发明公开了一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用，属于光电探测与神经形态计算技术领域。本发明公开的基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管从下至上包括依次设置的绝缘衬底、InP纳米片和金属电极；所述InP纳米片...
    2026-04-25
  • 一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件
    一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件_西安交通大学_202610082515.3
    本发明公开了一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件，自下而上依次为衬底、波导介质层；波导介质层包括底面的方形结构和位于底面上方的脊型中心凸起；相变材料层与保护层依次位于中心凸起的上方；相变材料层为锑碲合金，化学式为SbxTe1...
    2026-04-25
  • 一种基于多模感知忆阻器阵列及其制备方法
    一种基于多模感知忆阻器阵列及其制备方法_东北师范大学_202512025843.8
    本发明公开了一种基于多模感知忆阻阵列与制备方法，属于微电子材料器件领域。其结构由传感器阵列和忆阻器阵列两部分组成。传感器阵列包括传感器阵列电极层和传感器阵列压阻层，忆阻器阵列包括忆阻器阵列底电极层、忆阻器阵列阻变层和忆阻器阵列顶电极层；所述...
    2026-04-25
  • 一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片
    一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片_达波科技(上海)有限公司_202610329432.X
    本发明提供了一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片，涉及晶片键合技术领域。低温键合方法包括以下步骤：(1)准备待键合的第一晶圆和第二晶圆；(2)在高真空环境下，进行第一次活化处理；(3)在中真空环境下，进行第二次活化处理；(4)在低真空...
    2026-04-25
  • 一种Cu2O-AlN-ZnSnN2异质结的制备方法
    一种Cu2O-AlN-ZnSnN2异质结的制备方法_深圳大学_202511983001.7
    本发明公开了一种Cu2O‑AlN‑ZnSnN2异质结及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在流动的氧气及氩气气氛中，在400℃环境中，将铜金属靶通过直流磁控溅射法沉积在衬底上，得到Cu2O薄膜。在流动的氮气及氩气气氛中，通过射频磁控溅射铝金...
    2026-04-25
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