Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种电泳涂装线自动加漆系统
    一种电泳涂装线自动加漆系统_昆山市圣吉川工业自动化设备有限公司_202610045987.1
    本申请一种电泳涂装线自动加漆系统，涉及电泳涂装生产技术领域，包括电流采集单元，所述电流采集单元配置为实时采集流经电泳工件的电流信号；电量计算单元，所述电量计算单元与所述电流采集单元通信连接，所述电量计算单元配置为对电流信号进行积分运算。本申...
    2026-05-07
  • 金属皮膜的成膜装置
    金属皮膜的成膜装置_丰田自动车株式会社_202511386740.8
    本发明提供一种金属皮膜的成膜装置，其能够在稳定的镀液的液压下，介由电解质膜按压基材，同时长时间进行金属皮膜的成膜。金属皮膜的控制装置在基于液压计的测定压偏离规定范围的情况下，在持续施加电压的状态下解除基于活塞的加压，并且打开开闭阀，由此通过...
    2026-05-07
  • 用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法
    用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202411418604.8
    本发明公开了一种用于TGV玻璃晶圆的电镀装置、设备和方法，该电镀装置包括：电镀槽、晶圆夹具、分别设于晶圆夹具两侧的独立循环控制系统，独立循环控制系统包括扰流机构、匀流机构、移动装置以及电镀液循环机构；电镀液循环机构的可调节变频泵控制电镀液以...
    2026-05-07
  • 电镀设备
    电镀设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411466281.X
    本申请的实施例提供了一种电镀设备，包括电镀槽、夹持件和升降机构，电镀槽用于容纳电镀液。夹持件设置在电镀槽上方，用于水平夹持基板；升降机构与夹持件相连接，用于带动夹持件升降以升降基板；升降机构包括横梁和两组升降组件，横梁与夹持件相连接，两组升...
    2026-05-07
  • 电镀线台车
    电镀线台车_广东成功自动化设备有限公司_202512045936.7
    本发明公开了一种电镀线台车，包括：支架、顶梁、第一安装架、第二安装架、水平移动装置和升降装置，支架包括两条并竖直对称式设置，顶梁与两条支架顶端固定连接，顶梁上设置有第一驱动电机和联动轴承；第一安装架设置于支架上沿纵向侧，第一安装架上沿纵向设...
    2026-05-07
  • 一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备
    一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备_乳源瑶族自治县力强磁铁制品有限公司_202610345885.1
    本发明属于智能热处理生产线技术领域，公开了一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备，包括换池臂组件，所述换池臂组件上设置有对表面处理液进行环动搅动和横向导流的导流辊组件，本发明处理液处于动态流动，进而形成对烧结钕铁硼磁铁的动态浸没，本发...
    2026-05-07
  • 一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统
    一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统_陕西迪博电子器件有限责任公司_202610369410.6
    本发明公开了一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统，涉及电镀技术领域。包括：响应于对目标连接器类型的第一连接器执行镀金操作，获取第一连接器的镀金区域中多个检测点的镀层厚度值、镀金区域的内凹区域以及镀金区域的第一电镀不均度；基于第一连接器的镀...
    2026-05-07
  • 一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法
    一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法_福建青拓特钢技术研究有限公司_202610379242.9
    本发明公开了一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法，包括以下步骤：1)电解去除氧化物：以待测不锈钢样品为阳极，MMO钛基铂涂层电极为阴极，在硫酸‑双氧水混合电解液中进行电解，电流密度5~25 A/dm²，温度15~30℃，时间30~12...
    2026-05-07
  • 一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法
    一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202512050431.X
    本发明提供了一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法，其中：所述装置的加热系统为双温区两段式发热体，通过上段发热体、与下段发热体配合控制炉膛内温度梯度，实现钛宝石晶体生长与原位恒温退火。晶体生长时将Al2O3、Ti2O3原料装入...
    2026-05-07
  • 一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法
    一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法_中国航发北京航空材料研究院_202610004953.8
    本发明涉及一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法，属于单晶生长设备技术领域，解决了现有技术中顶部密封保温装置强度较低，尤其是用于大尺寸单晶炉时，在高温和自身重力下易发生形变、断裂或塌陷，可靠性低、整体寿命短以及石墨软毡易被粉化的...
    2026-05-07
  • 一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统
    一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统_北京航星机器制造有限公司_202610028753.6
    本发明公开了一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统，属于晶体制备技术领域，用于解决大尺寸闪烁晶体制备效率低或废品率高的问题之一。本发明的闪烁晶体生长的监测控制方法，包括启动系统开始晶体生长、启动监测单元对晶体生长过程进行监测、判断晶体生长状态...
    2026-05-07
  • 一种维持负载位置不变的装置及方法
    一种维持负载位置不变的装置及方法_无锡晶澳卫蓝新能源科技有限公司_202512027320.7
    本发明公开了一种维持负载位置不变的装置及方法，包括下伸缩单元、箱体、绳索、侧边转向单元、中心转接机构、上伸缩单元和固定夹，所述箱体底端的中部安装有用于夹紧绳索的固定夹，所述箱体底端安装有多个下伸缩单元，多个所述下伸缩单元呈阵列分布，所述箱体...
    2026-05-07
  • 一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统
    一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统_乐山新天源太阳能科技有限公司_202610195331.8
    本发明公开了一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统，具体涉及晶体生长调控技术领域，该系统包括氧碳与生长状态信号采集模块、晶体生长阶段判别模块、氧碳检测信号校准模块、晶体生长环境调节方案生成模块以及生长环境调控执行模块，所述晶体生长阶段判...
    2026-05-07
  • 一种超声辅助制备单晶合金的方法
    一种超声辅助制备单晶合金的方法_西北工业大学_202610376902.8
    本发明属于单晶合金制备技术领域，具体涉及一种超声辅助制备单晶合金的方法。本发明通过在定向凝固过程中引入超声诱导的声场和流场，有效调控了凝固界面附近的溶质边界层厚度，成功实现了高温合金在柱晶条件下从胞晶到稳态枝晶的可控转变，并显著细化了枝晶一...
    2026-05-07
  • 一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用
    一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202610013619.9
    本申请提供一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用，该钨纤维毡通过纯钨纤维或钨合金纤维编织形成，可以通过改变钨纤维毡的厚度、密度或层数，灵活、精细地调节局部隔热效果，从而实现对整个生长温场梯度的优化。该钨纤维毡具有重量轻、功耗低、热稳...
    2026-05-07
  • 一种碳化硅晶体生长方法及装置
    一种碳化硅晶体生长方法及装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234260.8
    本申请公开了一种碳化硅晶体生长方法及装置，涉及半导体技术领域，包括：将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，对长晶炉内抽真空；向坩埚内充入掺杂气体，加热碳化硅原料，以在籽晶上生长碳化硅晶体；碳化硅晶体包括交替层叠的第一碳化硅层和第二碳...
    2026-05-07
  • 一种外延设备
    一种外延设备_南京晶升装备股份有限公司_202511928700.1
    本发明公开了一种外延设备，包括石英进气方管、感应线圈、上半月加热座、下半月加热座、上游保温盖、下游保温盖，上半月加热座和下半月加热座对称设置，上游保温盖和下游保温盖设置于上半月加热座和下半月加热座的两端，上半月加热座和下半月加热座均为包括弧...
    2026-05-07
  • 一种反应腔室的进气结构
    一种反应腔室的进气结构_南京晶升装备股份有限公司_202511928701.6
    本发明公开了一种反应腔室的进气结构，包括若干进气管、若干分隔层、若干出气管，若干所述进气管用于向不同的分隔层通入反应气体或保护气体，每个分隔层均设置若干出气管，若干分隔层上下依次叠放，位于上层的分隔层的出气管穿过位于下层的分隔层与反应腔室连...
    2026-05-07
  • 材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统
    材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统_北京智创芯源科技有限公司_202610102564.9
    本申请涉及半导体生长领域，公开了材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统，方法包括获取目标材料的预设生长温度曲线；在至少一个目标生长时间节点，利用电子束照射生长在衬底上的目标材料，以在目标材料中形成缺陷的起点；当目标材料生长结束，...
    2026-05-07
  • 基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法
    基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法_中山大学_202610104020.6
    本发明属于氮化物晶体外延生长技术领域，具体涉及基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法。通过制备得到X射线衍射峰强度最高峰对应(002)晶面的六方氮化硼准单晶衬底，采用金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、物理气相传输或磁...
    2026-05-07
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证