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  • 本发明提出了一种基于节点协商的SoC复位电路生成方法,包括以下步骤:步骤1,定义复位节点连接信息和复位协商规则;步骤2,获取包含复位节点连接信息的原始代码信息;步骤3,根据复位协商规则生成复位树的连接结构;步骤4,根据所述复位节点连接结构,...
  • 本发明实施例公开了一种电池包串并联识别与配置方法、系统、设备及介质。该方法包括:获取待配置电池包的信息,基于待配置电池包的信息生成电池包排布操作界面;获取用户在电池包排布操作界面中放置的待配置电池包的位置;根据每个待配置电池包的摆放位置,确...
  • 本发明涉及自动绘图领域,具体涉及一种电气二次原理图和端子排图自动绘制方法,该方法包括步骤有:构建标准化规则表与端子排数据库,整合行业设计规范、典型回路接线逻辑及全种类端子排属性信息,形成统一数据支撑体系;接收用户输入的设备清单、回路编号、端...
  • 本发明涉及半导体集成电路技术领域,公开了一种专用集成电路低功耗设计方法。该方法包括:在前端设置模拟域线性运算单元直接处理传感器模拟信号;经高精度模数转换后,由稀疏性检测与结构化编码模块生成稀疏张量;后端稀疏计算引擎仅对非零元素执行运算;并由...
  • 本发明公开了基于VerilogHDL的多路2711数字逻辑仿真架构系统,包括需求模块、测试用例TESTCASE模块以及2711模型2711_MOD模块;本发明建立了基于VerilogHDL的多路2711数字逻辑仿真架构,解决了现有2711仿...
  • 本发明公开了数字电路设计方法、装置、设备及介质,涉及数字电路技术领域,包括:确定待设计数字电路的目标类型,采集与目标类型对应的第一训练集;第一训练集中每个训练样本包括用于设计目标类型的历史数字电路的输入特征项和历史数字电路的实际结果质量,输...
  • 本发明公开一种基于元强化学习与多模态电路表示的芯片逻辑综合方法,包括:构建电路基础数据集、算子序列数据集、预训练数据集及强化学习‑逻辑综合交互环境,采用模型无关元学习构建外循环通用参数学习与内循环新电路适配的双层机制,训练通用参数,搭建协作...
  • 本发明公开了一种基于VerilogHDL的UART数字逻辑仿真架构系统,包括需求模块、测试用例TESTCASE模块、指令模型CMD_MOD模块以及异步串口模型UART_MOD模块;本发明建立了基于VerilogHDL的UART数字逻辑仿真架...
  • 本发明涉及SoC测试技术领域,特别是涉及一种基于多FPGA芯片级联的大型SoC测试方法和装置。该方法包括:评估SoC上每个模块的资源占用率;根据每个模块的资源占用率,将各个模块分别映射至多个FPGA芯片上;将相邻的两个FPGA芯片依次串联连...
  • 本公开涉及集成电路设计技术领域,具体涉及一种基于多协议桥接的集成验证系统与方法。通过配置控制与桥接转换模块,将第一通信接口的指令动态转换为底层目标协议时序,从而构建了统一的寄存器访问入口。这种设计有效避免了传统验证中需要为每种外设协议分别编...
  • 本发明实施例涉及集成电路与芯片设计技术领域,提供一种面向SOC芯片模拟验证加速方法,该方法包括:获取SOC芯片的模拟验证请求;响应于所述模拟验证请求,将所述SOC芯片的处理器核与所述SOC芯片的外设设备通过预设的电路配置接口进行连接,其中,...
  • 本发明公开了一种大面阵红外图像传感器数字电路设计的验证方法,包括:对待验证的数字电路设计特征进行分析,得到分析结果;对数字电路设计中的各模块进行分类,得到若干待建模模块;根据分析结果,对待建模模块的输入输出以及功能进行建模,形成若干通用验证...
  • 一种芯片验证系统、方法及相关设备,在所述芯片验证系统中,多个第一被测设计的验证环境集成为所述第一验证环境,与所述多个第一被测设计分别设置对应的验证环境的方式相比,能够减少验证环境的数量,从而有利于降低验证环境之间的集成难度,且有利于降低管理...
  • 本申请提供一种处理器验证平台、方法、电子设备及存储介质。处理器验证平台,用于部署于电子设备上,所述处理器验证平台包括:虚拟硬件环境模块,包括模型库,所述模型库包括多个软件模型;测试控制系统模块,用于接收环境配置指令和配置文件;所述测试控制系...
  • 本申请涉及芯片技术领域,提供了一种芯片驱动参数配置方法以及芯片驱动参数配置装置,可以基于待驱动外部设备的工作状态信息,从预设的关联关系中确定目标芯片驱动待驱动外部设备的初始时序参数以及初始电气参数,而后根据待驱动外部设备与目标芯片之间的物理...
  • 本公开涉及人工智能芯片以及用于人工智能芯片的测试访问方法。基于本申请,人工智能芯片的片内功能模块可以具有控制逻辑比JTAG逻辑简化的同步转换电路,该同步转换电路的转换控制器可以基于由外部主机维护的控制状态,控制外部主机通过JTAG接口写入的...
  • 本发明的一种功率SiC D‑MOSFET半导体器件温度特性建模方法,属于功率电子器件建模领域,该方法基于BSIM3HV并联反向PNJDiode的器件模型,用于功率半导体器件在宽温域特性的仿真模拟,包括步骤:(1)通过实际测量或规格手册提取所...
  • 本发明公开了一种基于深度时空特征提取与注意力加权的双馈风机参数辨识方法,包括数据采集与高相关性特征集构建,构建CNN‑LSTM‑Attention混合神经网络辨识模型,辨识模型训练与参数优化以及双馈风机控制器参数辨识;解决目前在暂态工况下双...
  • 本发明公开了一种极低温下互补金属氧化物半导体管模型的建立方法及系统,至少在两个极低温点获取CMOS管电学特性曲线,或者对模型已知的CMOS管进行曲线拟合;基于获取的至少两个低温点的CMOS管电学特性曲线,预测目标温度T_target下CMO...
  • 本发明提供了一种用于LC滤波器插入损耗计算的自动化系统及方法,涉及电子电路设计与信号处理技术领域,系统包括:参数输入模块用于配置滤波器阶数、首阶元件类型及源、负载复阻抗;元件库管理模块用于获取元件在多频点下的复阻抗数据;滤波器电路库模块用于...
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