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最新专利技术
  • 半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法
    半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法_捷进科技有限公司_202410800485.6
    提供一种能够提高涂敷均匀性的半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法。半导体制造装置具有：涂敷装置， 其具有保存膏体的注射器、设于上述注射器的前端的喷嘴支承件、设于上述喷嘴支承件的喷嘴、和对上述喷嘴支承件进行加热的加热部， 在涂敷对象...
    2025-11-24
  • 用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物
    用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物_半导体元件工业有限责任公司_202410698075.5
    本发明涉及用于引线接合系统的砧座和夹持装置、以及夹具指状物。用于引线接合系统的砧座能够包括：固定衬底， 该固定衬底具有顶部工作表面；以及第一层， 该第一层固定地联接到固定衬底的顶部工作表面以用于接纳工件， 该第一层被构造成在接合操作期间容纳...
    2025-11-24
  • 高密度端子模块的制法及高密度端子模块
    高密度端子模块的制法及高密度端子模块_创新服务股份有限公司_202410497182.1
    一种高密度端子模块的制法， 包含：使一暂态基板经由一层第一可解黏胶黏附一承载基板， 该承载基板具有多个承载区， 其中， 各该承载区均具有多个开孔、一真空吸嘴作用区及一端子黏附区；使该些承载区的所述端子黏附区经由一层第二可解黏胶黏附多组柱状导...
    2025-11-24
  • 内埋基板的制造方法及中间结构
    内埋基板的制造方法及中间结构_中国科学院微电子研究所_202410495203.6
    本申请公开一种内埋基板的制造方法及中间结构， 涉及半导体制造技术领域。上述内埋基板的制造方法中， 在第二树脂层背离芯板的一侧表面开孔过程中， 有第二支撑板仍然与芯板固定在一起， 开孔过程中有第二支撑板的支撑作用， 开孔过程中芯板不会发生翘曲...
    2025-11-24
  • 一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构
    一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构_中国科学院微电子研究所_202410494401.0
    本申请公开一种内埋元件基板的制造方法及临时键合结构， 涉及半导体制造技术领域。上述内埋元件基板的制造方法中， 在贴元件、埋入第一树脂层和第二树脂层等步骤中， 均有第一支撑板和/或第二支撑板对基板进行支撑， 第一支撑板和/或第二支撑板的支撑作...
    2025-11-24
  • 多芯片倒装芯片球栅阵列封装方法及封装结构
    多芯片倒装芯片球栅阵列封装方法及封装结构_格创通信(浙江)有限公司_202511333865.4
    本公开提供一种多芯片倒装芯片球栅阵列封装方法及封装结构， 用于解决大尺寸多芯片模块MCM倒装芯片球栅阵列FCBGA封装中出现的多芯片共面度差及芯片边缘易损伤的技术问题。本公开为MCM结构中基板上的多个芯片增加由胶体或塑封材料固化成型的加强结...
    2025-11-24
  • 基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品
    基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品_东京毅力科创株式会社_202510424991.4
    本发明提供能够容易地向基片间的间隙填充药液的基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品。基片处理方法包括：在第一基片(W1)与第二基片(W2)贴合而成的层叠基片(W3)的周缘部(W3a)， 向第一基片(W1)与第二基片(W2)的间隙(G)供...
    2025-11-24
  • 半导体器件以及用于形成半导体器件的方法
    半导体器件以及用于形成半导体器件的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202410484334.4
    本申请提供一种半导体器件以及一种用于形成所述半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体封装件， 所述半导体封装件包括形成在所述半导体封装件的表面上的多个接触焊盘；提供具有多个开口的模板；将所述模板设置在所述半导体封装件的表面上， 其中所述多...
    2025-11-24
  • 基于温度检测的芯片底部填充优化方法
    基于温度检测的芯片底部填充优化方法_北京七星华创微电子有限责任公司_202511333198.X
    本发明涉及电子元件封装技术领域， 具体涉及基于温度检测的芯片底部填充优化方法。该方法实时采集基板底部的表面温度分布图， 进而将其与导热率分布图融合， 得到的热源‑散热通道强度图。根据热源点和散热点之间的热量传递关系确定材料流动失衡度， 结合...
    2025-11-24
  • 芯片封装方法及芯片
    芯片封装方法及芯片_长沙瑶华半导体科技有限公司_202510926478.5
    本申请实施例提供一种芯片封装方法及芯片， 其中， 芯片封装方法包括：将封盖的连接腿插入基板的槽孔内；将封盖与基板接触的部分用密封胶进行密封；在基板裸露的表面和封盖连接腿的外表面形成第一金属镀层， 第一金属镀层将封盖与基板围成的内部空间形成封...
    2025-11-24
  • 半导体器件和制造具有双面桥接管芯的ETS或芯粒的方法
    半导体器件和制造具有双面桥接管芯的ETS或芯粒的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510416009.9
    一种半导体器件具有双面桥接管芯。桥接管芯具有在桥接管芯的第一表面上的第一接触焊盘和在与第一表面相对的桥接管芯的第二表面上的第二接触焊盘。桥接管芯设置在载体上方。在载体上形成第一导电层。在第一导电层和桥接管芯上方形成第一绝缘层。穿过第一绝缘层...
    2025-11-24
  • 一种QFN封装结构及封装方法
    一种QFN封装结构及封装方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511344542.5
    本发明公开了一种QFN封装结构及封装方法， 该封装方法包括以下步骤：提供引线框架， 其引脚包括平面部和侧壁部， 引脚侧壁部朝向基岛表面方向设置；芯片设置在引线框架正面的基岛表面；封部塑封引线框架正面和芯片， 且塑封部包覆引脚侧壁部；塑封后，...
    2025-11-24
  • 可浸润侧翼封装基板结构及其制作方法、设备和介质
    可浸润侧翼封装基板结构及其制作方法、设备和介质_珠海越芯半导体有限公司_202510842089.4
    本发明公开了一种可浸润侧翼封装基板结构及其制作方法、设备和介质， 涉及封装基板技术领域。该方法包括：准备承载板；在承载板的表面制作第一铜柱；在承载板的表面压合第一介质材料， 形成第一介质层；在第一铜柱的表面制作第二铜柱；在第一介质层的表面压...
    2025-11-24
  • 半导体封装体及其相关制造方法
    半导体封装体及其相关制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510519748.0
    一种方法， 其包括以下步骤：提供包括多个第一引线框架的第一引线框架面板， 所述第一引线框架包括镀覆有第一镀覆材料的多个第一裸片焊盘。所述方法还包括以下步骤：提供第二引线框架面板， 其与所述第一引线框架面板分离并且包括多个第二引线框架， 所述...
    2025-11-24
  • 制造具有电磁屏蔽的电子芯片的方法
    制造具有电磁屏蔽的电子芯片的方法_意法半导体国际公司_202510512920.X
    提供了一种用于制造具有电磁屏蔽的电子芯片的方法。示例方法包括：i)提供芯片， 该芯片包括：绝缘基板， 该基板被互连结构覆盖， 该互连结构包括绝缘层， 该绝缘层中形成有导电轨道， 该导电轨道露出到互连结构的上表面上和到互连结构的侧面中的一个侧...
    2025-11-24
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_ASMIP私人控股有限公司_202510473717.6
    一种在衬底上形成膜的方法， 包括将衬底提供给反应室并通过重复循环在衬底上形成膜， 所述循环包括：供应包含乙酰氧基的第一硅源和供应氢源， 同时从功率源向反应室施加功率， 其中氢源与第一硅源的乙酰氧基反应以形成对乙酰氧基具有反应性的吸附位点， ...
    2025-11-24
  • 半导体结构的刻蚀方法和半导体结构
    半导体结构的刻蚀方法和半导体结构_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510954567.0
    本发明涉及半导体器件技术领域， 具体而言， 涉及一种半导体结构的刻蚀方法和半导体结构。一种半导体结构的刻蚀方法， 包括：提供基底， 在所述基底上形成介质层、硬掩膜层和图形化的光刻结构；以图形化的光刻结构为掩膜， 对硬掩膜层进行刻蚀， 形成具...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410470314.1
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备， 制作方法包括：形成初始沟槽， 初始沟槽的至少部分区域设置在第一介质层中；沉积第二介质层覆盖初始沟槽的上部的侧壁， 暴露出初始沟槽的中下部的第一介质层；刻蚀去除第二介质层以及初始沟槽的中下部的...
    2025-11-24
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410469410.4
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备， 半导体器件的制造方法包括：提供基底， 在基底上依次形成第一绝缘层、第一硬掩膜层；刻蚀第一硬掩膜层， 形成沿第一方向分布的多个条状结构；对条状结构进行刻蚀， 形成沿第二方向和第三方向阵列分布的...
    2025-11-24
  • 一种深沟槽填充方法
    一种深沟槽填充方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410495378.7
    本申请提供一种深沟槽填充方法， 包括：提供衬底， 所述衬底包括介质层以及位于所述介质层中的深沟槽， 所述介质层的材料包括氧化硅；采用原子层沉积工艺在所述深沟槽的侧壁和底部形成氮化硅层；以及采用沉积工艺在所述深沟槽内完全填充硅层。本申请提供的...
    2025-11-24
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