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  • 本发明涉及集成电路制造领域, 特别是涉及一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质, 通过接收待处理芯片图案;确定所述待处理芯片图案的角点;根据预设的圆角化参数, 对所述角点进行圆角化处理, 在所述待处理芯片图案的内部生成圆角变换图案;对包括...
  • 本发明涉及计算光刻技术领域, 特别是涉及一种曲线OPC验证方法、装置、设备及存储介质, 通过接收目标曲线图形及待查模拟曲线图形;确定所述目标曲线图形上的目标曲线段;确定所述目标曲线段上的采样点, 并获取各个所述采样点沿对应的切线的法线方向到...
  • 本发明公开了一种光刻机物镜的焦点寻找方法、装置、设备及介质。该方法包括:控制晶圆在光刻机物镜的光轴方向上进行位移, 并在每次位移后记录晶圆位移量并对所述晶圆进行曝光;统计所述晶圆上因曝光而形成的互相存在一定间隔的各曝光图案的线宽测量值和晶圆...
  • 本公开的实施例提供了用于光源掩模优化的方法、设备、存储介质及程序产品。该方法包括接收一组掩模图形。该方法还包括获取多个光源图形, 以分别作为多个初始光源图形, 其中该多个光源图形基于该组掩模图形生成。该方法还包括针对多个光源图形中的每个光源...
  • 本发明公开了一种图形偏移的监测结构, 包括监测主体单元。监测主体单元包括:平行排列的第一至第三图形, 第一图形位于第二图形的第一侧, 第三图形位于第二图形的第二侧。第二图形连接到第一测试垫。第一图形连接到第二测试垫。第三图形连接到第三测试垫...
  • 本发明公开了一种改善产品套刻精度的系统, 包括:APC系统, 和光刻机相连, 用于接收光刻机的信息并控制光刻机的光刻工艺。APC系统还和至少前一层工艺的前层机台相连并接收前层机台的信息。APC系统还对光刻机信息和前层机台信息进行整合并形成多...
  • 本发明提供了一种套刻对准光学量测系统和套刻对准检测设备, 属于半导体套刻对准量检测技术, 套刻对准光学量测系统包括照明模块、图像采集模块、自动对焦模块、耦合光路模块和预对准模块;套刻对准检测设备包括机台、移动载台、测量架、Z轴驱动模块和光机...
  • 本发明提供一种检测设计版图中掩膜冲突的方法, 涉及计算机光刻技术领域, 包括:步骤S1:加载待检测电路设计的完整版图数据, 版图数据包含版图中所有通孔的位置信息及各通孔之间的间距信息;步骤S2:将完整版图划分为多个检测区域;步骤S3:针对每...
  • 本申请提供了一种用于光学系统垂向像质检测的测试模版、检测方法及光刻机, 属于光刻机技术领域。其中的测试模版中设有若干个菱形测试图案, 且若干个菱形测试图案中的至少部分菱形测试图案被设计成具有不同的线宽和不同的延伸方向, 这样可根据光刻机分辨...
  • 本申请涉及玻璃加工制造技术领域, 尤其涉及一种光刻AG玻璃自动生产系统, 包括依次连接的上料清洗单元、冷却涂胶单元、固化干燥单元、第一转运机械手、冷却单元、曝光显影单元以及下料单元;上料清洗单元包括上料传送机、冲洗装置以及干燥冷却装置, 冲...
  • 一种紧凑型传感器设备, 具有照射束、束成形系统、偏振调制系统、束投射系统和信号检测系统。所述束成形系统被配置成对从照射系统产生的照射束进行成形且产生所述照射束的在从400nm至2000nm的波长范围内的平顶束斑。所述偏振调制系统被配置成提供...
  • 本申请提供一种加速DMD数字光刻成像仿真的方法、装置、设备及介质, 涉及数字光刻技术领域。方法包括:基于数字微镜设计文件得到第一微镜阵列图, 所述数字微镜设计文件中包括需要仿真的图案;将所述第一微镜阵列图中的每个微镜周期占用的像素数量由第一...
  • 本发明涉及微纳制造技术领域, 具体为一种基于生成对抗网络的激光直写邻近效应修正方法。该方法包括:首先基于生成对抗网络构建激光直写反演光刻模型, 改进生成器结构;接着通过基于边缘的激光直写光学邻近效应修正方法准备数据集, 每对目标版图和优化版...
  • 本发明公开了一种基于卷积预测模型的电子束沉积能量预测方法及系统, 方法包括:S1、通过蒙特卡洛仿真采集多种尺寸束斑的二维平面沉积能量数据, 进行异常数据识别, 以及异常数据替换, 得到最终的二维平面沉积能量数据;S2、获取每个束斑对应的二值...
  • 本申请提供了一种曲面结构及其制备方法, 属于光刻加工技术领域。该方法包括:提供一衬底, 在衬底表面形成介质层;在介质层表面旋涂光刻胶, 并通过曝光显影形成光刻胶阵列, 该光刻胶阵列的宽度与周期按照预设函数进行设计与匹配;对光刻胶阵列进行加热...
  • 本申请涉及一种金属加工用感光干膜及其制备方法, 涉及感光干膜技术领域, 其依次包括:透光保护层, 所述透光保护层厚度为5‑15μm, 透光率≥90%;抗反射层, 所述抗反射层包含纳米碳黑或金属氧化物颗粒, 厚度0.1‑1μm;光敏树脂层, ...
  • 本发明提供一种负型感光性树脂组合物、硬化膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜, 其曝光前的抗蚀剂膜具有碱溶解性, 制膜性优异并且曝光后的抗蚀剂硬化物的耐化学品性优异。一种负型感光性树脂组合物, 含有下述的成分(A)~成分(F)。(A)衍...
  • 本发明实施例提供一种光刻胶组合物及用它形成薄膜图案和阵列基板的方法, 其中, 光刻胶组合物包括:纳米粒子, 所述纳米粒子包括金属氧化物内核和与所述金属氧化物内核配位的修饰基团, 其分子通式为M6O4(OH)4XnY12‑n, M为金属元素,...
  • 本发明公开了属于双光子光刻胶组合物技术领域, 具体公开了一种基于飞秒激光直写和紫外光辅助固化制备窄粒径分布微球的双光子光刻胶组合物及微球制备方法, 所述光刻胶组合物包括以下重量份的组分:光固化树脂0‑50份、活性单体50‑100份、双光子光...
  • 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法, 所述抗蚀剂组合物包括聚合物和由式2表示的添加剂, 所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元并且不包括交联基团, 其中式1和2中的L11至L13、a11至a13、R11、X11、A21、L21、a21和...
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