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最新专利技术
  • 半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410551791.0
    本申请公开了一种半导体结构的刻蚀方法，涉及半导体领域。一种半导体结构的刻蚀方法，所述半导体结构包括钨层以及依次层叠在所述钨层上的碳材料层和硅化物层，所述碳材料层以及硅化物层具有相同的图形形貌，所述刻蚀方法包括：第一刻蚀步骤，采用等离子体刻蚀...
    2025-12-04
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511107937.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层和位于第一介质层内的初始导电层，所述第一介质层暴露出所述初始导电层表面，所述初始导电层表面具有初始氧化层；对所述初始氧化层进行第一还原处理，形成氧化层；对所述氧化层进行第二还原...
    2025-12-04
  • 铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备
    铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511045370.1
    本发明提供一种铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备，先进制程控制方法包括：获取铜在有氧气氛中反应生成氧化铜的氧化厚度，建立氧化铜的氧化厚度与氧化时间的关系曲线；在第一温度和第一流量的还原气体下，获取氧化铜与还原气体反应后被还原的氧化...
    2025-12-04
  • 衬垫氧化层的去除方法
    衬垫氧化层的去除方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066208.8
    本发明公开了一种衬垫氧化层的去除方法，包括步骤：提供形成有浅沟槽隔离的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成衬垫氧化层并完成阱注入工艺。进行去除衬垫氧化层的刻蚀工艺，包括：进行第一次化学气体干法刻蚀工艺以去除衬垫氧化层的部分厚度。进行第二次D...
    2025-12-04
  • 硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法
    硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法_沈阳仪表科学研究院有限公司_202511331451.8
    本申请涉及硅直接键合芯片工艺技术领域，尤其涉及一种硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法，所述方法先设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围；再采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段...
    2025-12-04
  • 一种氮化镓基材料的刻蚀方法
    一种氮化镓基材料的刻蚀方法_南昌大学_202510803511.5
    本发明公开了一种氮化镓基材料的刻蚀方法，涉及半导体材料加工技术领域，通过采用高温气相化学刻蚀方法对氮化镓基材料进行刻蚀，实现低损伤刻蚀的效果，获得满足氮化镓基材料器件高性能要求的刻蚀界面。刻蚀方法包括以下步骤：准备氮化镓基材料外延片，在氮化...
    2025-12-04
  • 基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法
    基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法_南通友拓新能源科技有限公司_202511066931.6
    本发明涉及硅片表面高均匀性制绒的技术领域，公开了基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法，包括硅片预清洗处理、臭氧氧化处理、制绒碱液预制‌、动态腐蚀、绒面形成机理、氢离子注入与键合、退火气泡剥离、混酸刻蚀优化和提拉脱水和烘干；通过以上检...
    2025-12-04
  • 激光切割方法及切割结构
    激光切割方法及切割结构_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410555600.8
    本发明提供一种激光切割方法及切割结构，激光切割方法包括：提供待切割基底，待切割基底定义有切割道区域，切割道区域具有相对的第一侧区和第二侧区；通过激光处理在切割道区域的第一侧区和第二侧区分别形成第一槽部和第二槽部，第一槽部和第二槽部之间至少有...
    2025-12-04
  • 半导体器件的制造方法及制造系统
    半导体器件的制造方法及制造系统_浙江芯微泰克半导体有限公司_202511444971.X
    本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及制造系统。制造系统包括激光发射装置、光采集装置以及控制器。激光发射装置用于采用目标激光束在衬底上的金属层上形成扫描光斑，以刻蚀金属层。光采集装置用于按照预设采集频率，采集扫描光斑处的金属层被等离子化...
    2025-12-04
  • 氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件
    氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件_中国科学技术大学_202511450362.5
    本发明涉及半导体制作技术领域中的氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件。所述方法属于一种减少氧化镓表面缺陷密度的方法，其通过采用氩离子、或氮离子、或氦离子处理氧化镓表面，达到重构氧化镓表面的效果，接着进行低温氧气氛围退火(氧气流...
    2025-12-04
  • 电路的修补及检测方法
    电路的修补及检测方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063907.7
    本申请公开了一种电路的修补及检测方法，包括：提供一电路；电路包括上层区域和目标区域；暴露目标区域；对目标区域的待修补区域进行电路修补；对目标区域进行隔离露出至少两个待检测区域；在待检测区域上形成待测点；去除目标区域中的金属杂质；使用纳米探针...
    2025-12-04
  • 面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法
    面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法_西安电子科技大学_202511043527.7
    本发明公开了一种面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法，包括：在氮化镓晶圆的第二表面划分第一阵列化区域；在处理后的氮化镓晶圆的第二表面淀积中间材料形成第一膜层；在第二载片的第一表面划分第二阵列化区域，在第二阵列化区域制备金刚石形成...
    2025-12-04
  • 纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法
    纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510904104.3
    本申请公开了纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成抗蚀剂层；以及使抗蚀剂层与掩模接触。该掩模包括：器件区，包括在第一水平处的器件图案；重叠区，围绕器件区并且具有在第二水平处的光吸收材料；以及外...
    2025-12-04
  • 存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具
    存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具_北京超弦存储器研究院_202410551790.6
    本申请提供了一种存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具。该存储器的制造方法包括：在衬底上依次形成堆叠层、第一停止层、掩模层、第二停止层和包含n个分区结构的光刻胶结构；在第i刻蚀区域的第二停止层，刻蚀出与第i分区结构的第一通孔对齐的第二通孔...
    2025-12-04
  • 一种晶圆清洗及干燥方法
    一种晶圆清洗及干燥方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511211933.X
    本发明提供了一种晶圆清洗及干燥方法，将待清洗晶圆放入清洗设备的腔室内，设置有喷头的摆臂置于所述待清洗晶圆上方；所述喷头上设置有三个喷嘴，依次为两端的第一喷嘴、第三喷嘴以及中间的第二喷嘴；所述第一喷嘴喷洒异丙醇溶液与氮气的混合流体，所述第二喷...
    2025-12-04
  • 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件
    一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202511144106.3
    本申请公开了一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法，所述半导体器件包括半导体层以及位于半导体层第一表面的第一导电通道和第二导电通道，在半导体层的第二表面形成牺牲金属层，所述牺牲金属层的金属活动性...
    2025-12-04
  • 先进制程节点下晶背研磨清洗的方法
    先进制程节点下晶背研磨清洗的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066169.1
    本申请提供一种先进制程节点下晶背研磨清洗的方法，包括：步骤一，对晶背进行抛光处理，改善晶背表面平整度；步骤二，对晶背进行清洗处理，去除晶背表面颗粒缺陷。除去晶背表面颗粒的同时使晶背表面达到一定平整度，避免后续对晶圆进行光刻处理时Focus ...
    2025-12-04
  • 半导体芯片清洗的方法
    半导体芯片清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548821.2
    本发明提供一种使用不超过40度制程水，能温和而有效地去除污垢，同时减少热应力对芯片的损害和化学反应的风险，并有效降低能源消耗及成本的半导体芯片清洗的方法，包括：步骤一：放置待喷洗物，所述待喷洗物至少包括有一基板及多个间隔排列设置的芯片；以及...
    2025-12-04
  • 半导体芯片倾斜清洗的方法
    半导体芯片倾斜清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548805.3
    本发明提供一种半导体芯片倾斜清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：治具朝向输送带输送方向的一侧往下倾斜；步骤二：至少两喷头分别对准清洁区域内芯片的间隙；步骤三：喷头沿着芯片的排列方向，对间隙进行清洗；步骤四：清洗完后，若无邻近清洁区域，则结束...
    2025-12-04
  • 半导体芯片指向式清洗的方法
    半导体芯片指向式清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548798.7
    本发明提供一种能够深入芯片间的每个间隙进行彻底清洁，从而提高清洁效果与效率，同时缩短清洁时间的半导体芯片指向式清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：设定至少两喷头分别对准于清洁区域内芯片的间隙；步骤二：前述喷头沿着前述芯片的排列方向，同步移动...
    2025-12-04
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