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最新专利技术
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510603367.0
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括衬底，所述衬底包含界定在所述衬底的上侧中的空腔。电子组件可安置在所述衬底上方，且盖可安置在所述衬底上方且包含所述空腔中的盖终止部。所述盖的基座可定位在所述电子组件上方。所述盖可...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510610764.0
    一种图像传感器包括：基底，具有第一表面和第二表面；深元件隔离图案，在基底中以限定多个像素区域；浅元件隔离图案，与第一表面相邻以限定在所述多个像素区域中间隔开的第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域；浮置扩散区，在第一有源区域中；控制源极/...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510333732.0
    一种图像传感器，包括：衬底，具有像素区域；以及深隔离图案，设置在衬底内的像素区域之间，其中，深隔离图案包括：衬垫膜，覆盖衬底中的沟槽的侧壁；第一图案，设置在衬垫膜的内侧壁上，并且具有小于衬垫膜的高度的高度；隔离膜，在第一图案的内侧壁上；以及...
    2025-11-23
  • 影像传感器及其形成方法
    影像传感器及其形成方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410643018.7
    本发明公开一种影像传感器及其形成方法。影像传感器包括多个像素单元，各像素单元包括基底、栅格结构、色彩转化层、微透镜层以及光衰减层。基底包括由像素隔离结构所界定的主光电转换区以及次光电转换区。栅格结构设置在基底上且与像素隔离结构重叠。色彩转化...
    2025-11-23
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202410585981.4
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器包括多个像素区域，方法包括：在多个像素区域形成钙钛矿型材料的第一光活性层，利用第一材料结合位于第二像素区域的第一光活性层，形成第二光活性层，第一材料包括第一卤族元素，利用第一卤族元素调整第一光...
    2025-11-23
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511460802.5
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，衬底的第一表面上形成有若干间隔排布的功能结构；在衬底的第一表面及功能结构上形成介质层，介质层的顶面具有间隔排布的凸起部和凹陷部；在凹陷部内形成无定形硅层，无定形硅层顺形覆盖凹陷部的内壁；将...
    2025-11-23
  • 一种新型片上高功率微波单元及其工作方法
    一种新型片上高功率微波单元及其工作方法_山东大学_202511475585.7
    本公开提供了一种新型片上高功率微波单元及其工作方法，涉及高功率微波技术技术领域，包括半绝缘宽禁带半导体晶片，在半绝缘宽禁带半导体晶片表面集成储能电容、光电导开关和平面辐射天线；储能电容包括高压端极板、接地端极板以及绝缘介质，绝缘介质设置在所...
    2025-11-23
  • 一种像素单元结构及制备方法
    一种像素单元结构及制备方法_创视半导体(杭州)有限公司_202511475449.8
    本发明公开一种像素单元结构及制备方法；涉及图像传感器技术领域；由PD区域将内部的电子传输至FD区域；第一P型离子区域用于改变PD区域内部的电势趋势；第一P型离子区域设置在PD区域周围；第二P型离子区域用于分隔PD区域并改变PD区域内部的电势...
    2025-11-23
  • 复合金属栅格及其制备方法
    复合金属栅格及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511468859.X
    本发明提供一种复合金属栅格及其制备方法。该复合金属栅格的制备方法包括：在基底上形成芯模层；刻穿芯模层形成多个第一凹槽；形成第一保护层，第一保护层覆盖芯模层的顶面以及第一凹槽的侧壁和底面且在第一凹槽内限定出第二凹槽；在第二凹槽的底部填充第一金...
    2025-11-23
  • 传感器封装方法和传感器封装结构
    传感器封装方法和传感器封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511104147.X
    本申请提供的一种传感器封装方法和传感器封装结构，涉及半导体封装技术领域。该传感器封装方法包括：提供具有挡墙结构的基板；在基板上贴装电子元件；其中，挡墙结构位于电子元件的外周。在挡墙结构远离基板的一侧贴装玻璃盖板；其中，玻璃盖板的边缘和挡墙结...
    2025-11-23
  • 一种雪崩光电探测器及其制备方法
    一种雪崩光电探测器及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511184686.9
    本公开提供了一种雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述雪崩光电探测器包括：自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层；其中，所述吸收层的材料包括氧化铟镓，所述倍增层的材料包括氧化镓。通过将光吸收过程与载流子倍...
    2025-11-23
  • 波导集成雪崩探测器
    波导集成雪崩探测器_中国科学院微电子研究所_202510904701.6
    本申请公开了一种波导集成雪崩探测器，属于光互联技术领域，主要目的是提高光耦合效率和响应速度。本申请的主要技术方案为：该波导集成雪崩探测器，包括有源层、第一波导结构和第二波导结构；有源层内注入有呈梯度分布的P型杂质与N型杂质，以形成具有雪崩倍...
    2025-11-23
  • 一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法
    一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511297491.5
    本申请属于红外探测技术领域，公开了一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法，包括底部电极、顶部电极、读出电路、高阻值硅衬底、第一掺杂锗层、量子阱吸收层、第二掺杂锗层和钝化层；高阻值硅衬底上开有多个以第一预设间隔分布的第一矩形凹槽；第一掺杂锗...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511473958.7
    本申请公开了一种光伏组件，包括：电池单元和背板，电池单元设于背板上，电池单元包括多个电池串，多个电池串通过汇流件电连接，汇流件沿第一方向延伸且具有沿第一方向延伸的第一长边；在第一方向上最靠近背板的边缘的汇流件为第一汇流件，第一汇流件朝向边缘...
    2025-11-23
  • 焊带处理装置、处理方法及电池串生产设备
    焊带处理装置、处理方法及电池串生产设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202511123268.9
    本申请提供了一种焊带处理装置、处理方法及电池串生产设备，焊带处理装置包括焊带整形机构、焊带切断机构及焊带牵引机构。焊带牵引机构牵引出横截面初始形状为正三角形的N根焊带。焊带整形机构被配置为每次在预定长度的焊带穿过焊带整形机构后夹紧N根焊带的...
    2025-11-23
  • 光伏组件及光伏组件的制备方法
    光伏组件及光伏组件的制备方法_天合光能股份有限公司_202511105342.4
    本申请涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法。光伏组件包括：多个电池片，多个电池片串联连接，电池片上设有图案电极；多个互联条，互联条用于电池片串联连接；以及焊料熔接结构，互联条通过焊料熔接结构与图案电极电连接；其中，至少一个互联条包含至少一段...
    2025-11-23
  • 晶体夹胶预制件、曲面光伏组件及其封装工艺
    晶体夹胶预制件、曲面光伏组件及其封装工艺_浙江金贝能源科技有限公司_202510885815.0
    本发明的实施例提出一种晶体夹胶预制件、曲面光伏组件及其封装工艺。所述晶体夹胶预制件包括第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串、第二胶膜层和汇流条。第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串和第二胶膜层从下至上依次层叠设置，所述柔性防裂膜的周向边缘超...
    2025-11-23
  • 背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511461965.5
    背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件，属于光伏技术领域，背接触电池包括衬底，衬底包括第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的间隔区，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层设置在第一区和间隔区，掺杂多晶硅层设置在隧穿氧化层沿厚度方向背离衬底的表面，非...
    2025-11-23
  • 背接触电池、叠层电池及光伏组件
    背接触电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511483246.3
    本公开涉及光伏领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，至少可以改善热斑效应，并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面，第一面包括沿第一方向交替分布...
    2025-11-23
  • 一种高维持电压双向高压ESD结构
    一种高维持电压双向高压ESD结构_上海川土微电子股份有限公司_202511480916.6
    本发明公开了一种高维持电压双向高压ESD结构，包括注入于基底内的第一N型深well掺杂类型阱区、第一N型well掺杂类型阱区以及两第一P型高压掺杂类型阱区、两对应注入于第一P型高压掺杂类型阱区内的第一P型well掺杂类型阱区；每一第一P型w...
    2025-11-23
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