Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 精准农业利用高准确度导航、姿态确定和障碍物检测方法来节省资源并取得更好的结果。所收集的机械位置和姿态以及障碍物位置数据可以有效地被采用来合成自主农业机械的控制算法。这些算法用于覆盖路径规划、路线规划、沿指定路径的运动稳定、障碍物避免和确保保...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备,半导体器件包括:衬底;第一介质层,位于衬底上;图案化的第一膜层,位于第一介质层上,第一膜层包括多个加热电极和多个叉指电容;第二介质层,位于第一膜层上和第一介质层上;图案化的第二膜层...
  • 本发明提供了一种氧化碲忆阻器及其制备和应用,属于半导体器件应用技术领域,本发明利用热蒸发法制备TeOx薄膜,和磁控溅射法沉积电极的方法构建了A/TeOx/A结构的忆阻器;本发明忆阻器在光和电刺激下实现突触可塑性和或、与逻辑门;在不同波长光脉...
  • 本发明属于忆阻突触器件技术领域,具体涉及一种阳离子盖板干燥退火调控二维/三维钙钛矿薄膜的忆阻突触器件及其制备方法。通过将氟化功能化二维钙钛矿(4, 4‑DFHHA)2PbI4与三维钙钛矿结合作为阻变层,采用一步旋涂与阳离子盖板干燥结合制备I...
  • 本发明公开了一种多通道纳米流体忆阻器及实现方法。该忆阻器包括:电解池、电极、垫片、中间层基质和生成层基质;所述中间层基质设置有一个微米孔道,所述生成层基质设置有若干纳米孔道;所述微米孔道用于调节所述纳米孔道导通的数量;所述垫片、所述中间层基...
  • 本发明公开了一种基于异质结的跳变自整流忆阻器,包括上电极、绝缘层和下电极,所述绝缘层采用异质结结构,自上而下依次为整流层和阻变层,上电极、整流层、阻变层、下电极垂直堆叠集成在硅片衬底上;所述整流层采用高氧分压条件下沉积的氧化铪薄膜,具有电荷...
  • 本申请提供了一种可见光敏忆阻器及其制备方法,通过将钙钛矿光敏材料应用到AlScN基忆阻器当中,相较于传统的AlScN基光敏忆阻器,由于钙钛矿的光敏结构制备工艺简单、成本低廉,且对可见光响应较强,相较于III族氮化物(如GaN)光敏结构,不仅...
  • 本发明涉及一种AsSeTe选通管材料及选通管单元,所述AsSeTe选通管材料的化学通式为AsxSeyTez,式中0.1≤x≤0.5,0.2≤y≤0.6,z=1‑x‑y。本发明中AsSeTe选通管材料可通过调控As、Se、Te的原子配比或引入...
  • 本发明提供一种约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法,该约瑟夫森结并联电阻结构的制备方法包括以下步骤:提供一衬底,于衬底上表面形成包括第一超导层、绝缘材料层及第二超导层的叠层结构;基于叠层结构依次定义底电极及包括绝缘层及顶电极的结区结构;形成覆...
  • 本发明提供了一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导,属于磁性器件技术领域。该器件包括由下到上依次设置的衬底层、交替磁体薄膜以及微波激励源;微波激励源激发具有单一频率的交变磁场,交变磁场和交替磁体薄膜的磁矩发生相互作用,使得磁矩发生进动,并将...
  • 本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法,高厚度铪基压电薄膜器的铪基压电功能层的厚度不低于20nm,是由氧化铪与氧化锆交替叠层形成的超晶格结构;通过在铪基压电功能层内部每隔预设厚度在两相邻超晶格单元的界面处沉...
  • 本发明公开了一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法,属于功能高分子材料与柔性电子技术交叉技术领域。该含氟铁电驻极体通过将上下两层致密聚合物薄膜与中间层进行边缘熔融封装,再经电晕极化处理制得,所述中间层为多孔聚合物膜单层结构或多孔聚合物膜...
  • 本发明属于压电陶瓷材料的技术处理领域,具体涉及压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法。为解决现有压电陶瓷材料极化技术存在的极化场强高、易击穿的难题,本发明提供了一种压电陶瓷材料加压极化装置,包括:用于承载压电陶瓷的底座;用于压电...
  • 本发明公开了一种柔性压电传感器的封装方法,包括S1:柔性压电敏感元件预处理,对所述柔性压电敏感元件进行超声波清洁和低温表面处理,在其表面形成活性基团;S2:制备电极层,通过印刷或者狭缝涂布工艺,在所述柔性压电敏感元件的上下表面制备电极层;S...
  • 本发明涉及一种基于低温气相传输和高温固相反应制备稀土碲化物高温热电材料的方法。其化学式为RE3‑xTe4(0≤x≤0.33),RE为稀土元素,制备方法为:(1)将RE单质和Te单质分别盛放于1号坩埚和2号坩埚中,再置于同一反应容器;(2)将...
  • 本申请涉及一种界面修饰溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件。界面修饰溶液包括自组装单分子材料和溶剂,自组装单分子材料含有咔唑基团和磷酸基团,溶剂包括醇和N, N‑二甲基丙烯基脲。N, N‑二甲基丙烯基脲具有较强的极性和沸点,与醇配合...
  • 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其电池。所述钙钛矿前驱体溶液包括Pb基钙钛矿材料、稳定剂和溶剂,所述稳定剂的化学式记作R‑(COOEt)n,其中,R代表羟基取代的烷基、芳香基或不饱和烃基,Et代表乙基,n≥1。通过将本发明的稳...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体是一种基于深层钝化促进钙钛矿上表面重构的方法,包括:(1) 对透明导电层进行清洁处理,得到清洁的透明导电衬底;在透明导电衬底上制备第一载流子传输层,得基底;(2) 在基底上制备钙钛矿层;(3) 在钙钛矿层上...
  • 本发明提供了一种钙钛矿吸收层及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:蒸镀制备金属化合物层,其中,金属化合物包括含铅化合物和/或含铯化合物;在所述金属化合物表面进行离子镀有机盐,然后进行退火,得到所述钙钛矿吸收层。本发明所述制备方法通过...
  • 本发明公开了一种钙钛矿材料溶液、钙钛矿膜及其制备方法与应用,所述钙钛矿材料溶液的制备方法中将高沸点溶剂作为独立添加剂使用,具体为在钙钛矿前驱体完全溶解并过滤后,再定量加入高沸点溶剂(单一或复合体系),后续制备钙钛矿膜可通过精确控制抽真空速率...
技术分类