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最新专利技术
  • 一种存储芯片的工程测试方法、系统和介质
    一种存储芯片的工程测试方法、系统和介质_深圳市铨天科技有限公司_202511166324.7
    本申请提供了一种存储芯片的工程测试方法、系统和介质，属于半导体封装技术领域。方法包括：通过分布式传感器网络实时采集存储芯片的读写操作数据、温度数据及电压数据，利用多维特征提取算法对测试数据进行降维、分段处理，提取统计特征和相关性特征后，输入...
    2025-12-01
  • DRAM的测试方法、控制装置及测试设备
    DRAM的测试方法、控制装置及测试设备_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511106956.4
    本发明公开一种DRAM的测试方法、控制装置及测试设备，涉及DRAM测试技术领域。所述DRAM的测试方法包括：在DRAM的工作电压和工作频率分别为初始工作电压和初始工作频率的情况下，将受测存储单元的值设置为第一预设值，邻域存储单元的值设置为第...
    2025-12-01
  • 存储系统以及用于测试存储系统的方法
    存储系统以及用于测试存储系统的方法_三星电子株式会社_202510040392.2
    提供了一种存储系统，包括：存储器控制器，包括被配置为生成种子值的种子生成器、以及被配置为基于种子值生成第一伪随机二进制序列(PRBS)的第一PRBS生成器；存储设备，包括被配置为从存储器控制器接收种子值并基于该种子值生成第二PRBS的第二P...
    2025-12-01
  • 存储控制器的测试验证方法和系统
    存储控制器的测试验证方法和系统_联芸科技(杭州)股份有限公司_202410623547.0
    提供一种存储控制器的测试验证方法和系统。该方法包括由第一模拟程序执行的以下步骤：将测试用例下的多条命令记录为多条记录，其中，对于具有相同命令标识的两条或以上的命令则记录最早的命令；向存储控制器串行发送多条命令；串行接收并逐一检查存储控制器反...
    2025-12-01
  • 一种存储器的数据读取方法及存储器
    一种存储器的数据读取方法及存储器_上海东方算芯科技有限公司_202511525113.8
    本申请提供了一种存储器的数据读取方法及存储器；该存储器的数据读取方法包括：响应于处理器的数据读取指令，基于多个存储区域的多个地址区间，从多个存储区域中，确定数据读取指令中的第一地址所在的第一目标区域；查询第一目标区域的第一状态标识位的值，第...
    2025-12-01
  • 映射逻辑单元的方法及装置
    映射逻辑单元的方法及装置_浙江华忆芯科技有限公司_202511086922.3
    本发明实施例提供了一种映射逻辑单元的方法及装置，包括：根据固态硬盘连接的各个非易失性存储器的封装类型确定所述固态硬盘的封装类型；根据固态硬盘连接的各个所述非易失性存储器的逻辑单元的类型，确定固态硬盘的逻辑单元类型；根据所述固态硬盘的封装类型...
    2025-12-01
  • 处理元数据的方法以及执行该方法的存储器装置
    处理元数据的方法以及执行该方法的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411505408.4
    本公开涉及处理元数据的方法以及执行该方法的存储器装置。一种存储器装置包括多个存储器核心和多个元储存电路，多个元储存电路中的每一个元储存电路对应于多个存储器核心中的不同的存储器核心。在一实施例中，当元写入操作被执行时，经由外部线路接收的数据基...
    2025-12-01
  • 反熔丝存储器及其编程方法
    反熔丝存储器及其编程方法_无锡华润上华科技有限公司_202410626943.9
    本发明涉及一种反熔丝存储器及其编程方法，所述反熔丝存储器包括反熔丝存储阵列，所述反熔丝存储阵列包括多个反熔丝存储单元，每个反熔丝存储单元包括反熔丝晶体管，所述反熔丝存储阵列还包括：位线；反馈网络，连接于所述位线与至少一个所述反熔丝存储单元之...
    2025-12-01
  • 一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器
    一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器_成都锐成芯微科技股份有限公司_202511517509.8
    本发明涉及一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器，所述一次性编程存储单元包括：依序串联的检测晶体管、第一选择晶体管、和栅电容，位于一个衬底中；其中检测晶体管的源极与第一选择晶体管的漏极重合，第一选择晶体管的源极与检测晶体管的栅极通过一根...
    2025-12-01
  • FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法
    FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法_成都蜀郡微电子有限公司_202510866040.2
    FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法，涉及集成电路技术，本发明的FPGA通用位元电路由一个可编程器件、一个选择MOS管和一个阻挡MOS管构成，选择MOS管的第一电流端和可编程器件的第一端连接于公共点，阻挡MOS管的电流输入端和公...
    2025-12-01
  • 存储介质的读干扰计数方法及电子设备
    存储介质的读干扰计数方法及电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511508300.5
    本申请公开了一种存储介质的读干扰计数方法及电子设备，涉及固态硬盘技术领域，包括识别当前读取的条带和上次读取的条带是否相同，若当前读取的条带和上次读取的条带不相同，则根据第一变量更新第一数组的读干扰计数；若当前读取的条带和上次读取的条带相同，...
    2025-12-01
  • 固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备
    固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备_深圳大普微电子股份有限公司_202510833122.7
    本发明涉及存储技术领域，公开了一种固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备。该阈值电压处理方法包括：选取固态硬盘中处于频繁重读状态的晶粒作为目标晶粒；获取目标晶粒的最佳阈值电压；将最佳阈值电压设置为目标晶粒中所有处于关闭状态的区块...
    2025-12-01
  • 存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛
    存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛_美光科技公司_202510648414.3
    本申请涉及存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛。存储器装置中的控制逻辑启动对存储器装置的存储器阵列的编程操作，所述存储器阵列包括多个存储器单元，且所述编程操作包括多个编程脉冲。所述控制逻辑在施加所述多个编程脉冲中的第一编程脉冲之后进一...
    2025-12-01
  • 一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置
    一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置_陈清_202511245508.2
    本发明公开了一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置。该装置主要包括上下电控制器和闪存阵列电路，实现对批量脱机闪存设备周期性自动上下电控制，从而解决闪存设备长时间断电存放数据丢失的问题。
    2025-12-01
  • 记忆体电路及其操作方法
    记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510657024.2
    一种记忆体电路包括记忆体阵列，该记忆体阵列包含多个记忆体单元。该记忆体电路包括第一预充电电路，该第一预充电电路耦合至与所述多个记忆体单元电连接的至少一个存取线且用以在该记忆体阵列的待机模式期间处于第一状态。该记忆体电路包括第二预充电电路，该...
    2025-12-01
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410721984.6
    本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。其中，用于重试读取存储器装置中的数据的操作方法包括：于存储器装置施加第一读取电压，当读取错误时，计算对应于第一读取电压所得到的第一位元值的数量与第二位元值的数量的第一绝对差值；于存储器装置施加第二读取...
    2025-12-01
  • SONOS存储器阵列结构
    SONOS存储器阵列结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511058307.1
    本发明公开了一种SONOS存储器阵列结构，包括：阵列排列的多个结构相同的存储单元，每个存储单元由选择管和两个置于选择管两侧的第一存储管和第二存储管构成，两个存储管分别存储数据；每行存储单元的选择管的栅极接对应字线；每行存储单元的第一存储管的...
    2025-12-01
  • 具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联的系统、装置和方法
    具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联的系统、装置和方法_美光科技公司_202510650207.1
    本申请涉及具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联系统、装置和方法。本文中公开了具有数据安全电路系统的存储器装置(以及相关联系统、装置和方法)。在一个实施例中，一种设备包含：存储器阵列，其具有多个存储器单元；多个DQ端子；以及电路系统，其...
    2025-12-01
  • 数据保护方法、存储器件以及存储装置
    数据保护方法、存储器件以及存储装置_上海江波龙数字技术有限公司_202410630740.7
    本申请公开了一种数据保护方法、存储器件以及存储装置。该方法应用于存储器件，所述存储器件用于设置在存储装置中，该存储装置还包括主控模块，主控模块用于连接存储器件以对存储器件进行控制。存储器件包括掉电检测模块、操作控制模块以及存储模块。该方法包...
    2025-12-01
  • 闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质
    闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质_成都佰维存储科技有限公司_202511058360.1
    本发明公开了一种闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质。方法包括：确定闪存中各存储单元模式的块的正常块数，并根据各存储单元模式的块的正常块数，计算各存储单元模式对应的正常块占比；分别根据闪存中各存储单元模式的块的正常块数和属性数据，计算各存...
    2025-12-01
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