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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511556254.6
    一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底中的有源区，有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，漏区中形成有第一掺杂类型的重掺杂阱区；嵌入重掺杂阱区中的多个介质层，重掺杂阱区与介质层构成第一电阻层，静电释放电...
    2026-01-03
  • 具有过电压保护的集成功率器件
    具有过电压保护的集成功率器件_意法半导体国际公司_202510683623.1
    本公开的各实施例涉及具有过电压保护的集成功率器件。一种集成功率器件包括：包括异质结构的管芯，该管芯具有至少部分形成在异质结构中并具有主源极端子、主漏极端子和主栅极端子的主高电子迁移率晶体管(HEMT)。耦接在主HEMT的主源极端子与主栅极端...
    2026-01-03
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510202536.X
    本发明的目的在于获得能够提高保护二极管的ESD耐量的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；温度感测二极管，其设置于所述半导体基板之上；以及保护二极管，其设置于所述半导体基板之上，并与所述温度感测二极管反向并联连接，所述温度感测二极...
    2026-01-03
  • 计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质
    计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质_上海华力集成电路制造有限公司_202511173764.5
    本发明提供了一种计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质，属于半导体领域。该计算版图中晶体管沟道总宽度的方法包括提供一原始设计版图，从所述原始设计版图中筛选出ESD晶体管。确定所述ESD晶体管的漏极区域；获取栅极与所述漏极...
    2026-01-03
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510628619.5
    半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，在第一方向上彼此间隔开；第一栅极结构，在所述第一有源图案上沿第二方向延伸；第二栅极结构，在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸；第一杂质区域，位于所述第一有源图案的与所述第一栅极结构的第一侧相邻的...
    2026-01-03
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202511164222.1
    本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，包括衬底；阻挡层，设于衬底的一侧，阻挡层包括电连接的阻隔部和导电部，阻隔部和导电部的至少部分交叠设置，阻隔部具有外露于导电部的阻挡区；绝缘层，位于阻挡层背离衬底的一侧；有源层，设于绝缘...
    2026-01-03
  • 用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构
    用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510528015.3
    本发明涉及用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构，揭露用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括绝缘体上硅衬底，该绝缘体上硅衬底包括半导体衬底、位于该半导体衬底上的介电层、以及位于该介电层上的半导体层。该结构还包...
    2026-01-03
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511110388.5
    本发明提供一种具有电阻元件的半导体结构包括具有有源区的衬底，该形成在有源区之上的第一栅极结构，以及形成在有源区之上并且邻近第一栅极结构的第一电阻元件。在一些实施例中，第一电阻元件包括第一电阻层和形成在第一电阻层之上的第二电阻层。在一些实例中...
    2026-01-03
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510166546.2
    描述了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括有源区域，并且该有源区域包括在衬底之上延伸的鳍、设置在鳍之上的第一虚设栅极电极层、与第一虚设栅极电极层相邻的第二虚设栅极电极层、设置在鳍之上的第三虚设栅极电极层以及与第三虚设栅极电极层相...
    2026-01-03
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510156478.1
    一种半导体器件包括：衬底；源极/漏极图案，源极/漏极图案位于衬底上；沟道图案，沟道图案位于源极/漏极图案之间并且包括多个半导体图案；栅电极，栅电极位于多个半导体图案之间；上分隔结构，上分隔结构在第一方向上延伸并且在与第一方向相交的第二方向上...
    2026-01-03
  • 数字电路单元的结构、集成电路和电子装置
    数字电路单元的结构、集成电路和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410653887.8
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种数字电路单元的结构、集成电路和电子装置，包括位于衬底的CMOS单元和金属布线层；CMOS单元包括位于衬底内的NMOS区域和PMOS区域、以及分别连接NMOS区域和PMOS区域的至少一个栅极结构，至少部分...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511200968.3
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：衬底，包括相对设置第一表面和第二表面，设置为第一导电类型；第一表面侧设置有第一栅极和第一源极；第二表面侧设置有第二栅极和第二源极；半漏极和衬底电连接；衬底...
    2026-01-03
  • 半导体器件、其制备方法及电子设备
    半导体器件、其制备方法及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202410612274.X
    本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种半导体器件、其制备方法及电子设备。半导体器件包括衬底、第一掺杂类型的漂移区、第二掺杂类型的体区、多个沟槽、多个栅极部、栅极介质层、多个第一源极部以及多个第二源极部。漂移区位于衬底上。体区位于漂移区的...
    2026-01-03
  • 一种集成SBD和MCD的MOS型器件及其制备方法
    一种集成SBD和MCD的MOS型器件及其制备方法_南方科技大学_202510891990.0
    本发明提供了一种集成SBD和MCD的MOS型器件，所述集成SBD和MCD的MOS型器件的结构自上而下依次包括：外延层、衬底和漏极功能区；所述外延层自上而下依次包括N+注入区、体区、电流扩展层、漂移层；还包括：源极沟槽，所述源极沟槽包括源极氧...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410644217.X
    一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中的第一牺牲层和位于隔断槽中的第二牺牲层；图形化第一牺牲层获得的牺牲鳍，图形化基底获得半导体...
    2026-01-03
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511564115.8
    本发明提供一种半导体装置及其制造方法，制造方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上设置有栅极；在栅极至少一侧的衬底中采用同一个光罩依次形成阱区和LDD层，与现有技术相比，本发明取得了意想不到的技术效果：可减少高压半导体器件制造过程中所使用的光罩数...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511195815.4
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，方法包括：垫氧化层及硅化物阻挡层顺形覆盖第一区及第二区表面，去除第一区硅化物阻挡层；牺牲材料层填充并覆盖第一区及第二区表面；去除部分牺牲材料层至低于栅极结构预设高度，去除显露的垫氧化层，减薄第一区侧墙结...
    2026-01-03
  • 半导体装置结构的形成方法
    半导体装置结构的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511074245.3
    一种半导体装置结构的形成方法包括形成鳍结构于基板上，其中鳍结构包括由第一半导体材料制成的第一多个半导体层和由第二半导体材料制成的第二多个半导体层。形成牺牲栅极叠层于鳍结构上。移除鳍结构的与牺牲栅极叠层相邻的部分以暴露基板的多个部分。沿横向方...
    2026-01-03
  • 半导体装置的形成方法
    半导体装置的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510850385.9
    在一些实施例中，半导体装置的形成方法可包含在基底上方形成多层堆叠物，多层堆叠物具有多个第一半导体层及多个第二半导体层的交替层。此外，此方法可包含移除基底的第一区中的多个第一半导体层。此方法也可包含在第一区中的多个第二半导体层之间形成可抛性材...
    2026-01-03
  • 源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法
    源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511180731.3
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法，该半导体结构包括：栅极结构、体区结构、源极结构，以及漏极结构，所述源极结构包括多晶硅源极接触层；所述栅极结构包围所述体区结构，所述体区结构中设有源极接触区域，...
    2026-01-03
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