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  • 本发明提供一种能够实现压缩成形装置的紧凑化,而且,能够实现密封模具的维护性的提高,而且,能够实现加工时间的缩短以及生产性的提高的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段,一种压缩成形装置(1),使用密封模具(202)并利用密封树脂(R)对工...
  • 本发明的膜状黏合剂为由具有热固化性且含有橡胶成分的树脂组合物构成,并且为具有第一表面及第二表面的膜状黏合剂,所述膜状黏合剂具有如下区域:该膜状黏合剂的第一表面附近的区域且橡胶成分的含有率从第二表面侧向第一表面侧增加的区域,通过使用原子力显微...
  • 一种晶粒粘贴膜,其用于对于配置于基板上且第一半导体芯片的周围的多个间隔件,将第二半导体芯片以第二半导体芯片横跨多个间隔件之间并且覆盖第一半导体芯片的方式黏合。晶粒粘贴膜在90~180℃的范围内显示2000Pa·s以上且9800Pa·s以下的...
  • 本公开的各方面可以包括例如系统,所述系统包括:基板,所述基板具有位于所述基板的表面中或上的互连件;抬高件,所述抬高件设置在所述表面之上,所述抬高件被配置有用于联接到所述互连件的一个或多个抬高件通孔;器件,所述器件定位在所述表面之上,所述器件...
  • 一种基板处理方法,用于对基板进行处理,所述基板处理方法包括以下处理:向基板中的蚀刻对象的表面供给蚀刻液来对该表面进行蚀刻;进行用于将蚀刻后的所述蚀刻液回收以进行再利用的处理,来生成再利用蚀刻液;以及决定使用所述再利用蚀刻液对蚀刻对象的表面进...
  • 本发明提供实质上由异丙醇构成的半导体药液,其中,叔丁醇的含有率为1000质量ppb以下,乙醇的含有率为1000质量ppb以下。
  • 在本发明的半导体装置的制造方法中,首先,准备具有支撑基板(11)、设置于支撑基板(11)上的导电部(12)、以及设置于支撑基板(11)上及导电部(12)上的聚酰亚胺膜(13)的基板(10)。在所准备的基板(10)中,聚酰亚胺膜(13)具有覆...
  • 形成含硅及碳的材料的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前体。基板可容纳在所述半导体处理腔室的所述处理区域内。所述方法可包括向所述处理区域提供含氢前体。所述方法可包括在所述处理区域中产生所述含硅前体的等离子体流出物及所述含氢前...
  • 一种用于将前体供应到处理室的前体输送系统包括壳体和可拆卸前体分配组件,该可拆卸前体分配组件可拆卸地耦合至壳体且被配置成将前体供应到处理室,其中可拆卸前体分配组件包括:安瓿及第一阀组件,该第一阀组件流体耦合至安瓿,且包括第一阀、第二阀、第三阀...
  • 描述了包括用于在半导体基板上形成介电膜的半导体处理方法的实施方式。所述方法可包括将含硅前体及含氮前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可在所述处理区域内设置。所述方法可包括将惰性前体提供到所述半导体处理腔室的所述处理区域。所述方法可包括产...
  • 本文揭示了一种用于处理来自处理腔室的流出物的方法及系统。在一个实施例中,藉由使碳氢化合物处理气体流入在其中设置有基板的处理腔室中、使用会产生有机副产物的碳氢化合物处理气体在基板上执行工艺、将有机副产物自处理腔室排放至具有减量反应区域的前级管...
  • 本发明有关于一种用于修整基板接合的方法。该方法包含:在第一基板内施加多个局部修改以将该第一基板接合至第二基板。本发明包含多个进一步修整方法、对应计算机程序及对应设备。
  • 本发明的EUV光源包括划定等离子体约束区的腔室。磁芯位于所述腔室周围,并且配置为在等离子体生成区中生成等离子体,使得所述等离子体会聚于所述等离子体约束区。电力输送部位于所述磁芯周围。电源包括充电电路、预电离电路以及具有耦合至所述磁芯输出的固...
  • 本发明的发光封装体具备:框体,其具有使第1光入射至等离子体区域的第1窗部、及使第2光自等离子体区域出射的第2窗部;及包围部,其划定包含等离子体区域的包围空间,具有与第1窗部对应的第1开口、及与第2窗部对应的第2开口。第1窗部相对于第1开口的...
  • 一种装置,包括电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括:第一上部电极,设置于束轴线上方;以及第一下部电极,设置于束轴线下方且与第一上部电极相对,EDMA总成被布置成接收处于第一频率的第一RF电压信号。装置可包括设置于EDMA总成的下...
  • 一种用于电荷检测质谱法的过程包括:获取表示由俘获区域内的离子的振荡运动在检测器上感应的电流的时变信号;处理时变信号以导出振荡运动的频率;基于时变信号的振幅和振荡运动的所导出的频率来生成表示STORIreal值与时间的关系和STORIimag...
  • 提供了一种将材料沉积在基板上的方法。所述方法包括:在第一功率循环期间利用第一电源将第一溅射材料从第一旋转靶引向第二旋转靶,在所述第一功率循环期间利用第二电源将第二溅射材料从第三旋转靶引向所述第二旋转靶,将所述第一电源和所述第二电源从所述第一...
  • 本发明涉及用于耦合RF信号的功率合成器(1),该功率合成器特别地被设计成用于等离子体处理供应系统和等离子处理系统,该功率合成器(1)被设计成用于频率在2 MHz至200 MHz的范围内特别地在10 MHz至50 MHz的范围内的预定义的工作...
  • 方法包括通过处理装置获得工艺腔室的经校准的反馈控制装置的测量值。方法进一步包括通过处理装置基于经校准的反馈控制装置的测量值来确定工艺腔室的等离子体产生设备的第一性能指示。方法进一步包括自工艺腔室的第一传感器获得等离子体产生设备的第二性能指示...
  • 一种离子源,在离子源中,施加至提取孔口的两侧上的面板的压缩力可独立地改变。对面板与电弧腔室之间的压缩力进行修改可通过修改两个组件之间的接触热阻而能够对离子源进行温度控制。此可使得能够对面板的温度进行更多的控制,且更具体而言可因沿着面板长度对...
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