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  • 本公开涉及一种中介连接板及其接地结构、封装模组和电子设备。该接地结构包括沿第一方向延伸且在第二方向间隔布置的多个第一金属线,以及沿第二方向延伸且在第一方向上间隔布置的多个第二金属线;多个第一金属线与多个第二金属线相交。该接地结构过将多个第一...
  • 半导体装置具备:半导体元件,具有第1主电极和第2主电极,第2主电极形成于在板厚方向上与第1主电极相反的面;第1布线部件,与第1主电极连接;接线柱,具有与第2主电极连接的第1端面和在板厚方向上与第1端面相反的第2端面,第2端面呈具有与第1方向...
  • 本发明涉及芯片散热技术领域,具体地说,涉及基于压电驱动的纳米流体喷射智能芯片散热装置。其包括压电驱动结构和芯片固定件,压电驱动结构包括驱动喷射件,驱动喷射件靠近芯片本体的一端形成一个喷口,喷口的外侧覆盖安装有喷头结构。本发明通过喷头结构中的...
  • 本发明涉及电子功率器件散热领域,具体涉及一种基于特斯拉阀热流控制的IGBT模块散热结构,包括基板,基板内设有特斯拉阀流道层、以及位于所述特斯拉阀流道层上方的冷却液分配层,基板设置在IGBT层上方,特斯拉阀流道层内开设有多个并排设置的特斯拉阀...
  • 一种具复合式散热封装的积体电路元件,包含电路基板、晶片以及三维蒸气腔元件,电路基板具有上基板表面,晶片设置于电路基板的上基板表面上,且晶片具有晶片表面,三维蒸气腔元件包含有上盖、下板以及多个流道鳍片,上盖具有上表面,下板相对于上盖,具有下板...
  • 本发明涉及芯片制冷技术领域,具体为一种基于梯度孔热电薄膜与相变材料协同作用的芯片制冷结构,由上至下包括芯片层、热电薄膜、复合导热界面层以及散热基板,热电薄膜的冷端与芯片层贴合,热电薄膜的热端与复合导热界面层之间设有多个PCM微胶囊,对应热电...
  • 本申请公开了一种IGBT器件、制备方法及电子产品,IGBT器件包括功率芯片、连接层和碳素材料层;功率芯片具有作为发射极的第一侧和作为集电极的第二侧;连接层相邻于第一侧设置,连接层形成烧结连接界面并用于建立热传导路径;碳素材料层相邻于第二侧设...
  • 本发明涉及通信技术领域,具体涉及一种芯片封装结构及其制备方法。本申请的芯片封装结构,在基板上分别设置有芯片以及由金属柱和金属环形成的一体结构,其中,一体结构由一个金属环和多个金属柱加工而成,金属环为环绕芯片设置的连续结构,金属柱与金属环固定...
  • 本发明公开了一种歧管式多孔介质拓扑微通道热沉,涉及微通道热沉技术领域。具体包括:基座,具有冷却剂入水口与出水口;冷却铜板,具有微通道;歧管玻璃板,具有用于分流冷却剂的歧管通路;以及上盖板;其中,所述基座、所述冷却铜板、所述歧管玻璃板及所述上...
  • 本申请公开了一种陶瓷基板结构、智能功率模块、控制器及家用电器,涉及半导体技术领域。本申请包括第一覆铜陶瓷基板和至少一个第二覆铜陶瓷基板,第一覆铜陶瓷基板包括至少一个第一上芯区域。至少一个第二覆铜陶瓷基板与第一覆铜陶瓷基板连接,且与第一覆铜陶...
  • 本发明涉及功率模块封装技术领域,尤其涉及一种基于气液相变传质的功率模块绝缘‑散热封装结构。其主要针对现有材料无法平衡散热和绝缘的要求的问题,提出如下技术方案包括两组待封装的半导体芯片,所述半导体芯片的下方设置有绝缘均热板衬底,所述绝缘均热板...
  • 电子部件(50)具备基板(51)和柱状电极(61)。基板(51)具有第一主面(511)。柱状电极(61)从基板(51)的第一主面511)向基板(51)的厚度方向(D1)突出。柱状电极(61)配置在基板(51)的第一主面(511)与凸块电极(...
  • 本公开涉及用于使用散热器传递来自电子器件的热量的技术。一种电子器件包括第一层和导热散热器,该导热散热器包括电子器件的第二层中的传导区域。散热器还包括延伸穿过第一层的第一通孔。第一通孔填充有耦合到传导区域的传导材料。第一通孔中的传导材料耦合到...
  • 本公开涉及用于集成电路封装的模块化热沉装置。提供了用于集成电路器件的模块化热沉系统的系统和方法。模块化热沉系统可以包括附接到集成电路封装管芯的基底散热器。辅助散热设备可以选择性地附接到基底散热器。当辅助散热设备未与基底散热器对接时,基底散热...
  • 本申请提供了一种半导体功率器件及半导体功率系统,涉及半导体技术领域。半导体功率器件包括有塑封壳体,可知半导体功率器采用塑封方式进行的封装,从而使得半导体功率器件具有较好的抗振、防水、防尘、防氧化等能力,并且提高了半导体功率器件的绝缘性能,同...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,其中,半导体器件包括:沿第一方向堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构;第一半导体结构包括:沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构;第一接触结构,沿所述第一方向贯穿至少部分第一子半...
  • 本发明属于半导体存储器封装技术领域,具体为一种基于二维材料与CMOS电路2.5D集成的存储芯片及其制备方法。本发明所述芯片通过采用2.5D封装结构,将由二维材料超快闪存器件芯粒与采用标准CMOS工艺制备的外围控制电路芯粒集成于中介层上,并通...
  • 本公开涉及半导体封装件的减压结构及其制造方法。一种半导体器件或封装件包括减压结构,以通过减轻或减少应力和应变来防止机械缺陷在半导体器件或封装件内传播或减少机械缺陷在半导体器件或封装件内传播的可能性。半导体器件或封装件内或其部分的各种层、结构...
  • 本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含被配置成可拉伸的载体以及安置在所述载体上方的第一电子组件。所述电子装置还包含至少部分地安置在所述载体内并且连接到所述第一电子组件的结构。所述结构被配置成减少所述载体与所述第一电子组件之间的位移量。
  • 本公开涉及一种半导体封装结构及封装方法,其中,半导体封装结构包括:基板、第一芯片颗粒、第一塑封层、多个第二芯片颗粒。第一芯片颗粒,布置在基板上;第一塑封层,包覆第一芯片颗粒,并暴露出第一芯片颗粒的顶面;每个第二芯片颗粒,一部分布置在第一芯片...
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