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最新专利技术
  • 一种多味中药成分改善便秘相关基因筛选及功能分析的方法
    一种多味中药成分改善便秘相关基因筛选及功能分析的方法_劲牌有限公司_202511166729.0
    本发明提供了一种多味中药成分改善便秘相关基因筛选及功能分析的方法，所述方法包括中药复方活性成分和对应作用靶点的筛选、便秘疾病靶点的获取、中药复方作用靶点与便秘疾病交集靶点的获取、中药复方活性成分‑作用靶点调控网络构建、PPI蛋白互作网络构建...
    2026-02-07
  • 一种粪菌移植供受体动态匹配方法、装置、设备及介质
    一种粪菌移植供受体动态匹配方法、装置、设备及介质_中国人民解放军总医院第一医学中心_202511155289.9
    本发明实施例公开了一种粪菌移植供受体动态匹配方法、装置、设备及介质，响应于供受体匹配请求，获取待匹配受体在当前预设采样时间的粪菌移植后监测数据；其中，粪菌移植后监测数据是基于任意一个目标供体的粪便菌群对待匹配受体完成粪菌移植手术之后确定的，...
    2026-02-07
  • 一种基于通道结构入口理性设计提高脂肪酶活性的分子改造方法及其突变体
    一种基于通道结构入口理性设计提高脂肪酶活性的分子改造方法及其突变体_南京工业大学_202511179547.7
    本发明提供了一种提高脂肪酶水解活性的理性设计方法，属于酶工程领域。通过分子模拟发现底物进入Tunnel的初始构象是否合理很有可能是影响其活性的重要因素。基于此，通过CaverWeb识别了脂肪酶的Tunnel入口处的关键残基，采用NNK简并密...
    2026-02-07
  • 基于GPU加速的生物热数据处理方法及装置
    基于GPU加速的生物热数据处理方法及装置_中国信息通信研究院_202410720614.0
    本发明提出了一种基于GPU加速的生物热数据处理方法及装置，涉及计算机数据处理技术领域，该方法包括：根据一维索引方案设置GPU计算模型的网格块及线程计数；设置交替方向隐式格式的Pennes生物热传递方程；获取加热源数据；将所述加热源数据输入至...
    2026-02-07
  • SSD的新增坏块检测方法、系统和装置
    SSD的新增坏块检测方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202511193725.1
    本申请公开一种SSD的新增坏块检测方法、系统和装置，方法包括：获取SSD的日志数据，并对日志数据的语义进行统一化处理得到标准日志数据；将标准日志数据输入新增坏块预测模型得到新增坏块概率，其中，新增坏块概率是指SSD出现新增坏块的概率；在新增...
    2026-02-07
  • 存储器的开卡测试方法、服务器及计算机程序产品
    存储器的开卡测试方法、服务器及计算机程序产品_深圳宏芯宇电子股份有限公司_202511193012.5
    本公开提供一种存储器的开卡测试方法、服务器及计算机程序产品。该方法应用于服务器，包括：获取包含开卡包配置参数的标准化文件；根据所述标准化文件中的所述开卡包配置参数，从开卡包数据库中获取对应的开卡包数据，以及生成对应的配置参数文件；将所述开卡...
    2026-02-07
  • 一种基于FLASH数据存储压力自动化测试系统
    一种基于FLASH数据存储压力自动化测试系统_合肥力高动力科技有限公司_202511164761.5
    本发明公开了一种基于FLASH数据存储压力自动化测试系统，涉及汽车电子技术领域，自动化测试系统包括：FLASH数据读取模块、FLASH数据写入模块、FLASH数据地址读取模块、供电模块、循环存储模块；自动化测试系统通过测试工具与待测设备连接...
    2026-02-07
  • 存储器稳定性与测试覆盖范围的判断方法
    存储器稳定性与测试覆盖范围的判断方法_华邦电子股份有限公司_202411049156.9
    本发明提供一种存储器稳定性与测试覆盖范围的判断方法。判断方法包括：提供多个测试程序，且每次使用多个测试程序中的一测试程序来对各存储器管芯进行测试，以产生各存储器管芯的错误位信息；取得经过各测试程序所测试过的各存储器管芯的错误位信息；基于各存...
    2026-02-07
  • NAND FLASH的自动化测试方法、系统和装置
    NAND FLASH的自动化测试方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202511161228.3
    本发明公开一种NAND FLASH的自动化测试方法、系统和装置，方法包括：对NAND FLASH中的目标存储页进行读取，得到目标数据；读取状态寄存器基于读取目标数据过程中获取到的ECC位错误数；在ECC位错误数小于或等于预设阈值时，对目标数...
    2026-02-07
  • 三维堆叠存储器
    三维堆叠存储器_北京青耘科技有限公司_202511194976.1
    本发明提供一种三维堆叠存储器，其包括依次堆叠的逻辑裸芯、缓冲器裸芯和存储器堆叠体，其中，存储器堆叠体包括三维堆叠的多层存储器裸芯，缓冲器裸芯中设置有存储控制器，逻辑裸芯中设置有具有计算处理能力的主设备，且多层存储器裸芯之间及其与缓冲器裸芯之...
    2026-02-07
  • SoC芯片、CP测试系统及存储器控制器的CP测试方法
    SoC芯片、CP测试系统及存储器控制器的CP测试方法_海光集成电路设计(北京)有限公司_202511237493.5
    本发明提供一种SoC芯片，包括：待测试的硬件模块；导入控制模块，与片内微处理器连接，用于在进行CP测试时，将CP测试机台下发的功能测试代码导入到片内微处理器，并控制片内微处理器启动执行功能测试代码；片内微处理器，与待测试的硬件模块连接，用于...
    2026-02-07
  • 一种存储器的坏块检测方法、装置、设备和存储介质
    一种存储器的坏块检测方法、装置、设备和存储介质_珠海零边界集成电路有限公司_202511031855.5
    本发明实施例提供了一种存储器的坏块检测方法、装置、设备和存储介质，本发明通过在服务器运行过程中将闲置的外设寄存器作为临时数据存储载体，在不中断服务器正常运行的前提下，按照确定的检测顺序依次将各存储区域的运行数据传输至闲置外设寄存器，从而完成...
    2026-02-07
  • 一种芯片、芯片修复方法和电子设备
    一种芯片、芯片修复方法和电子设备_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202511235947.5
    本申请公开一种芯片、芯片修复方法和电子设备，涉及集成电路技术领域，所述芯片包括多个存储单元、第一寄存器链和第二寄存器链。第一寄存器链包括相串联的多个第一寄存器，第二寄存器链包括相串联的多个第二寄存器；每个存储单元对应相应第一寄存器和第二寄存...
    2026-02-07
  • 存储器读取控制方法、装置、设备及存储介质
    存储器读取控制方法、装置、设备及存储介质_兆易创新科技集团股份有限公司_202410725970.1
    本公开提供一种存储器读取控制方法、装置、设备及存储介质，属于数据存储技术领域。该方法包括：获取存储器执行一存储单元擦/写操作时的第一状态数据；根据第一状态数据，确定一存储单元的读取操作时非选中字线上的电压补偿值；根据一存储单元对应的预设电压...
    2026-02-07
  • 随机电报噪声的增强去噪
    随机电报噪声的增强去噪_三星电子株式会社_202510715662.5
    本发明涉及随机电报噪声的增强去噪。一种存储设备，包括：包括多个存储器单元的非易失性存储器，其中，多个存储器单元包括目标存储器单元；以及存储控制器：其中，存储控制器被配置为：在多个目标读取时间读取目标存储器单元以获得多个目标电压，从多个阈值模...
    2026-02-07
  • 一种NAND闪存的擦除编程方法、装置和存储介质
    一种NAND闪存的擦除编程方法、装置和存储介质_深圳市泉彗达科技有限公司_202511193184.2
    本发明公开一种NAND闪存的擦除编程方法、装置和存储介质，该NAND闪存的擦除编程方法包括：在存储单元处于选择状态的情况下，若当前P/E循环时的首次擦除验证未成功，则获取所述存储单元在上一次P/E循环时的第一阈值电压分布以及当前P/E循环时...
    2026-02-07
  • 包括字线电压控制保护晶体管的字线驱动器
    包括字线电压控制保护晶体管的字线驱动器_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510432422.4
    本公开涉及包括字线电压控制保护晶体管的字线驱动器。字线驱动器包括所有低电压晶体管，其包括低电压的字线电压控制的保护晶体管。字线驱动器接收输入信号，该输入信号包括：在可编程的第一电压和依赖于第一电压的第二电压之间切换的第一电源信号；在第二电压...
    2026-02-07
  • 数据反转译码电路、嵌入式闪存装置及其操作方法
    数据反转译码电路、嵌入式闪存装置及其操作方法_联华电子股份有限公司_202410844272.3
    本发明提供一种数据反转译码电路、嵌入式存储器装置及其操作方法。数据反转译码电路包括：计数比较电路，接收包含多个位的数据，计算多个位中，0的数目与1的数目，在0的数目大于1的数目时，输出选择信号；反相器，接收数据，并输出位反转数据；选择电路，...
    2026-02-07
  • 用于RERAMS的智能分组和修复编程的系统和方法
    用于RERAMS的智能分组和修复编程的系统和方法_威比特纳诺有限公司_202510731797.0
    通过对ReRAM字的每个ReRAM单元(位)进行分组编程，可以防止电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元的过度受压和过压编程。因此，对于多个字位中的每一个，执行ReRAM低阻状态(LRS)的至少一次写前读取(RBW)，并且对于该多个字位中的...
    2026-02-07
  • 具有数字内存中计算处理模式和列多路复用内存访问模式的内存架构
    具有数字内存中计算处理模式和列多路复用内存访问模式的内存架构_意法半导体国际公司_202510554387.3
    本公开涉及具有数字内存中计算处理模式和列多路复用内存访问模式的内存架构。一种存储器阵列包括具有以行列矩阵布置的存储器单元的子阵列，其中每行包括字线，并且每个子阵列列包括局部位线。控制电路支持：第一模式，其中在列多路复用内存访问操作期间，存储...
    2026-02-07
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