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  • 本发明提供一种WAT测试结构及测试方法,WAT测试结构包括第一测试结构和第二测试结构,第一测试结构中的第一金属互连结构与第一控制栅电性连接;第二测试结构中的第二金属互连结构与第二控制栅断开,第二控制栅的结构与第一控制栅的结构相同。在测试方法...
  • 本申请涉及一种硅基板芯片的封装参数确定方法、装置、设备及介质。所述方法包括:获取芯片封装的电流负载数据和芯片封装中第一导电凸块的第一初始封装参数,基于电流负载数据和第一初始封装参数,确定芯片封装中第二导电凸块的第二初始封装参数,将第一导电凸...
  • 本申请提供一种半导体器件的可靠性测试设备及其探针调整方法, 设备包括多个探针组包括间隔且平行设置的测试探针和陪衬探针,测试探针用于接触对应的测试焊盘;陪衬探针与测试探针间隔设置,待测试半导体器件上设置有陪衬焊盘,陪衬探针之间通过陪衬焊盘电连...
  • 本发明提供能够抑制设置空间的增加并且以低成本使探针卡的更换自动化的晶片测试系统、探针卡更换方法以及探测器。晶片测试系统具备:探测器,其具备保持半导体晶片的吸盘及具有探针的探针卡,并使探针与形成于半导体晶片的多个半导体芯片接触而进行半导体芯片...
  • 本发明涉及一种克服翘曲晶圆的载台装置,包括载台单元、上料手臂单元和翘曲晶圆产品;载台单元从下往上依次包括载台主腔下体和载台主腔上体顶升机构驱动上方的顶升载台上下移动,在顶升载台的顶部安装有若干个顶升载台吸盘,在顶升载台外侧的载台主腔上体的顶...
  • 本发明为一种半导体设备的吸附式承载盘,其中吸附式承载盘的一第一表面用以承载及吸附一晶圆或一承载基板。吸附式承载盘包括一主体、多个第一连接孔、多个第二连接孔及至少一缓冲空间,其中第一连接孔连接主体的第一表面,第二连接孔连接主体的第二表面,而缓...
  • 本申请提供一种晶圆真空吸盘的应力监控装置和方法,该应力监控装置包括应力传感器、信号处理单元、逻辑判断单元、运动控制单元和报警装置,对吸附销的运动进行实时应力监控,有效防止因拉应力过大而导致吸附销被拉断事件的发生。
  • 本发明公开了一种微波芯片生产用自动化上下料设备,涉及上下料技术领域,旨在解决机械臂内部的零部件运动时容易产生微小的尘埃颗粒,这些尘埃颗粒容易造成芯片的短路、开路或降低绝缘性能的技术问题,包括机械臂主体,机械臂主体执行端布置有晶圆抓取组件,晶...
  • 本发明公开了一种硅显示板抽真空式吸附机构,包括移动平台上设有吸附台;吸附台上活动设有多组吸嘴,吸嘴顶端放置有显示板;还包括驱动件,且驱动件设于吸附台内,驱动件传动连接吸嘴,且驱动件控制吸嘴具有两个状态:第一状态;吸嘴在显示板的压力下移与驱动...
  • 本发明公开了一种激光解键合设备及键合晶圆分离机械手,涉及晶圆加工领域,包括吸附件、旋转臂、转轴、伸缩臂、安装板、移动驱动件、限位件、A复位件和B复位件;定义:安装板的长度方向为X向,转轴的轴向为Y向,X向与Y向相垂直;安装板连接用于驱动安装...
  • 本发明涉及一种晶圆加工用预定位设备,包括:工作台,所述工作台的顶端面转动设置有基座,所述基座与所述工作台之间设置有转动驱动装置,所述基座的顶端面移动设置有承移定心板,所述承移定心板与所述基座之间设置有平移驱动装置;能够在对晶圆进行寻边前先将...
  • 本发明公开了一种侧立式晶圆上料装置及固晶机,侧立式晶圆上料装置包括顶针组件、晶圆环保持组件和转接组件,所述晶圆环保持组件包括竖直设置的晶圆环保持座、晶圆底座和晶圆环旋转驱动件,所述晶圆环保持座用于安装晶圆环,所述晶圆环保持座转动连接于晶圆底...
  • 本申请涉及静电卡盘的技术领域,尤其涉及一种多温区静电卡盘的制作方法及多温区静电卡盘。包括:在各待处理单层板上形成若干板间互联单元,得到待集成单层板;将同一集成对内的两个待集成单层板通过板间互联单元对位形成初始堆叠板;在板间互联单元处进行镀铜...
  • 本发明公开了一种晶圆固定装置及晶圆干燥装置。该晶圆固定装置包括:固定底座和旋转底座,该旋转底座上固定设有静电吸盘;多个均布在旋转底座周侧的对中组件,每个对中组件均包括外壳以及沿晶圆轴向对称设置在外壳上的上柔性垫块和下柔性垫块,外壳能够沿旋转...
  • 本发明公开一种一体化压制成型的碳化硅静电卡盘及其制备方法,碳化硅静电卡盘包括有基座、邦定材料层以及陶瓷片;该邦定材料层贴合固定在基座的表面;该陶瓷片贴合固定在邦定材料层的表面,该陶瓷片采用一体化压制成型方法获得,其中设有具备发热以及吸附功能...
  • 本发明属于半导体制造设备技术领域,尤其涉及一种嵌入式电极氮化铝静电卡盘及其制造方法;采用丝网印刷技术在氮化铝生坯表面预置钨浆电极图案;将印刷好电极的氮化铝生坯先进行排胶处理,然后在N22‑H22混合气氛中共烧;利用激光加工技术在静电卡盘表面...
  • 本发明公开了一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法,属于半导体制造设备技术领域。采用AlN‑SiCw复合材料(SiC晶须含量5‑8vol%)为基体,表面渗透含硼玻璃相(B22O33‑SiO22,软化点850℃)修复层,内部设置16个独立控...
  • 一种静电吸盘,所述静电吸盘包括(a)具有顶表面的静电吸盘主体,所述主体配置为支撑样本;(b)在所述静电吸盘主体内形成的空间,所述空间有上方开口;(c)尖锐导电元件;(d)遮蔽电极;及(e)运动单元,所述运动单元配置为将所述遮蔽电极置于遮蔽位...
  • 本发明涉及基板支撑装置,即使是基板载置于从既定的位置偏移的位置时,也能够将该基板导引至既定的位置,且将基板支撑在既定的位置。基板支撑装置具备:多个支撑体,可将基板支撑在既定的基板支撑位置;支撑体分别具有可与基板的侧面接触而支撑基板的至少一个...
  • 本发明公开了一种预对准器的偏差补偿方法和半导体器件的工艺设备。该偏差补偿方法包括以下步骤:将定标片放置于所述预对准器上,获取所述定标片的偏转角作为角度基准,其中,所述定标片为定位缺口无遮挡的晶圆片;将产品片放置于所述预对准器上,获取所述产品...
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