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最新专利技术
  • 一种太阳能电池及其制备方法和电池组件
    一种太阳能电池及其制备方法和电池组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201878.4
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件，涉及太阳能电池技术领域。本发明改进了第一极性区域和第二极性区域之间的隔离区域结构，该隔离区域包括第一子隔离区、沟槽区域和第二子隔离区，利用第一子隔离区和第二子隔离区避免了钝化膜层与基底未完全...
    2026-03-28
  • 分级型硅纳米线超表面及其制作方法、硅基光电探测器
    分级型硅纳米线超表面及其制作方法、硅基光电探测器_湖北九峰山实验室_202511610989.2
    本申请涉及探测器的技术领域，具体涉及一种分级型硅纳米线超表面及其制作方法、硅基光电探测器，硅基光电探测器包括分级型硅纳米线超表面；分级型硅纳米线超表面包括硅基底，所述硅基底一侧包括侧顶面、沿所述侧顶面刻蚀生成的至少一级凹槽面，任意一级所述凹...
    2026-03-28
  • n型掺杂氮化物半导体材料及其制备方法
    n型掺杂氮化物半导体材料及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202511979574.2
    本发明公开一种n型掺杂氮化物半导体材料及其制备方法，其中，n型掺杂氮化物半导体材料包括n型掺杂氮化物综合层；n型掺杂氮化物综合层包括n型掺杂氮化物层和嵌入在n型掺杂氮化物层中的窄禁带氮化物纳米岛；n型掺杂氮化物层的材料为宽禁带氮化物。由于本...
    2026-03-28
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197654.0
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池技术领域。所述太阳能电池包括半导体基底，所述半导体基底的第一表面包括第一极性区域和第二极性区域，以及设置于所述第一极性区域和第二极性区域之间的间隔区域；所述第一极性区域的半导体基...
    2026-03-28
  • 晶面选择性负载TiO2-BiVO4异质结结构光阳极材料及构建方法和应用
    晶面选择性负载TiO2-BiVO4异质结结构光阳极材料及构建方法和应用_中国科学院海洋研究所_202511809069.3
    本发明属于光电功能材料与表界面结构调控领域，特别涉及一种晶面选择性负载TiO2‑BiVO4异质结结构光阳极材料及构建方法和应用。光阳极材料为BiVO4的选择性分别富集在TiO2纳米片的不同晶面上发生选择性富集并形成界面能带匹配的外延结构材料...
    2026-03-28
  • 一种直立石墨烯异质结、应用和制备方法
    一种直立石墨烯异质结、应用和制备方法_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511770403.9
    本发明涉及一种直立石墨烯异质结、应用和制备方法，包括层状设置的衬底和直立石墨烯层，所述直立石墨烯层内部具有二氧化锡量子点。二氧化锡量子点具有宽禁带特性，其能够与衬底形成具有较高势垒的异质结，从而显著抑制暗电流、降低器件噪声，并且在器件界面处...
    2026-03-28
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_河北大学_202511898331.6
    本申请公开了一种光伏组件及其制备方法，涉及太阳电池技术领域，该光伏组件制备方法包括：提供异质结晶体硅太阳能电池片，异质结晶体硅太阳能电池片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均设置有本征氢化非晶硅薄膜；对异质结晶体硅太阳能电...
    2026-03-28
  • 激光诱导氧锌镁纳米条纹日盲紫外光电探测器及制备方法
    激光诱导氧锌镁纳米条纹日盲紫外光电探测器及制备方法_长春理工大学_202610196636.0
    本发明涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种激光诱导氧锌镁纳米条纹日盲紫外光电探测器及制备方法。方法包括：清洗衬底；以ZnO‑MgO的复合靶材为溅射源，采用射频磁控溅射技术在预处理后的衬底上沉积MgZnO薄膜；搭建飞秒激光加工系统，通过倍频晶...
    2026-03-28
  • 太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件_安徽晶科能源有限公司_202610178799.6
    本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，制造方法包括：提供一基底，第一表面包括在第一方向上交替设置的第一区域和非第一区域，非第一区域包括间隔区域和第二区域，间隔区域位于相邻的第一区域和第二区域之间；在第一表面上形成第一掩膜层，并至少...
    2026-03-28
  • 一种基于热丝化学气相沉积技术制备N型TOPCon电池的方法
    一种基于热丝化学气相沉积技术制备N型TOPCon电池的方法_正奇光能科技有限公司_202511970466.9
    本发明公开了一种基于热丝化学气相沉积技术制备N型TOPCon电池的方法，属于光伏电池制备的技术领域，采用W‑Re(钨(W)与铼(Re)按特定比例熔合制成的耐高温合金丝)合金热丝组件，配合多区独立控温设计，热丝寿命延长至1000小时以上，同时...
    2026-03-28
  • 一种电池片成串设备及成串方法
    一种电池片成串设备及成串方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202511966962.7
    本申请提供了一种电池串成串设备及成串方法，包括移送机构、施胶机构、固化机构、输送机构及成串机构。施胶机构对电池片上表面的第一边缘施以多个间隔排布的胶点，且胶点位置与垂直于第一边缘的焊带焊接迹线错开。固化机构对胶点进行固化。成串机构将电池片与...
    2026-03-28
  • 一种InAs或GaSbII类超晶格长波红外探测器的钝化方法
    一种InAs或GaSbII类超晶格长波红外探测器的钝化方法_南京国科半导体有限公司_202511934053.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种InAs或GaSb II类超晶格长波红外探测器的钝化方法，N2等离子体预处理抑制了氧化层Ga2O3、Sb2O3等再生，为ODT分子吸附提供清洁界面；ODT硫化形成一个高度有序、致密的自组装单分子层S...
    2026-03-28
  • 一种基于静电排斥技术的图形化方法
    一种基于静电排斥技术的图形化方法_扬州大学_202511909792.9
    本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及基于静电排斥技术的图形化方法，包括：在单晶硅片正面和或背面制备氧化硅层；在氧化硅层表面图形化沉积二维范德瓦尔材料；其中，附着有二维范德瓦尔材料的氧化硅层记作覆盖区域，其余区域记作未覆盖区域；使用氢氟酸溶...
    2026-03-28
  • 一种砷化镓薄膜电池的衬底剥离与再生方法
    一种砷化镓薄膜电池的衬底剥离与再生方法_扬州大学_202511908986.7
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种砷化镓薄膜电池的衬底剥离与再生方法，包括以下步骤：在砷化镓衬底上形成一多孔砷化镓层；在多孔砷化镓层上外延生长太阳能电池结构；将太阳能电池结构的表面与一支撑衬底进行键合；施加机械应力使太阳能电池结...
    2026-03-28
  • 一种光伏组件制备方法及光伏组件
    一种光伏组件制备方法及光伏组件_河北大学_202511898373.X
    本申请公开了一种光伏组件的制备方法及光伏组件，涉及太阳电池技术领域，包括：提供切割后的晶体硅太阳能电池片，晶体硅太阳能电池片包括切割面；在切割面上形成侧壁钝化层，侧壁钝化层包括至少一层本征氢化非晶硅薄膜；对晶体硅太阳能电池片进行封装，以形成...
    2026-03-28
  • 半导体基片的边缘钝化设备
    半导体基片的边缘钝化设备_河北大学_202511887277.5
    本申请公开了一种半导体基片的边缘钝化设备，涉及钝化设备领域，半导体基片的边缘钝化设备包括：设备炉体，设备炉体具有腔体；设置在腔体内的坩埚，坩埚设置在腔体的底部，坩埚用于放置钝化主材；设置在腔体内的装料盒，装料盒设置在腔体的顶部，装料盒朝向腔...
    2026-03-28
  • 基于激光烧蚀纳米粉体的减反陷光胶体及制备方法和应用
    基于激光烧蚀纳米粉体的减反陷光胶体及制备方法和应用_青岛理工大学_202511870718.0
    本发明涉及纳米材料与光学功能涂层技术领域，公开了一种基于激光烧蚀纳米粉体的减反陷光胶体及其制备方法和应用。所述方法包括：采用激光烧蚀原材料得到粒径分布均匀且表面具有氧化层的纳米粉；将所述纳米粉体与溶剂、分散剂和/或表面活性剂混合，经分散处理...
    2026-03-28
  • 一种TOPCon电池双面镀膜设备及镀膜方法
    一种TOPCon电池双面镀膜设备及镀膜方法_一道新能源科技股份有限公司_202511866133.1
    本发明涉及光伏电池技术领域，公开了本发明提供一种TOPCon电池双面镀膜设备及镀膜方法，包括：旋转环，通过轴承可转动设置于固定环的内表面，固定环固定设置于操作平台上；驱动机构，旋转环沿轴向延伸至固定环的外部，位于固定环外部的旋转环为连接环，...
    2026-03-28
  • 一种全磁控溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法
    一种全磁控溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法_云南师范大学_202511816334.0
    本发明属于光电材料新能源技术领域，具体涉及一种全磁控溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法，通过磁控溅射制备出Cu‑Zn‑Sn金属预制层薄膜后，经高温硫化制备出CZTS薄膜吸收层；在吸收层上方通过磁控溅射制备出厚度为50nm的CdS缓冲层薄膜，...
    2026-03-28
  • 一种具有多层金属电极结构的自支撑器件及其制备方法
    一种具有多层金属电极结构的自支撑器件及其制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511722931.7
    本发明涉及电极技术领域，具体涉及一种具有多层金属电极结构的自支撑器件及其制备方法，包括S1：在(111)取向STO衬底上外延生长SAO牺牲层、SRO底电极层、BFO铁电层；S2：采用磁控溅射方法在BFO铁电层沉积Cr/Cu/Au层，形成顶电...
    2026-03-28
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