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最新专利技术
  • 防眩光膜和包括防眩光膜的显示设备
    防眩光膜和包括防眩光膜的显示设备_三星电子株式会社_202480061251.2
    一种防眩光膜包括：基材；漫射层，设置在基材的上表面上并且包括从漫射层的上表面突出的多个突起；以及低反射层，设置在漫射层的上表面上。漫射层的多个突起所突出的高度高于低反射层的上表面的高度。
    2026-04-29
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001630.2
    本公开提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括：衬底基板；位于衬底基板的一侧，且沿远离衬底基板的方向依次层叠的像素电路层、黑色像素界定层、封装层和平坦层，黑色像素界定层具有多个第一开口，平坦层具有多个第二开口...
    2026-04-29
  • 显示装置和包括显示装置的电子装置
    显示装置和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202480061099.8
    显示装置包括：发光元件，设置在基板上并且生成预设颜色的光；以及颜色转换层，设置在发光元件上并且包括在紫外‑可见吸收光谱中包含第一吸收峰的第一量子点和与第一量子点不同并且在紫外‑可见吸收光谱中不包含第一吸收峰的第二量子点。
    2026-04-29
  • 显示装置、显示模块、电子设备
    显示装置、显示模块、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480058631.0
    提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖的显示装置。使用一种包括第一发光器件、第二发光器件、第一导电层、第一层及第二层的显示装置。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一单元，第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，第一单元包含发光性材料。第...
    2026-04-29
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480060596.6
    本发明的一实施例公开一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，其中所述非显示区域包括设置在所述显示区域的一侧的第一区域以及在所述显示区域与所述第一区域之间的第二区域。所述显示装置包括：第一部分，布置在所述第一区域中；多个第一岛部分，布置在所述...
    2026-04-29
  • 发光基板和制造发光基板的方法
    发光基板和制造发光基板的方法_京东方科技集团股份有限公司_202480000342.5
    提供了一种发光基板。发光基板包括：衬底基板；一个或多个焊盘，其位于衬底基板上；一个或多个绝缘层，其位于一个或多个焊盘的远离衬底基板的一侧，其中，一个或多个焊盘的区域，具有贯穿一个或多个绝缘层的一个或多个过孔；一个或多个焊料，其位于一个或多个...
    2026-04-29
  • 发光二极管和发光装置
    发光二极管和发光装置_天津三安光电有限公司_202380101509.2
    本发明公开发光二极管，其包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层自第一表面至第二表面方向包括第一有源层，第二有源层和第三有源层，所述第一有...
    2026-04-29
  • 一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法及用于实施该方法的装置
    一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法及用于实施该方法的装置_CE面板工程有限公司_202480061056.X
    本发明涉及一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法，其中首先提供带有接触栅的硅太阳能电池，其中接触栅与电压源的其中一极电连接的第一接触装置(4)接触，并用电压源施加与硅太阳能电池正向相反且小于硅太阳能电池击穿电压的电压，在施加该电压...
    2026-04-29
  • 在BCD制程中产生埋置p-n接面的方法、BCD衬底和以此为基础的单光子雪崩二极管
    在BCD制程中产生埋置p-n接面的方法、BCD衬底和以此为基础的单光子雪崩二极管_艾尔默斯半导体欧洲股份公司_202480060641.8
    本发明涉及一种在BCD制程中产生埋置p‑n接面的方法、一种具有埋置p‑n接面的BCD衬底和一种以此为基础的单光子雪崩二极管(英文为“single‑photon avalanche diode, SPAD”)，特别是一种借助在载体衬底与生长于...
    2026-04-29
  • 用于引起布局相关阈值电压偏移的器件结构
    用于引起布局相关阈值电压偏移的器件结构_苹果公司_202480061157.7
    用于集成电路器件的器件布局，该集成电路器件包括由与有源栅极相邻的替代功函数金属的放置引起的阈值电压偏移。器件布局包括用于器件中的有源区的单个外延，其中在布局中的有源区行之间具有公共源极/漏极区。在一行或多行有源区上方的金属栅极区段可在布局的...
    2026-04-29
  • 用于纳米片器件的虚设单元设计
    用于纳米片器件的虚设单元设计_苹果公司_202480059836.0
    公开了实现纳米片鳍晶体管的各种集成电路晶体管器件结构。用于晶体管器件结构的布局包括有源单元，其中虚设单元定位在有源单元之间。有源单元和虚设单元可以包括具有不同宽度的纳米片鳍区。在某些实例中，不同纳米片鳍区宽度之间的过渡(例如，宽度上的突变)...
    2026-04-29
  • 层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法
    层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法_株式会社尼康_202480060670.4
    一种层叠体，依次包括基板、胺产生层、铜配线层及铜配线保护层。
    2026-04-29
  • 碳化硅功率MOSFET及其制造方法
    碳化硅功率MOSFET及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060196.5
    提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在碳化硅衬底的表面上植入富硅层，以及在碳化硅衬底的表面上的富硅层上生长栅极氧化物层。
    2026-04-29
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062041.5
    半导体结构可以包括衬底、形成在衬底上的有源区、沿平行于衬底的表面的第一方向在有源区上延伸的栅极区，以及在平行于表面且垂直于第一方向的第二方向上在有源区内并且与栅极区相邻形成的源极区。源极区可以包括第一子区域和第二子区域，使得第二子区域在第一...
    2026-04-29
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_富士电机株式会社_202580004798.3
    碳化硅半导体装置(10)具备第一导电型的碳化硅半导体基板(11)、第一导电型的第一半导体层(12)、重复交替地配置有第一导电型的第一柱区(25)和第二导电型的第二柱区(24)的并列pn区(26)、第二导电型的第二半导体层(13)、第一导电型...
    2026-04-29
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004769.7
    本发明提供一种半导体装置，其是具备晶体管部和二极管部的半导体装置，所述半导体装置具备第一导电型的漂移区、多个沟槽部、第二导电型的基区、掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区、以及掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的接触区，多个...
    2026-04-29
  • 具有占位位置余量的半导体结构
    具有占位位置余量的半导体结构_国际商业机器公司_202480059699.0
    提供了一种具有改进的占位位置裕度的半导体结构。在实施例中，半导体结构包括纳米片晶体管，该纳米片晶体管包括多个间隔开且竖直叠堆的半导体沟道材料纳米片、包绕每个半导体沟道材料纳米片的栅极结构、位于栅极结构的第一侧上的第一源极/漏极区和位于栅极结...
    2026-04-29
  • 半导体装置
    半导体装置_TDK株式会社_202480060843.2
    本发明的技术问题在于在具有在漂移层设置有外周沟槽的构造的半导体装置中有效地抑制施加了反向电压时产生的电场的集中。半导体装置(1)具备：半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、与漂移层(30)接触的阳极电极(40)、以...
    2026-04-29
  • 半导体装置
    半导体装置_TDK株式会社_202480060832.4
    本发明的技术问题在于在具有在漂移层设置有外周沟槽的构造的半导体装置中有效地抑制施加了反向电压时产生的电场的集中。半导体装置(1)具备：半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、与漂移层(30)接触的阳极电极(40)、以...
    2026-04-29
  • 半导体器件
    半导体器件_罗姆股份有限公司_202480059385.0
    半导体器件具有：半导体基板(1)；设置于半导体基板(1)上的绝缘层(2)；埋设于绝缘层(2)内，将多个电阻层电连接而成的电阻器(R)；与电阻器(R)的第一端部电连接的第一电极(E1)；与电阻器(R)的第二端部电连接的第二电极(E2)；和多个...
    2026-04-29
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