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五金工具产品及配附件制造技术
  • 喷淋装置及沉积设备
    喷淋装置及沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202520594742.5
    本实用新型提供了一种喷淋装置及沉积设备，包括：喷淋腔体，内部中空且底部间隔地设有若干个喷淋孔；分隔板，设于喷淋腔体内且将喷淋腔体内的空间分隔为上层空间和下层空间，分隔板底面间隔地设有若干个导流件，导流件穿过下层空间并伸入对应的喷淋孔内，导流...
    2026-03-02
  • 热镀锌用的产品氧化还原预处理装置
    热镀锌用的产品氧化还原预处理装置_深州市创力科技有限公司_202520088417.1
    本实用新型公开了热镀锌用的产品氧化还原预处理装置，涉及钢丝镀锌技术领域，包括前箱体、后箱体和抛丸室，所述抛丸室的两侧分别安装有前箱体和后箱体，所述抛丸室的为正八边形形状，所述抛丸室的四个斜面上均安装有抛丸机，所述抛丸室底部安装有出料管，所述...
    2026-03-02
  • 一种晶圆加热盘升降结构
    一种晶圆加热盘升降结构_上海悦匠实业有限公司_202520456080.5
    本实用新型提供一种晶圆加热盘升降结构，包括加热盘夹具、夹具安装结构、升降传动结构、电机安装结构和驱动电机，夹具安装结构包括导轨基板和导轨，导轨上设置有滑块；升降传动结构包括丝杆组件和皮带组件，丝杆组件包括丝杆和丝杆螺母，丝杆螺母连接加热盘夹...
    2026-03-02
  • 一种含陶瓷阻挡层的多层涂层结构及其制备方法
    一种含陶瓷阻挡层的多层涂层结构及其制备方法_中国航发北京航空材料研究院_202410326727.2
    本发明提供了一种含陶瓷阻挡层的多层涂层结构的制备方法。与现有技术相比，本发明所制备的热生长氧化物层为α‑Al22O33膜层，具有致密的hcp(密排六方晶格)晶体结构，扩散系数低，无明显缺陷，具有良好的高温稳定性(不易发生相变)，可有效阻止金...
    2026-03-02
  • 一种用于MPCVD设备的基片台调整装置
    一种用于MPCVD设备的基片台调整装置_郑州势垒科技有限公司_202520319648.9
    本实用新型公开了一种用于MPCVD设备的基片台调整装置，涉及调整装置技术领域，包括底盘和调整组件；底盘：上端安装有导向组件；调整组件：包含固定柱、条形口、移动块、螺纹杆、固定架、安装盘和第一电机，所述底盘的上端固定有固定柱，所述固定柱的圆周...
    2026-03-02
  • 有限空间内钢板在线成锈及锈层稳定化处理方法及设备
    有限空间内钢板在线成锈及锈层稳定化处理方法及设备_宝山钢铁股份有限公司_202210305278.4
    本发明公开了一种有限空间内钢板在线成锈及锈层稳定化处理方法及设备，利用化学方法在线完成钢板的成锈处理，使钢板表面生成均匀锈层，然后在钢板表面喷淋锈层快速稳定化试剂，在线完成钢板锈层的快速稳定化过程，最终实现在有限空间内完成钢板的成锈及锈层稳...
    2026-03-02
  • 一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法
    一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法_杭州芙尧科技有限公司_202511433038.2
    本发明涉及金属改性技术领域，尤其涉及一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法。本发明针对现有技术中不锈钢自带的防锈能力较差的问题，提供一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法，包括对不锈钢基材进行表面清洁的前处理步骤；去除不锈钢基材表面部分...
    2026-03-02
  • 一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法
    一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法_湖南科技大学_202511725586.2
    本发明公开了一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法，刀具包括刀具基体和设置在刀具基体表面的多层纳米涂层，所述多层纳米涂层从内向外依次包括过渡层、功能层和保护层；所述功能层包括交替设置的耐磨层和润滑层，所述功能层中的最上层和最下层为耐磨层。制...
    2026-03-02
  • 一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积设备
    一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积设备_四川省机械研究设计院(集团)有限公司_202511577632.9
    本发明涉及电子束物理气相沉积技术领域，具体涉及一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积设备，包括沉积室系统，其中气相沉积室设置至少两处电子枪连接位，和若干处偏转封闭结构，至少两处偏转封闭结构与电子枪连接位一一对应并用以封闭或开启气相沉积室壁...
    2026-03-02
  • 一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统
    一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统_四川省机械研究设计院(集团)有限公司_202511577584.3
    本发明涉及电子束气相沉积技术领域，具体涉及一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统，包括：转架，转动连接若干工装座，发动机叶片设于工装座上并同步自转；公转组件，包括公转驱动器和公转杆，公转杆连接转架并带动转架公转；自转组件，包括自...
    2026-03-02
  • 抗腐蚀与雷达-红外兼容隐身功能一体化涂层及其制备方法
    抗腐蚀与雷达-红外兼容隐身功能一体化涂层及其制备方法_北矿新材科技有限公司_202511736876.7
    本申请提供一种抗腐蚀与雷达‑红外兼容隐身功能一体化涂层及其制备方法，涉及金属材料镀覆领域。一体化涂层设置在陶瓷基材上；一体化涂层包括粘结层、抗腐蚀层、雷达吸波层和红外隐身层，抗腐蚀层包括第一子抗腐蚀层、第二子抗腐蚀层和第三子抗腐蚀层，形成第...
    2026-03-02
  • 提高铝合金活塞耐磨性的方法及制备的活塞零件
    提高铝合金活塞耐磨性的方法及制备的活塞零件_济宁学院_202511570241.4
    本发明公开了一种提高铝合金活塞耐磨性的方法及制备的活塞零件，属于机械制造技术领域。其技术方案为：通过物理气相沉积技术对活塞表面进行涂层处理以制备具有良好耐磨性的铝合金活塞，结合了AlMo、AlMoB、MoO33三种材料以及多层复合结构的优点...
    2026-03-02
  • 形成石墨烯膜的方法
    形成石墨烯膜的方法_周星工程股份有限公司_202480042111.0
    本公开示例性实施例提供了一种在腔室内在基板上形成石墨烯膜的方法，该方法包括将含硅气体供应到基板上、将含碳气体供应到基板上并形成氩等离子体，以及在基板上形成氩等离子体。因此，根据本公开示例性实施例，可以通过沉积方法容易地形成石墨烯膜。也就是说...
    2026-03-02
  • 一种用于甲醇汽车发动机表面改性的梯度多级多层B掺杂碳薄膜及其制备方法
    一种用于甲醇汽车发动机表面改性的梯度多级多层B掺杂碳薄膜及其制备方法_兰州理工大学_202511715978.0
    本发明公开了一种用于甲醇汽车发动机表面改性的梯度多级多层B掺杂碳薄膜及其制备方法，属于表面处理技术领域。该梯度多级多层B掺杂碳薄膜包括用于在甲醇汽车发动机金属部件表面依次设置的Cr打底层、CrC过渡层、CrxxByyCzz梯度过渡层以及B掺...
    2026-03-02
  • ALD源瓶
    ALD源瓶_扬州德沪智能装备有限公司_202520565530.4
    本实用新型公开了ALD源瓶，属于ALD镀膜设备技术领域。ALD源瓶包括瓶体、测量连接管及浮球式液位传感器；测量连接管的底端伸入瓶体内，顶端沿Z轴向上密封穿出至瓶体外；浮球式液位传感器位于瓶体内，测量连接管上沿Z轴间隔连接有若干浮球式液位传感...
    2026-03-02
  • 一种表面含复合膜层的钛合金及其制备方法和含其的输电线路
    一种表面含复合膜层的钛合金及其制备方法和含其的输电线路_国网陕西省电力有限公司电力科学研究院_202511566386.7
    本发明属于金属表面加工领域，具体涉及一种表面含复合膜层的钛合金及其制备方法和含其的输电线路。本发明的钛合金具有纳米尺度的凹凸结构以及附着于凹凸结构表面上的复合膜层，可以明显提高钛合金的耐腐蚀性、耐磨性及界面附着力，使其更合适应用于输电线路，...
    2026-03-02
  • 一种半导体wafer化学沉积工艺
    一种半导体wafer化学沉积工艺_大连皓宇电子科技有限公司_202511738550.8
    本发明提供一种半导体wafer化学沉积工艺，步骤为：S0，调试陶瓷环，S1，调整传送腔和工艺腔处于底压状态，将待沉积晶圆传入工艺腔中，S2，通入气体，开启射频，开始沉积薄膜；S3，停止通入沉积气体，保留射频消耗未反应气体；S4，通入氮气，吹...
    2026-03-02
  • 一种相对封闭区域固相法制备石墨烯的方法
    一种相对封闭区域固相法制备石墨烯的方法_华中科技大学_202111363171.7
    本发明属于材料制备技术领域，更具体地，涉及一种相对封闭区域固相法制备石墨烯的方法。该方法在衬底上沉积碳源层和催化金属层后得到石墨烯制备前驱体，直接将该石墨烯制备前驱体倒置或者在该前驱体表面放置惰性盖体，形成封闭区域，然后加热退火制备得到免转...
    2026-03-02
  • 一种AlOxP-型偶极子MOS器件及其制备方法
    一种AlOxP-型偶极子MOS器件及其制备方法_复旦大学_202610071487.5
    本发明提供一种AlOxx P‑型偶极子MOS器件及其制备方法，包括自下而上设置的P型硅衬底、SiO22薄膜、HfO22薄膜、AlOxx薄膜、TiN薄膜以及W薄膜，且P型硅衬底的硅片背面沉积有Ni薄膜，在HfO22薄膜上沉积超薄AlOxx d...
    2026-03-02
  • 一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法
    一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511673021.4
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法。所述铥掺杂氧化亚锡薄膜包括从下到上依次堆叠的衬底、Tm : SnO材料层和封装层；以Tm : SnO材料层的原子总含量计，所述Tm : SnO材料层中Tm的掺杂浓度为2‑...
    2026-03-02
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