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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种高压调谐振杆的电镀工艺
    一种高压调谐振杆的电镀工艺_万明电镀智能科技(东莞)有限公司_202511634850.1
    本申请涉及调谐件电镀加工领域，公开一种高压调谐振杆的电镀工艺，包括以下步骤：S1、谐振杆前处理；S2、使用第一处理剂对前处理的谐振杆进行浸泡处理，制得初处理谐振杆；S3、初处理谐振杆预镀铜处理；S4、对预镀铜的谐振杆使用第二处理剂进行浸泡处...
    2026-03-01
  • 一种工业固体废料在回转窑的回收再利用装置
    一种工业固体废料在回转窑的回收再利用装置_宣威市金泰资源综合利用有限公司_202520324148.4
    本实用新型公开了一种工业固体废料在回转窑的回收再利用装置，包括装置本体、输送带装置、电子计量皮带称，输送带装置设置在装置本体下方，电机计量皮带称设置在输送带装置右侧，装置本体、输送带装置、电子计量皮带称与生产车间控制柜电信连接；所述的装置本...
    2026-03-01
  • T型结构激光焊接方法
    T型结构激光焊接方法_中国航空制造技术研究院_202411443967.7
    本发明提供了一种T型结构激光焊接方法，包括以下步骤：制备合金粉末；建立冷喷涂工艺参数与合金粉末沉积层厚度及致密度的关联性；在蒙皮与长桁的接触面上设计表面沉积层，在蒙皮与长桁的待焊区域设计焊脚沉积层；对蒙皮和长桁进行表面清洗；采用第一冷喷涂工...
    2026-03-01
  • 一种电能表PCB板分离装置及系统
    一种电能表PCB板分离装置及系统_国网山东省电力公司日照供电公司_202512055201.2
    本发明涉及自动拆分设备技术领域，具体涉及一种电能表PCB板分离装置，包括工作台，工作台上设有输送待处理电能表的分离输送线和输送分离后PCB板的分流输送线。所述工作台上还设有设于分离输送线首端的挡停分流组件、视觉识别组件、立铣组件、三相表PC...
    2026-03-01
  • 一种连续反应制备正构醛的方法
    一种连续反应制备正构醛的方法_中国天辰工程有限公司_202410646008.9
    本发明提供一种连续反应制备正构醛的方法，该方法包括以下步骤：S1，氢气气氛下，原料非共轭烯丙醇在第一催化剂作用下进行异构化反应，得到第一混合物料；S2，向所述第一混合物料中加入第二催化剂进行加氢反应，得到第二混合物料；S3，所述第二混合物料...
    2026-03-01
  • 基于酶解和密封美拉德反应提升花生乳天然香味的方法和花生乳
    基于酶解和密封美拉德反应提升花生乳天然香味的方法和花生乳_渤海大学_202511743842.0
    本申请描述了一种基于酶解和密封美拉德反应提升花生乳天然香味的方法和花生乳。本申请基于酶解和密封美拉德反应提升花生乳天然香味的方法，包括：提供花生乳基料；使用单一酶或复配酶在45℃～65℃下对花生乳基料进行酶解处理，全程不调节pH，得到酶解产...
    2026-03-01
  • 一种高表面光洁度、高油漆附着力的再生聚丙烯复合材料及其制备方法
    一种高表面光洁度、高油漆附着力的再生聚丙烯复合材料及其制备方法_上海普利特复合材料股份有限公司_202411978031.4
    本发明公开了一种高表面光洁度、高油漆附着力的再生聚丙烯复合材料及其制备方法，其包括以下重量百分比的原料：再生聚丙烯树脂46～75，高性能复合母粒15～30，弹性体10‑20，抗氧剂0.2‑1，其它助剂0.2‑3。本发明采用一种高性能复合母粒...
    2026-03-01
  • 一种磁性颗粒膜及其制备方法
    一种磁性颗粒膜及其制备方法_中山大学_202310859091.3
    本发明公开了一种磁性颗粒膜及其制备方法。本发明磁性颗粒膜的制备方法包括：石英基体经金属蒸汽真空弧离子注入过程、激光退火过程，得到磁性颗粒膜。本发明通过结合金属蒸汽真空弧离子注入技术与纳秒激光退火，并通过特定工艺参数设置于控制，得到适合透明基...
    2026-03-01
  • 新型塔式起重机防倾覆顶升安全保护装置
    新型塔式起重机防倾覆顶升安全保护装置_山东能源集团建工集团有限公司三十七处_202521132904.X
    本实用新型涉及一种新型塔式起重机防倾覆顶升安全保护装置，为填补现有技术空白，本新型塔式起重机防倾覆顶升安全保护装置包括标准节、外套架、顶升机构和引进机构，顶升机构包括顶升油缸、顶升横梁和爬爪，引进机构包括引进平台和设置在引进平台上的引进导轨...
    2026-03-01
  • 一种半导体器件电极及其保护层制备方法
    一种半导体器件电极及其保护层制备方法_江苏汉可智能装备有限公司_202511520770.3
    本发明公开了一种半导体器件电极及其保护层制备方法，包括：金属电极和HoFCVD设备，所述金属电极利用HoFCVD设备在其表面通过沉积的方式覆盖保护层。本发明利用氮化硅或氮氧化硅具有良好的耐候性和化学稳定性，覆盖在电极上方，可以起到隔绝外界环...
    2026-03-01
  • 一种桩基施工的材料吊装设备
    一种桩基施工的材料吊装设备_中铁二局集团有限公司_202511934008.X
    本发明涉及建筑施工技术领域，具体涉及一种桩基施工的材料吊装设备，包括：机架，所述机架的外壁开设有多个配重插口，所述机架的底端外壁固定连接有万向轮，并沿其外壁呈周向分布，所述机架的外壁通过支撑架转动连接有绞盘，所述绞盘的外壁固定连接有吊绳，所...
    2026-03-01
  • 一种基于氧空位工程的太赫兹信号调制方法
    一种基于氧空位工程的太赫兹信号调制方法_陕西理工大学_202610056198.8
    本发明涉及太赫兹技术与信号处理技术领域，尤其涉及一种基于氧空位工程的太赫兹信号调制方法。通过在多层介质结构中引入氧空位调控，使功能氧化物层的光学与磁光学响应发生变化，从而增强激光激发下的瞬时电流和太赫兹辐射强度；用氧空位诱导的界面磁性重构效...
    2026-03-01
  • 一种350g/m2锌铝镁的生产方法
    一种350g/m2锌铝镁的生产方法_冠县创晟新材料有限公司_202511643607.6
    本申请涉及金属材料加工领域，具体是一种350g/m22锌铝镁的生产方法。包括以下步骤：步骤100，预处理，对板材依次进行碱洗、电解清洗、水刷洗、水漂洗，水漂洗后采用热风烘干；步骤200，退火处理，将预处理后的板材送入退火炉，在保护气体下，炉...
    2026-03-01
  • 异质结电池的制备方法
    异质结电池的制备方法_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202111134974.5
    本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括于真空环境下，在硅基衬底的上下表面制备本征非晶硅层以及在本征非晶硅层上制备掺杂层的镀膜工艺；所述镀膜工艺包括如下步骤：先以第一沉积速率在硅基衬底的上下表面沉积第一本征非晶硅层，所述第一沉积速率介于0....
    2026-03-01
  • 用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法
    用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法_国家能源集团科学技术研究院有限公司_202511480229.4
    本发明公开了一种用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法，所述高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极具备梯度层结构，且高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极包括用于与压电材料结合的粘附阻挡层和导电层，粘附阻挡层...
    2026-03-01
  • 矿石粉末粉碎装置
    矿石粉末粉碎装置_松宇电子株式会社_202480048360.0
    根据本发明的矿石粉末粉碎装置包括：供给部，用于供给矿石粉末；粉碎部，用于粉碎通过所述供给部供给的矿石粉末；动力部，与所述粉碎部连接，为所述粉碎部进行粉碎提供动力；捕集部，通过捕集管与所述粉碎部连接，用于捕集通过所述粉碎部粉碎的矿石粉末；存储...
    2026-03-01
  • 一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池
    一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池_扬州纳力新材料科技有限公司_202511719909.7
    本发明公开了一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池，制备方法包括以下步骤：S1：对待镀金属基底进行打磨处理；S2：在待镀金属基底表面制备中间过渡层；S3：在待镀金属基底的中间过渡层表面电镀制备复合铝镀层；S4：进行退火后处理；S5...
    2026-03-01
  • 一种980MPa级热镀铝硅高扩孔复相钢及其制备方法
    一种980MPa级热镀铝硅高扩孔复相钢及其制备方法_鞍钢股份有限公司_202410861843.4
    本发明提出一种980MPa级热镀铝硅高扩孔复相钢钢板及其制造方法，钢板成分按重量百分比计：C：0.08％～0.12％，Si：0.1％～0.6％，Mn：1.9％～2.7％，Cr：0.1～0.6％，Mo : 0.05％～0.3％，Ti：0.01...
    2026-03-01
  • 热镀铝硅1000MPa级DH钢冷成形钢板及其制备方法
    热镀铝硅1000MPa级DH钢冷成形钢板及其制备方法_鞍钢股份有限公司_202410857965.6
    本发明提供了一种热镀铝硅1000MPa级DH钢冷成形钢板及其制备方法，该钢板基板成分按重量百分比计如下：C：0.18％～0.24％，Si：0.6％～1.4％，Mn：1.8％～2.4％，Cr：0.1～0.4％，Mo : 0.05～0.3％，P...
    2026-03-01
  • 一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法
    一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法_南通赛可特电子有限公司_202610056236.X
    本发明公开了一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。包括以下步骤：步骤1：将蚀刻晶圆表面依次进行溅射沉积铜、等离子体原子层沉积铜，形成铜种子层，得到晶圆A；步骤2：将晶圆A置于铜电镀液中，电镀铜，得到铜互连封装结构...
    2026-03-01
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