Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明适用于激光熔覆设备技术领域,尤其涉及一种曲轴加工用激光熔覆装置,包括数控机床,且数控机床上侧的两边分别设置有主机头和副机头,所述主机头和副机头的内部分别转动连接有旋转主轴和旋转副轴,所述数控机床的上侧安装有激光熔覆机。本发明通过设置螺...
  • 本发明公开了一种渗碳炉用马弗罐结构及其工艺,涉及马弗罐结构领域。本发明包括渗碳炉本体、设置在渗碳炉本体内部的气体导入组件、冷却密封组件以及顶部密封组件;渗碳炉本体的中间空腔分别形成炉膛以及密封腔室,炉膛位于密封腔室上方;炉膛内部设置有马弗罐...
  • 本发明公开了一种高耐磨球墨铸铁的制备方法,属于球墨铸铁技术领域;该方法包括以下步骤:将球墨铸铁进行渗铝处理后氧化,制得高耐磨球墨铸铁;渗铝处理的温度为850℃~900℃;渗铝处理在渗铝剂中进行;渗铝剂由以下质量分数的制备原料组成:铝粉15%...
  • 本实用新型提供一种螺杆镀铬装置,涉及螺杆镀铬技术领域,该螺杆镀铬装置包括镀铬处理池、支撑组件、底板、立杆、中心筒,立杆与中心筒之间通过横杆连接,两个立杆的同一侧均匀设置有若干侧板,侧板的一端设置有固定座,侧板与立杆之间设置有固定轴,固定轴上...
  • 本发明属于损伤修复技术领域,尤其涉及一种基于搅拌摩擦的轻质高强零件表层损伤修复装置,包括:基座;摩擦修复模块,通过升降模块安装在基座上;修复件水平移动组件,固定端与基座固接,修复件水平移动组件的活动端用于夹持待修复件,待修复件位于摩擦修复模...
  • 本实用新型一种斜靠防脱离的真空镀膜治具,包括设置于挂具支架上的若干转动柱,转动柱上均匀设置有若干斜靠防脱离产品载入模块,斜靠防脱离产品载入模块包括固定连接在转动柱上的下部承载块,下部承载块上开设有产品斜靠槽,对应下部承载块设置有上部防脱出模...
  • 本发明属于食品技术领域,具体涉及一种含神经酸的羊奶粉及其制备方法,采用氨基酸离子液体催化神经酸与植物甾醇的酯化,将部分植物甾醇分离,得到复合物;使用部分羊奶粉与分离得到的部分植物甾醇在水中混合,再加入复合物,混合均匀后干燥,得到复合颗粒;将...
  • 本实用新型属于热处理装备技术领域,具体涉及一种可悬挂多个机床主轴的可控气氛井式渗氮炉。本实用新型提供的悬挂吊具搭载在连接板上,悬挂吊具下方悬挂机床主轴进行气体渗氮处理,避免了高温条件下非轴向重力作用,引起轴类零件变形,进而发生一定程度弯曲的...
  • 本实用新型公开了一种混气输送结构和半导体器件的工艺设备。该混气输送结构包括:基体,位于反应腔的进气口,其内部插入破气塞,其中,所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝;以及所述破气塞,其侧壁上设有多个破气孔,注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述...
  • 本发明公开了一种带有光斑整形激光绿色修复金属再制造一体机,属于激光加工技术领域。该带有光斑整形激光绿色修复金属再制造一体机,包括加工台和机械臂,机械臂设置有两个,一侧机械臂上设置有激光头,另一侧机械臂上设置有送丝机构。该带有光斑整形激光绿色...
  • 本发明公开了一种镁合金氟化镀液,涉及氟化镀液技术领域,该镁合金氟化镀液包括以下质量份数的成分:镍盐4‑8份、络合剂10‑20份、氟化物1‑5份、还原剂5‑12份、稳定剂0.05‑0.1份、促进剂0.5‑1份、复合润湿剂2‑6份。本发明可以实...
  • 本发明涉及一种基于可逆金属电沉积的可见‑红外窄谱动态调控器件及其构建方法,所述器件从上到下依次设置顶部基底层、多层膜结构、电解质层和底部透明电极层;所述顶部基底层和多层膜结构共同组成工作电极,通过控制外部电压在工作电极上进行可逆的沉积与溶解...
  • 本公开提供了一种纳米钛硅化物薄膜的制备方法,可以应用于半导体技术领域。该方法包括:在衬底表面通过外延生长形成异质结结构;在所述异质结结构的表面上外延生长硅帽层;在所述硅帽层的表面上沉积一层钛薄膜;对Ti/Si界面进行离子束轰击;然后进行纳秒...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种大批量沉积氧化硅薄膜的方法,其通过对原子层沉积工艺中进源方式和工艺参数的优化,包括在进源前关闭腔室与真空泵之间的截止阀、进硅源后充气辅助扩散以及臭氧保压等技术措施。本申请能够显著提高氧化硅薄膜的沉...
  • 本发明提供的一种基于数据处理的镀膜控制方法和系统,本发明涉及镀膜控制技术领域,该方法包括获取红外高反膜未消除应力的镀膜信息;基于红外高反膜未消除应力的镀膜信息确定多个第一应力消除镀膜方案,第一应力消除镀膜方案包括红外高反膜的掺杂原子浓度分布...
  • 提供了一种掩模、沉积设备和制造掩模的方法,所述掩模包括:第一层,限定第一开口;以及第二层,设置在第一层上,其中,第二层包括在剖视图中具有倒锥形形状的沉积图案。沉积图案限定在平面图中与第一开口叠置的第二开口,并且第二层包括具有<100&...
  • 本发明提供了一种半导体反应腔室及其使用方法,其中半导体反应腔室包括腔体和进气法兰,腔体包括腔体本体和固定至腔体本体的一侧的腔室法兰,腔体本体内部设置有导流板及与导流板相邻且位于导流板下游侧的预热环,位于导流板和预热环的上方区域为腔体上腔,位...
  • 一种用于制造显示装置的设备包括:掩模组件;以及磁力部分,面对所述掩模组件,其中所述磁力部分朝所述掩模组件施加磁力。所述掩模组件包括:掩模框架,穿过其限定有多个第一开口并且在其第一表面中限定有第二开口,其中所述第二开口布置在所述多个第一开口中...
  • 本发明提供一种温度传感器及其制备方法,所述方法包括:在过渡金属氮化物薄膜中引入替位阳离子,形成替位掺杂过渡金属氮化物薄膜,所述替位阳离子与过渡金属阳离子等价;通过调控所述替位阳离子的浓度调控所述薄膜的晶体结构和能带结构,从而调控所述薄膜的导...
  • 本申请公开了一种应用于半导体工艺设备的起辉控制方法及半导体工艺设备,该起辉控制方法包括:在电源开启之前,屏蔽硬件软互锁报警,硬件软互锁报警包括:在检测到目标硬件的状态信号为异常时,中止起辉过程;目标硬件包括半导体工艺设备中参与起辉过程的硬件...
技术分类