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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种高强韧CrNbZrNiSiBN高熵氮化物涂层及其制备方法
    一种高强韧CrNbZrNiSiBN高熵氮化物涂层及其制备方法_上海电子信息职业技术学院_202510723720.9
    本发明涉及在金属表面沉积耐磨、耐蚀涂层材料的技术领域，具体涉及一种高强韧CrNbZrNiSiBN高熵氮化物涂层及其制备方法。在基体材料表面依次布置Cr层形成的粘结层、CrN层形成的过渡层、涂覆CrNbZrNiSiBN高熵氮化物的功能层。涂覆...
    2025-09-26
  • 多微刃金刚石及其制备方法
    多微刃金刚石及其制备方法_中南钻石有限公司_202510922242.4
    本发明公开了多微刃金刚石的制备方法，包括以下步骤：将金刚石进行等离子清洗，将金刚石进行镀膜，得到镀膜金刚石，将镀膜金刚石进行烧结、焙烧、冷却，得到刻蚀金刚石，将刻蚀金刚石浸入混酸溶液中进行清洗，得到多微刃金刚石；本发明还公开了多微刃金刚石，...
    2025-09-26
  • 一种气相沉积装置
    一种气相沉积装置_苏州龙驰半导体科技有限公司_202422783331.9
    本申请实施例中提供了一种气相沉积装置，包括：壳体和反应腔，反应腔位于壳体的内腔中；料架，设置在反应腔内，用于承载工件；进气组件和若干进气孔，任一进气孔的一端均与进气组件连通，另一端均与反应腔连通；抽气组件和若干抽气孔，任一抽气孔的一端均与抽...
    2025-09-26
  • 用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法
    用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法_哈尔滨工业大学_202411209224.3
    用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法，本发明要解决利用磁控溅射技制备VO2薄膜工艺中VOx混杂相的成分对氧气流量十分敏感，VO2薄膜制备工艺的稳定性不佳的技术问...
    2025-09-26
  • 薄膜沉积方法
    薄膜沉积方法_圆益IPS股份有限公司_202211082586.1
    本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基...
    2025-09-26
  • 原子层沉积设备
    原子层沉积设备_深圳市原速光电科技有限公司_202311156869.0
    本发明公开了一种原子层沉积设备，包括：盖体具有反应腔；承载台设置于反应腔中，承载台用于放置基片且承载台能够转动；反应腔包括多个反应区域，反应区域设置有进气部，且相邻的两个反应区域之间设置有气体隔离部，进气部包括第一进气口，气体隔离部包括第一...
    2025-09-26
  • 一种用于生产ITO靶材的保护装置
    一种用于生产ITO靶材的保护装置_江阴恩特莱特镀膜科技有限公司_202422838796.X
    本实用新型涉及靶材生产技术领域，尤其涉及一种用于生产ITO靶材的保护装置。包括沿水平方向延伸的保护筒，所述保护筒的一端为开口、另一端设置有通道，所述保护筒设置有通道的一端设置有夹层，所述通道贯穿夹层的两侧，所述保护筒的外部设置有与夹层连通的...
    2025-09-26
  • 一种气相沉积装置
    一种气相沉积装置_苏州龙驰半导体科技有限公司_202422783093.1
    本申请实施例中提供了一种气相沉积装置，包括：壳体和反应腔，料架位于反应腔内用于承载工件；分隔筒体沿竖向设于反应腔内，且套装于料架的外部；分隔筒体的外壁和反应腔的内壁之间形成排气通道，分隔筒体的内腔顶部与排气通道连通；进气管路一端与分隔筒体的...
    2025-09-26
  • 一种耐磨自润滑的类金刚石基复合涂层及其制备方法和应用
    一种耐磨自润滑的类金刚石基复合涂层及其制备方法和应用_华南理工大学_202410992037.0
    本发明公开了一种耐磨自润滑的类金刚石基复合涂层及其制备方法和应用。本发明的耐磨自润滑的类金刚石基复合涂层的组成包括依次层叠设置的Cr层、CrN层和功能层，功能层的组成包括多个DLC‑B4C‑WC复合层和多个DLC‑Mo...
    2025-09-26
  • 一种高效散热金刚石-金属复合靶材微结构及其制备方法
    一种高效散热金刚石-金属复合靶材微结构及其制备方法_中国科学院电工研究所_202510858263.4
    本发明公开了一种高效散热金刚石‑金属复合靶材微结构及其制备方法，属于高效散热复合靶材技术领域，由上下两个不同金属占空比的结构以及中间占空比梯度过渡结构组成，最上层结构金刚石占空比20%，厚度为电子束能量降为金属特征X射线Ka能量的3~5倍处...
    2025-09-26
  • 一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备
    一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202511157407.X
    本发明属于半导体生产技术领域，涉及一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备，所述方法包括如下步骤：（1）通入掺杂元素前驱体，使其热分解并吸附于基底表面，然后进行第一吹扫；（2）通入硅前驱体，使其吸附于基底表面，然后进行第二吹扫；（3）氧源...
    2025-09-26
  • 在衬底沟槽中沉积氮化硅薄膜的方法
    在衬底沟槽中沉积氮化硅薄膜的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510272832.7
    提供了一种沉积氮化硅薄膜的方法。该方法可以包括以下步骤：(a)将衬底放置在反应室中的基座上；其中衬底包括沟槽；(b)将硅前体引入到反应空间中；(c)将衬底暴露于含氮气体以吹扫过量的硅前体和副产物；(d)将硅前体引入到反应空间中；(e)将衬底...
    2025-09-26
  • 一种连续线磁控溅射设备
    一种连续线磁控溅射设备_苏州晟成光伏设备有限公司_202311241354.0
    本发明涉及一种连续线磁控溅射设备，包括设备本体和立式托盘，所述立式托盘竖直固定基板，设备本体包括呈竖直细缝结构的腔体、控制立式托盘穿过腔体的传送单元，立式托盘包括框架和行走部，行走部包括位于两侧的多对行走轮以及排布于底部的若干磁板，传送单元...
    2025-09-26
  • 一种石墨表面1500℃抗热震抗氧化等离子喷涂Si涂层方法、涂层石墨及应用
    一种石墨表面1500℃抗热震抗氧化等离子喷涂Si涂层方法、涂层石墨及应用_西安交通大学_202510959080.1
    本申请提供了一种石墨表面1500℃抗热震抗氧化等离子喷涂Si涂层方法、涂层石墨及应用，方法包括以下步骤：对石墨基体的待喷涂表面进行预处理；采用等离子喷涂技术对待喷涂表面进行喷涂，在待喷涂表面喷涂得到Si涂层；采用真空热处理技术对具有Si涂层...
    2025-09-26
  • 一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统
    一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统_杭州德望纳米科技有限公司_202510496224.4
    本发明公开了一种真空辉光镀膜的成分实时控制方法及系统，涉及真空镀膜技术领域，首先在全息成分采集阶段，利用传感器和监测设备实时采集镀膜过程中的多维数据，其次在自适应成分调节阶段，通过计算真空腔内的铬氮成分预测值，并与目标浓度进行比较，以判断是...
    2025-09-26
  • 一种无损伤的断裂破损青铜器文物的修复方法
    一种无损伤的断裂破损青铜器文物的修复方法_武汉大学_202310222480.5
    本发明提供一种无损伤的断裂破损青铜器文物的修复方法，包括以下步骤：首先，将喷涂原料混合得到喷涂粉末；其次，清除青铜器文物表面的油污和锈蚀，对待修复部位进行扩大坡口处理，对坡口底部进行填充处理，对坡口附近的青铜器基材部位进行遮盖处理；再次，将...
    2025-09-26
  • 一种钕铁硼烧结永磁体表面涂层的制备方法
    一种钕铁硼烧结永磁体表面涂层的制备方法_金力永磁(宁波)科技有限公司_202511163869.2
    本发明公开了一种钕铁硼烧结永磁体表面涂层的制备方法，该制备方法的工艺流程包括：除油→水洗→酸洗→水洗→超声去灰→水洗→磷化→水洗→封闭→水洗→吹干固化，磷化采用的磷化液由第一磷化液、第二磷化液和纳米分散剂复配而成，其质量比为(0.5~1.5...
    2025-09-26
  • 一种PECVD智能涂覆系统及方法
    一种PECVD智能涂覆系统及方法_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202510923300.5
    本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种PECVD智能涂覆系统及方法，系统包括：检测舱室，用以对待处理产品进行识别认定，通过第一真空转运通道连接转运舱室；前处理舱室；设置有前处理置物结构和前处理装置，通过第二真空转运通道连接转运舱室；沉积舱...
    2025-09-26
  • 一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法
    一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法_西北工业大学_202411668865.5
    本发明提供了一种制备耐刻蚀Ni硬质掩膜层的方法，属于微纳加工和薄膜技术领域。本发明通过磁控溅射法制备Ni膜，通过调控磁控溅射过程中Ar/H2气体流量比、溅射气压、基底加热温度、溅射功率等关键工艺参数，调控Ni薄膜的质量...
    2025-09-26
  • 一种避免钛薄膜氧化的高温高压吸气系统
    一种避免钛薄膜氧化的高温高压吸气系统_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202311335657.9
    本发明提供了一种避免钛薄膜氧化的高温高压吸气系统，涉及紧凑型氘氘加速器中子源在中子测量及辐照中应用的技术领域，利用高真空抽气机组对薄膜制备腔室和薄膜吸气腔室进行真空抽气，实现两腔室10‑5Pa量级高真空获得；随后在薄膜...
    2025-09-26
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