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五金工具产品及配附件制造技术
一种用于电解锰工艺的阳极板及其制备方法
本发明涉及包含稀土的电解材料或等离子喷涂领域,具体涉及一种用于电解锰工艺的阳极板及其制备方法;向等离子喷涂TiN涂层中掺入稀土La可以显著提高其耐腐蚀性能,随着稀土含量的增高,复合涂层的耐腐蚀性能逐步增高,且这种增长趋势会趋于平缓。与此同时...
一种基于电磁感应的EB-PVD熔池高度监测系统及监测方法
本发明涉及的一种基于电磁感应的EB‑PVD熔池高度监测系统及监测方法,所述系统包括水冷铜坩埚、置于其水冷层内部的同轴环形线圈阵列、电子测量单元和数据处理系统;所述方法基于8YSZ等陶瓷材料固态与熔融态电磁特性差异显著的原理,通过线圈阵列施加...
一种高韧抗氧化涂层及其制造方法
一种高韧抗氧化涂层及其制造方法,属于耐热涂层领域。该高韧抗氧化涂层按重量比计含有0.01%‑1%的Si、0.01%‑0.7%的O,余量为Cr。其中,涂层的基体为晶态Cr,至少部分Si与O以非晶SiO2的形式分散于基体中。该高韧抗氧化涂层具有...
石英棒沉积装置及石英棒沉积方法
本发明涉及石英棒制备技术领域,具体提供了石英棒沉积装置及石英棒沉积方法,装置包括沉积反应炉、支撑件和隔热件;沉积反应炉设置有第一开口、反应腔和第二开口;沿竖直方向,第一开口、反应腔和第二开口依次设置;第一开口和第二开口连通反应腔,第一开口设...
用于半导体晶圆选择性蒸发法的掩膜板
本发明专利公开了用于半导体晶圆选择性蒸发法的掩膜板,所述掩膜板上开设有若干沉积孔,其特征在于,所述若干沉积孔间均设置有用于与待蒸发晶圆接触的中间支撑体和边缘支撑体,若干所述中间支撑体/边缘支撑体在所述掩膜板的正面构成交错的结构。采用与待蒸发...
氮化硅薄膜及其制备方法
本发明提供了氮化硅薄膜及其制备方法。通过PECVD制备氮化硅薄膜的方法包括:将硅衬底晶圆置于反应腔室内;向反应腔室中通入氮气和氨气;向反应腔室施加第一高频功率,对氨气进行预处理;向反应腔室通入硅烷,并同时施加第二高频功率,进行沉积氮化硅薄膜...
一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置
本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置;基座位于钟罩内;基座的上表面为圆形;至少两个测距传感器设于基座上方,且位于钟罩外;至少两个测距传感器处于同一水平面,至少两个测距传...
一种自催化化学复合镀镍磷和铜复合镀层的制备方法
本发明公开了一种自催化化学复合镀NiP‑Cu复合镀层的制备方法,属于金属表面处理技术领域。该方法通过在化学镀镍磷镀液中引入铜盐,并优化络合剂体系与工艺参数,实现铜离子的自催化还原,形成纳米至微米级的铜颗粒,并与镍磷合金共沉积,获得性能优异的...
一种冷阴极EB-PVD双层复合功能同质陶瓷涂层及其制备方法
本发明属于热障涂层技术领域,具体公开了一种冷阴极EB‑PVD双层复合功能同质陶瓷涂层及其制备方法。所述涂层为同质陶瓷构成的双层结构,内层为致密陶瓷涂层,外层为传统柱状陶瓷涂层。所述制备方法采用冷阴极电子枪EB‑PVD技术,制备获得所述涂层。...
多工艺兼容的镀膜设备
本申请公开一种多工艺兼容的镀膜设备。所述镀膜设备内限定有相互平行的第一直线传送方向和第二直线传送方向,所述第一镀膜腔和所述第二镀膜腔沿所述第一直线传送方向布置,所述第三镀膜腔和所述第四镀膜腔沿所述第二直线传送方向布置;所述中转腔内设置有旋转...
一种半导体薄膜生产用的镀膜装置
本发明公开了一种半导体薄膜生产用的镀膜装置;本发明涉及半导体制造设备技术领域,包括箱体、加热箱、有害气体收集组件、过滤更换组件及镀膜散热组件;有害气体收集组件与过滤更换组件协同处理废气与积碳,环保性强;加热箱精准控温,风扇组高效散热,保障薄...
一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法
本发明涉及光学材料镀膜技术领域,提供了一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法,包括机体,机体上开设有机腔,机腔内设有激光镀膜机构、加工台机构和活动清洁机构;所述加工机构包括加工板,加工板固接于机腔内壁,加工板上开设有两个以上容纳槽;所述清洁...
一种用于调节镀锅位置的调节机构
本实用新型提出一种用于调节镀锅位置的调节机构,包括腔体,腔体内设有调节机构,调节机构的顶端设有连接杆,调节机构包括连接板、上传动轴、下传动轴、上支架和下支架,连接板与连接杆连接,连接板与上传动轴的上部卡接,上传动轴的下部与上支架的上部套接,...
基于PECVD循环沉积的多功能纳米复合防护薄膜及其制备方法
本发明属于化学气相沉积领域,涉及基于PECVD循环沉积的多功能纳米复合防护薄膜及其制备方法。多功能纳米复合防护薄膜包括:硅烷打底层、疏水层、以及位于硅烷打底层与疏水层之间的软硬交替中间层;所述软硬交替中间层设置为中间软膜层和中间硬膜层的交替...
一种镀锡铜线挡锡装置
本实用新型涉及挡锡设备技术领域,公开了一种镀锡铜线挡锡装置,包括底座,所述底座顶端设置有防护组件,所述底座顶端固定连接有回收盒,所述回收盒左右两端内壁均开设有第二卡槽,所述第二卡槽内壁设置有固定块,所述固定块顶端固定连接有挡板,所述挡板前端...
一种利用分布式磁场调控MPCVD中等离子体均匀性的装置与方法
本发明公开一种利用分布式磁场调控MPCVD中等离子体均匀性的装置与方法,包括反应腔和设置在反应腔内的钼基台、多通道电流调控模块、红外测温模块、待生长衬底,所述待生长衬底放置于钼基台上,所述钼基台底部设有分布式磁感应线圈组,所述多通道电流调控...
镀膜设备
本发明提供了一种镀膜设备,该镀膜设备包括镀膜室、坩埚、束导器、传送系统、第一等离子体发生器及第二等离子体发生器。镀膜室的内部为真空腔。坩埚设置于真空腔的腔底。靶材装载于坩埚。束导器环绕于坩埚的周部。传送系统与束导器相对设置,传送系统用于传送...
一种核级挤压成型铝材的水煮氧化方法
本申请属于包壳管表面处理技术技术领域,公开了一种核级挤压成型铝材的水煮氧化方法,对燃料元件进行初步清理,将燃料元件浸入硝酸中浸洗,并重新生成一层均一多孔的白色氧化预生膜,去除燃料元件表面的硝酸,将燃料元件浸入硝酸中浸洗,去除高温硝酸浸洗后在...
一种匀气盘及喷淋头
本实用新型提供了一种匀气盘,以及一种喷淋头。所述匀气盘包括:孔板,其上设有多个第一气孔及至少一个安装结构;以及多个孔模块,各所述孔模块具有中空的第二气孔,并可拆卸地安装于所述安装结构,以配合所述第一气孔进行通气,用于优化气体流场,以显著缩短...
一种具有补气功能的气相沉积炉
本实用新型属于化学气相沉积领域,具体涉及一种具有补气功能的气相沉积炉。包括炉体、进气结构、补气结构和出气管;炉体内部设有沉积室,炉体上部固定连接进气结构,所述进气结构包括进气混气室、进气管和布气管;进气结构上部固定连接补气结构,补气结构包括...
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