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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种小分子有机液体饲料原料及其生产方法
    一种小分子有机液体饲料原料及其生产方法_元一(深圳)生态科学技术有限公司_202511321340.9
    本发明提供了一种小分子有机液体饲料原料及其生产方法，属于有机废弃物资源化技术领域。本发明不仅能够完全消灭发酵法无法解决的液体饲料原料存在病菌病毒类病毒、虫卵病原体微生物等突出问题，而且使液体饲料能保存较长时间不变质。通过活化反应、酵化反应、...
    2025-12-20
  • 一种沉铜槽槽内圆弧形导轨震动机构
    一种沉铜槽槽内圆弧形导轨震动机构_深圳市松柏科工股份有限公司_202511388533.6
    本申请公开了一种沉铜槽槽内圆弧形导轨震动机构，涉及PCB生产技术的领域，包括导轨组件和振动组件，所述导轨组件包括若干并排设置的弧形导轨和同时连接各个所述弧形导轨的连接件，所述连接件用于连接沉铜槽的内壁；所述弧形导轨的两端分别折弯设置有连接段...
    2025-12-20
  • 上料设备
    上料设备_广西润原农业科技有限公司_202423105887.9
    本实用新型公开一种上料设备，该上料设备通过采用机架，料仓连接于机架，并形成有加工料槽、碎料通道以及出料口，碎料通道连通加工料槽和出料口，碎料组件的驱动件安装于机架，碎料螺杆容置于碎料通道内，并与驱动件传动连接，切压料杆设置于碎料通道内，并位...
    2025-12-20
  • 采用Cu包覆难熔高熵合金粉末制备涂层的方法及涂层
    采用Cu包覆难熔高熵合金粉末制备涂层的方法及涂层_西安工业大学_202511130518.1
    一种Cu包覆难熔高熵合金粉末制备激光熔覆涂层的方法及涂层，方法中，制备难熔高熵合金粉末，制备Cu包覆难熔高熵合金粉末，其中，通过化学镀的方式在难熔高熵合金粉末外表面均匀包覆铜，形成Cu包覆难熔高熵合金粉末，其为核壳型结构的复合粉体；处理激光...
    2025-12-20
  • 一种光学镜片加工用镀膜装置
    一种光学镜片加工用镀膜装置_昆明帅雄光学仪器有限公司_202422724568.X
    本实用新型公开了一种光学镜片加工用镀膜装置，包括镀膜仓和镀膜主体，所述镀膜主体设于镀膜仓内部顶壁，所述镀膜仓内设有夹持底座，所述夹持底座上设有夹持组件，所述镀膜仓底部设有支撑组件，所述镀膜仓侧壁铰接门板，所述夹持组件正上方设有镀膜组件。本实...
    2025-12-20
  • 一种便携式的多功能分离式氢氧发生器
    一种便携式的多功能分离式氢氧发生器_安徽瑞德钢结构有限公司_202422722854.2
    本实用新型涉及一种便携式的多功能分离式氢氧发生器，旨在解决当前氧气量较大且未经妥善处理直接排放造成氧气浓度过高，并且产生的水蒸气排放到某些对湿度敏感的设备或环境中，可能会造成不良影响的技术问题，包括箱体、三通球阀、氢气排出管和氧气排出管，箱...
    2025-12-20
  • 一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置
    一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置_广州南砂晶圆半导体技术有限公司_202423323135.X
    本申请提供一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体以及坩埚内设置的多个石墨隔板，且多个石墨隔板在坩埚原料区底部呈等间距设置；石墨隔板间隔插设于碳化硅粉料中，石墨隔板的高度呈等差数列使碳化硅粉料高度同样呈现等...
    2025-12-20
  • 一种玻璃检测回收装置
    一种玻璃检测回收装置_中建材(株洲)光电材料有限公司_202422988013.6
    本实用新型属于半导体膜层蒸镀技术领域，公开了一种玻璃检测回收装置，包括用以输送玻璃的滚轮式输送机以及用以检测玻璃质量的扫描仪，滚轮式输送机的滚轮上方安装有玻璃破碎组件，滚轮下方安装有玻璃顶升组件，用以通过玻璃顶升组件将滚轮上的玻璃顶起后与玻...
    2025-12-20
  • 一种建筑施工用建筑垃圾回收装置
    一种建筑施工用建筑垃圾回收装置_安徽三建庐西工程有限公司_202510021676.7
    本发明适用于建筑垃圾回收设备技术领域，提供了一种建筑施工用建筑垃圾回收装置；包括：主体，主体顶部开口位置安装有进料斗；主体底部设置有第一排料口，主体侧壁上设置有第二排料口；设置在主体内部的破碎辊组件，破碎辊组件包括第一破碎辊和第二破碎辊，第...
    2025-12-20
  • 一种破碎机辅助进料装置
    一种破碎机辅助进料装置_一道智能环保科技(衢州)有限公司_202520245871.3
    本实用新型公开一种破碎机辅助进料装置，属于物料破碎加工技术领域，包括下压传送皮带组件，用于设置在破碎机进料口处，破碎机的进料口处设置有进料传送皮带组件，下压传送皮带组件位于进料传送皮带组件的上方，下压传送皮带组件中的下压皮带与进料传送皮带组...
    2025-12-20
  • 集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线
    集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410752111.1
    一种集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线。集流体制备设备包括放卷机构、收卷机构和镀膜机构，放卷机构用于放卷集流体的基膜，收卷机构设于放卷机构的下游且用于收卷制备得到的集流体；镀膜机构设于放卷机构和收卷机构之间，镀膜机构包括多个...
    2025-12-20
  • 一种酱料原料研磨装置
    一种酱料原料研磨装置_广西南宁匠优食品技术有限公司_202422950936.2
    本实用新型公开了一种酱料原料研磨装置，属于酱料原料研磨技术领域。一种酱料原料研磨装置，包括第一板体，第一板体的顶端固定有第二板体，第二板体的顶端侧壁固定有第三板体。本实用新型通过设置的第一板体、第二板体、收集箱、滑板、研磨台、研磨体、驱动电...
    2025-12-20
  • 一种冷喷涂制备冷态条件下具有高强度的铝合金涂层的方法和应用
    一种冷喷涂制备冷态条件下具有高强度的铝合金涂层的方法和应用_南京工业大学_202311520070.5
    一种冷喷涂制备冷态条件下具有高强度的铝合金涂层的方法和应用。本发明属于冷喷涂涂层和修复领域。本发明的目的是为了解决现有冷喷涂修复铝合金涂层冷态条件下硬度和抗拉强度较低的技术问题。本发明方法：采用气雾化高强铝合金粉末作为原始材料，通过高压冷喷...
    2025-12-20
  • 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法
    一种PVT法生长碳化硅晶体的方法_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511232825.0
    本发明公开了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：S100，建立压力微扰频谱与气相迁移过程的耦合模型，基于长周期运行数据反演碳与硅组分比例的稳定区间，并据此标定界面能量临界值与温度梯度边界范围；S200...
    2025-12-20
  • 大块体超细晶镁合金剧塑性变形制备方法
    大块体超细晶镁合金剧塑性变形制备方法_中北大学_202511671171.1
    本发明公开了大块体超细晶镁合金剧塑性变形制备方法，包括以下步骤：S1组装模具；S2通过轴向进给单元直线运动将凸模的置入端置入放料通道；S3轴向进给单元下行，同时，扭转单元也启动，由于挤压锥角区的阻挡，圆柱形坯料在挤压锥角区内受到挤压，逐渐横...
    2025-12-20
  • 磁控管装置和磁控溅射设备
    磁控管装置和磁控溅射设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410758947.2
    本发明公开一种磁控管装置和磁控溅射设备，所公开的磁控管装置用于与磁控溅射设备的靶材组件配合，所述磁控管装置包括第一驱动机构、翻转支架、第一磁控管和第二磁控管，其中：所述第一磁控管和所述第二磁控管沿所述靶材组件的径向间隔地设于所述翻转支架；所...
    2025-12-20
  • 双段承托零胶水床芯
    双段承托零胶水床芯_成都晓知家居有限公司_202520512324.7
    本实用新型涉及双段承托零胶水床芯，包括布袋和包裹封装在布袋内的弹簧，所述弹簧包括上端支撑段和主体支撑段，其中所述主体支撑段的螺距要大于所述上端支撑段的螺距；床芯采用此款弹簧能够实现两种软硬度，在人体躺在创芯上，越能够贴合人体曲线，使用户平躺...
    2025-12-20
  • 一种新型气流吹扫流化床
    一种新型气流吹扫流化床_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202423030060.6
    本实用新型涉及流化床技术领域，尤其涉及一种新型气流吹扫流化床，包括：包括反应器筒体和设置其上的气流吹扫器和气体分布板，在反应器筒体的上下两端分别设置有出气口和进气口，气体分布板呈漏斗状置于气流吹扫器和进气口之间；气流吹扫器朝向反应器筒体轴线...
    2025-12-20
  • 一种磁控溅射装置
    一种磁控溅射装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511630849.1
    本发明涉及溅射镀膜工艺技术领域，具体涉及一种磁控溅射装置，包括安装壳，该安装壳具有用于布置磁控溅射靶材的背板，安装壳中设有绕中心轴回转的底座，底座上设有磁体，磁体的磁场在磁体随底座回转过程中作用于所述磁控溅射靶材，磁体沿着与所述背板平行方向...
    2025-12-20
  • 一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法
    一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511267746.3
    本申请提供的一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法，通过膨胀装置中的升华膨胀粉料在受热时升华膨胀产生膨胀高度，自动补偿料面下降与长晶面上升之间的高度差，有效解决了传统PVT法中因高度差增大导致的温场梯度偏移问题，维持了纵向和横向温度梯度...
    2025-12-20
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