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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种基于Mn-Co-Ni-O薄膜的桥式结构微测辐射热计及其制备方法
    一种基于Mn-Co-Ni-O薄膜的桥式结构微测辐射热计及其制备方法_北京大学_202510545064.8
    本发明公开了一种基于Mn‑Co‑Ni‑O薄膜的桥式结构微测辐射热计及其制备方法。本发明考虑了Mn‑Co‑Ni‑O后高温退火工艺，在释放完牺牲层的悬浮结构上进行退火，兼容有机牺牲层材料释放工艺，对悬浮结构进行退火将最小化由于衬底各层材料在高温...
    2025-08-18
  • 掩模的制造方法和掩模
    掩模的制造方法和掩模_大日本印刷株式会社_202210702316.X
    本发明涉及掩模的制造方法和掩模。掩模可以具备：在第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于第1端部与第2端部之间并包含贯通孔组的中间部。掩模的制造方法可以具备：中间部形成步骤，在基材形成中间部的外缘和贯通孔组；第1端部形成步骤，在基材形成第...
    2025-08-18
  • 高精密度金属掩膜版的制备方法
    高精密度金属掩膜版的制备方法_浙江众凌科技有限公司_202510757918.9
    本申请提供了一种OLED显示面板制作中使用的高精密度金属掩膜版的制备方法，包括：在镍铁合金样品的表面形成氧化膜的步骤。通过超声清洗后对镍铁合金样品进行碱处理，可以在镍铁合金的表面形成以四氧化三铁和氧化镍为主的氧化膜。该氧化膜中四氧化三铁比例...
    2025-08-18
  • 一种改善Ti(C,N)基金属陶瓷刀具断续切削性能的方法及刀具
    一种改善Ti(C,N)基金属陶瓷刀具断续切削性能的方法及刀具_株洲欧科亿切削工具有限公司_202510358170.5
    本发明公开了一种改善Ti(C,N)基金属陶瓷刀具断续切削性能的方法及刀具，本发明通过物理气相沉积在Ti(C,N)基金属陶瓷基体上依次沉积AlTiN过渡层和AlTiN/AlCrN耐磨层，调控AlTiN过渡层与金属陶瓷基体形成共格/半共格界面，...
    2025-08-18
  • 一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法
    一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法_江苏富乐华半导体科技股份有限公司_202411730999.5
    本发明公开了一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法，涉及半导体技术领域；本发明通过冷喷工艺在双面覆铝氮化铝瓷片的薄铝面上形成合金涂层，再进行扩散烧结焊接铜层，备用；通过磁控溅射和化学镀铜工艺，对金刚石粉体溅射铌膜和化学镀铜，得到镀铜金刚石...
    2025-08-18
  • 一种基于低温磁控溅射对钽涂层物相的调控方法及其应用
    一种基于低温磁控溅射对钽涂层物相的调控方法及其应用_东南大学苏州医疗器械研究院_202510948418.3
    本发明公开了一种基于低温磁控溅射对钽涂层物相的调控方法及其应用，属于涂层制备领域。上述调控方法包括：（1）预处理：对基体材料进行高能轰击；（2）调控钽涂层物相为β相：在预处理后的基体材料表面沉积单质钽涂层；（3）调控钽涂层物相为α相：在预处...
    2025-08-18
  • 核工业料板用自动压紧接料集料装置
    核工业料板用自动压紧接料集料装置_中国机械总院集团郑州机械研究所有限公司_202510656818.7
    本发明公开了核工业料板用自动压紧接料集料装置，包括防护外壳，设置于防护外壳内部的固定架，设置于于固定架顶部的若干加热体，以及设置于固定架底部的蒸发装置，还包括设置于固定架两侧的提升挤压机构，设置于提升挤压机构内侧的传送机构，设置于传送机构内...
    2025-08-18
  • 一种工艺腔室及原子层沉积设备
    一种工艺腔室及原子层沉积设备_深圳市旗滨新材料科技有限公司_202510692843.0
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种工艺腔室及原子层沉积设备。工艺腔室包括腔室本体和喷淋头，腔室本体具有反应腔，腔室本体开设有连通于反应腔的排气道，喷淋头设于反应腔内，喷淋头具有进气口、喷淋腔以及多个喷淋孔，进气口连通喷淋腔，喷淋腔通过...
    2025-08-18
  • 一种基于垂直微裂纹构筑技术的耐高温涂层陶瓷层材料及其制备方法
    一种基于垂直微裂纹构筑技术的耐高温涂层陶瓷层材料及其制备方法_武汉科技大学_202510640642.6
    本发明涉及耐高温涂层材料技术领域，提供一种基于垂直裂纹构筑技术的耐高温涂层陶瓷层材料及其制备方法，通过多元稀土离子（La³⁺、Y³⁺、Ce³⁺、Gd³⁺、Nd³⁺）共掺杂ZrO₂基体，结合等离子喷涂工艺参数（枪基距、电弧功率、送粉速率）与冷...
    2025-08-18
  • 一种电源芯片加工用镀锡装置
    一种电源芯片加工用镀锡装置_西安中甲电气有限责任公司_202510639981.2
    本发明属于芯片镀锡加工技术领域，尤其是涉及一种电源芯片加工用镀锡装置，包括箱体和旋转组件，所述箱体内固定有筛板，所述筛板上固定有转动座，所述转动座上转动连接有筒体，所述箱体内固定有四个隔板，所述隔板位于筛板上方，四个所述隔板相互靠近的侧壁上...
    2025-08-18
  • 氮化硼膜的成膜方法和成膜装置
    氮化硼膜的成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510098999.6
    本发明提供能够改善六方晶氮化硼膜与基片的基底区域的密合性的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。本发明的氮化硼膜的成膜方法包括工序（a），在基片的基底区域上形成非晶氮化硼的第一膜。工序（a）包括工序（a1），向基片供给含有环硼氮烷化合物的第一处理气...
    2025-08-18
  • 一种带有强Al-O键合的原子层渗透沉积复合薄膜及其制备方法
    一种带有强Al-O键合的原子层渗透沉积复合薄膜及其制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202311830491.8
    本发明公开了一种带有强Al‑O键合的原子层渗透沉积复合薄膜，包括有机层、有机‑无机杂化层、无机层，所述有机层为PET、PEN或PI，所述无机层为氧化铝、氧化钛或氧化锆，所述有机‑无机杂化层为有机层与无机层所形成的复合层。本发明提供了一种提高...
    2025-08-18
  • 一种用于灯杆生产的镀锌装置
    一种用于灯杆生产的镀锌装置_宝德照明集团有限公司_202422521121.2
    本实用新型公开了一种用于灯杆生产的镀锌装置，包括两组相对布设的固定座，固定座上滑动连接有滑座，滑座上转动连接有夹持件，滑动方向为灯杆长度方向，两固定座之间还布设有灯杆上料结构，灯杆上料结构包括上料架，上料架包括多个呈L型的固定板，固定板倾斜...
    2025-08-18
  • 掩膜板及其制作方法、掩膜板组件
    掩膜板及其制作方法、掩膜板组件_江苏高光半导体材料有限公司_202510725863.3
    本申请提供一种掩膜板及其制作方法、掩膜板组件。其中的掩膜板，包括形成多个开口的多个肋条和外围连接部，其中，还包括多个牵引部；牵引部设置于外围连接部的外侧，包括主牵引部和辅助牵引部；主牵引部与至少一个肋条同轴；主牵引部与同轴的肋条连接，或者，...
    2025-08-18
  • 电工钢板绝缘覆膜组合物、电工钢板及其制造方法
    电工钢板绝缘覆膜组合物、电工钢板及其制造方法_浦项股份有限公司_202380091487.6
    根据本发明的一个实施例的电工钢板用绝缘覆膜组合物，其包含100重量份的金属磷酸盐、25至150重量份的二氧化硅、15至60重量份的金属羟基氧化物以及0.5至10重量份的还原剂。
    2025-08-18
  • 一种硅片表面镀铜的化学镀方法
    一种硅片表面镀铜的化学镀方法_吕梁学院_202510706002.0
    本发明公开了一种硅片表面镀铜的化学镀方法，属于半导体镀膜技术领域，是通过将半导体材料BaTiO3纳米晶经硅烷偶联剂改性制备量子点墨水，旋涂于经RCA清洗的P型硅片表面形成量子点阵列，在超声辅助下于含硫酸铜和柠檬酸三钠的...
    2025-08-18
  • 掩膜板及掩膜装置
    掩膜板及掩膜装置_合肥维信诺科技有限公司_202211202377.6
    本申请实施例提供一种掩膜板及掩膜装置，掩膜板用于蒸镀待蒸镀基板，掩膜板包括本体，包括对位区域和蒸镀区域，蒸镀区域用于蒸镀待蒸镀基板，对位区域设置有对位标记，对位标记用于令本体和待蒸镀基板对位；辅助层，设置于本体的对位区域并环绕至少部分对位标...
    2025-08-18
  • 低碳排放混合能源热镀锌炉
    低碳排放混合能源热镀锌炉_上海惠铎环境能源科技股份有限公司_202422559885.0
    本实用新型涉及热镀锌炉技术领域，且公开了低碳排放混合能源热镀锌炉，包括热镀锌炉本体，所述热镀锌炉本体顶部固定安装有吸烟斗，所述吸烟斗顶部固定安装有排烟管，所述热镀锌炉本体顶部设置有预加热机构，所述预加热机构顶部设置有余热利用机构，所述余热利...
    2025-08-18
  • 一种在室温下磁控反应溅射制备金属硫化物薄膜材料的方法
    一种在室温下磁控反应溅射制备金属硫化物薄膜材料的方法_武汉科技大学_202510680759.7
    本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种在室温下磁控反应溅射制备金属硫化物薄膜材料的方法。本发明以导热导电好的金属靶材和单质硫为原料，衬底保持室温，先采用电阻加热蒸发硫粉，形成硫蒸气，然后采用磁控溅射金属靶材在衬底上反应沉积得到金属硫化物薄...
    2025-08-18
  • 形成含氮碳膜的方法和用于执行该方法的系统
    形成含氮碳膜的方法和用于执行该方法的系统_ASM IP私人控股有限公司_202110371233.2
    公开了用于形成含氮碳膜的方法和系统以及使用所述方法或系统形成的结构。示例性的方法包括提供具有碳封端碳‑氮键的前体。所述方法可还包括向反应室提供反应物。
    2025-08-18
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