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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本实用新型公开了一种氮化铝基板表面蒸镀金属化治具,包括底层开合式蒸镀治具以及依次上下叠放于底层开合式蒸镀治具上的叠层开合式蒸镀治具,底层开合式蒸镀治具放置于网带上,叠层开合式蒸镀治具至多叠放设置有三组,底层开合式蒸镀治具与叠层开合式蒸镀治具...
  • 本发明属于真空镀膜设备技术领域,具体涉及一种用于真空镀膜设备的船型工艺腔室及带有该腔室的真空镀膜设备,船型工艺腔室包括顶面、底面,垂直于顶面和底面的第一侧面,垂直于顶面的第二侧面,连接第二侧面和底面的斜面,斜面上设计有安装离子源机构的安装口...
  • 本发明涉及热镀锌钢制造技术领域,具体涉及一种高抗开裂性热镀锌钢及其制备方法。具体方法为对钢板热镀锌形成镀层得到热镀锌钢,对镀层进行分段热处理,即从镀锌温度先冷却至335℃~345℃,随后冷却至295℃~305℃,再冷却至265℃~275℃,...
  • 本发明涉及金属材料表面处理技术领域,具体公开了一种超纯不锈钢钝化处理方法及其管道加工工艺、超纯不锈钢管道。在钝化处理方法中,包含有以下步骤:S1.将不锈钢材料浸泡于硝酸溶液中,以初步促成氧化膜生成;S2.将不锈钢材料转移至柠檬酸溶液中测量开...
  • 本实用新型涉及镀膜设备技术领域,具体为一种精密光学元件镀膜夹具,包包括精密光学元件加工用镀膜工作台,镀膜工作台的顶面两端安装有固定夹座和可调节夹座。本实用新型通过在镀膜工作台一端中部安装的伺服电机,可精准驱动调节丝杆转动;镀膜工作台顶面两端...
  • 本发明公开了一种曲面光学元件镀膜定位装置,包括基座模块,包括通过几何定位部连接的支撑基座和角度调节部;覆盖模块,包括具有功能孔区的承载框架以及至少两个装配式弹性压紧组件;所述弹性压紧组件包括螺纹调距连接件以及弹性力源产生部;基座模块与覆盖模...
  • 本实用新型公开了一种用于真空磁控溅射镀膜机的试样固定工件架。通过弹性止动环或弹簧卡扣与固定网盘配合固定试样,既能提高一次实验中试样的数量,又能实现对试样的待镀膜表面无遮挡固定。
  • 本实用新型提出了一种气相沉淀设备,涉及气相沉积技术领域,气相沉淀设备包括:第一管路;流量控制器,设于第一管路的第一端;反应室,反应室的第一端与第一管路的第二端连通;第二管路,第二管路的第一端与第一管路的第一端相对,第二管路的第二端与第一管路...
  • 本发明公开了一种反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备,该反应腔包括:第一腔体、第二腔体、抽气口、第一膜厚传感器和第二膜厚传感器,所述抽气口设于所述第一腔体与所述第二腔体的中间,所述第一膜厚传感器设于所述第一腔体中且邻近所述抽气口,所...
  • 本发明涉及热镀锌技术领域,尤其涉及一种输电铁塔钢结构热浸镀锌装置。包括设置于镀锌池上方的吊架,所述吊架设置有电磁滑轨,所述吊架的电磁滑轨内滑动连接有电动滑块,所述电动滑块固接有连接架,所述连接架设置有两个放置板,所述放置板上设置有若干个孔洞...
  • 本发明涉及有机金属化学气相沉积装置,更详细地涉及具备能够均匀地供应工艺气体并能够容易地设置且易于维护的气体供应部的有机金属化学气相沉积装置。
  • 本发明提供了一种宇航级Parylene‑C基薄膜及其制备方法,属于航空航天材料技术领域。宇航级Parylene‑C基薄膜包括依次成型于待镀器件上的偶联剂层、Parylene‑C主体膜层、胶黏剂层和聚酰亚胺保护膜层。通过使用偶联剂,可使Par...
  • 本发明提供一种磁控溅射用在线调整磁场强度的方法、装置、设备及介质,所述方法包括:在计算机中输入设定的磁场强度参数,而后将指令发送至磁控溅射装置中的硬件调控组件;根据所述硬件调控组件中接收的指令,驱动磁棒调整组件调整磁场强度;第一实时监测磁控...
  • 本申请公开了一种进气结构和半导体工艺设备,涉及半导体技术领域,进气结构设置于半导体腔室的顶部,以与半导体腔室的侧壁形成反应空间,进气结构与反应空间内的承载座相对设置,进气结构用于向承载座喷射工艺气体,进气结构包括:腔室盖板、中心进气件和边缘...
  • 一种沉积腔室结构及MPCVD设备,属于金刚石合成设备领域。技术方案为:一种沉积腔室结构,包括底座,底座上固定设有管状的石英窗口,石英窗口上方密封连接有上盖,石英窗口的外侧套设有金属环,金属环的中间区域设有若干横向设置和竖向设置的微波馈入缝隙...
  • 本发明属于材料镀膜技术领域,公开了一种用于提高等离子体涂层中靶材的使用效率的设备,包括:涂层炉,作为设备整体的支撑结构:阴极体,与所述涂层炉相连;冷却结构,连接于所述涂层炉;放置箱,固定于所述涂层炉;铜板,连接于所述放置箱;靶材,通过所述铜...
  • 本发明关于一种用于热激光外延(TLE)系统(100)的源布置(10),包括具有可移动保持结构(22)的保持装置(20),所述可移动保持结构(22)具有用于布置一个或多个源组件(120)的一个或多个保持空间(24),该源组件(120)提供将被...
  • 本发明提供了一种适用于高强度钢的化学镀Ni‑Co‑P合金工艺方法,包括的步骤有:表面整理;脱脂处理;酸洗;表面调整;化学镀Ni‑Co‑P合金;回收;二级逆流漂洗;对镀后的工件吹水、烘干或除氢处理;进行封闭处理。本发明解决了装备用高强度合金钢...
  • 示例性半导体处理系统包括:处理腔室,所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道,所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱,所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括可移...
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜机的限位装置,属于真空镀膜机技术领域,包括真空室体框,所述真空室体框的一侧固定安装有铰链,所述铰链的端部固定连接有真空室门框,所述真空室门框和真空室体框的顶部设置有限位装置。本实用新型中,通过在真空室门框和真空室...
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