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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本实用新型公开了一种冷轧带钢均匀镀锌装置,涉及带钢镀锌技术领域。本实用新型包括镀锌箱,所述镀锌箱上设置有清洁机构,所述清洁机构包括固定连接在镀锌箱左侧的清洁箱,所述清洁箱的顶部和底部均滑动连接有两个滑杆。本实用新型通过清洁机构对带钢的表面进...
  • 本发明公开了一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器,旨在解决传统进气口气流紊乱、副产物易被携带污染薄膜的问题。该转角器包括特气管,特气管在其全长五分之二处弯转形成90°~110°弯转角,安装后出口段端口超越法兰...
  • 本发明提供了一种静电吸附盘,包括:本体,包括一体成型的吸附区和法兰区,其中,所述吸附区中设有至少一个电极,所述法兰区环绕于所述吸附区的外围,其外表面为绝缘材质;以及聚焦环,安装于所述法兰区之上,并环绕所述吸附区,其中,所述聚焦环由绝缘材料制...
  • 本发明涉及一种用于多孔薄膜的真空镀膜设备及方法,所述用于多孔薄膜的真空镀膜设备包括传动装置、第一涂覆装置和第二涂覆装置、以及第一清洁装置和第二清洁装置、第一镀膜装置和第二镀膜装置,传动装置包括转动设置地第一镀膜辊筒和第二镀膜辊筒,所述第一镀...
  • 本发明涉及一种硅碳负极回转式CVD包覆设备,包括机座、提升装置、炉管组件、驱动装置、加热系统;所述提升装置设置在所述机座上;所述机座上铰接有支撑装置;所述支撑装置的两端分别设置有第一密封接头与第二密封接头;所述炉管组件旋转在所述支撑装置上;...
  • 一种高取向石墨烯‑铜复合结构的制备方法,包括如下步骤:(1)铜基体预处理:对铜箔或铜板进行机械抛光及退火处理,以形成优选晶面;(2)构建界面限域结构:在铜表面沉积或贴覆限域层,所述限域层与铜表面形成受限空间;(3)界面限域下的石墨烯生长:在...
  • 本实用新型公开了一种用于镀膜腔室的改进型观察窗,包括观察窗主体及安装到观察窗主体上的旋转频闪单元;观察窗主体,包括主壳体与窗口单元,主壳体在其上形成有观察位与频闪位;窗口单元安装到观察位上,其包括将主壳体贯通的窗框法兰及一前一后的安装到窗框...
  • 本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域,具体为一种具有防护功能的真空镀膜装置,包括机体,所述机体上设有控制器以及真空镀膜机构,所述控制器位于所述机体的一侧,所述控制器上设有显示屏以及控制按键,所述控制器与所述机体之间设有防护机构,所述防护机构包...
  • 本实用新型公开了一种防指纹膜连续真空蒸发装置,包括真空镀膜机体及其真空镀膜机体中间位置处设置的对卷真空镀膜机镀膜主辊;对卷真空镀膜机镀膜主辊的底部位置处设置有蒸发舟,导轮的侧面位置处设置有钢丝绒绳收卷,右侧的所述钢丝绒绳收卷上设置有钢丝绒绳...
  • 本发明公开了一种ALD设备,包括反应壳体、控制器和多条结构和尺寸相同的供气管路,反应壳体内部形成有反应腔室,反应腔室的顶部设置有匀流板;供气管路分为多条主管路和至少一备用管路,主管路的数量与反应工艺所需前驱体数量相同,每条供气管路内均设置有...
  • 本发明公开了一种立式化学气相沉积炉用炉内流场调控方法,其包括以下步骤:通过在化学气相沉积炉的均温沉积区内设置有随形遮挡工装,并使随形遮挡工装处于待沉积基材的迎气面方向上;在反应气流从进气管到达均温沉积区后,利用随形遮挡工装对反应气流进行流场...
  • 本申请提供了一种反应炉以及加工设备,涉及半导体或光伏材料加工领域,解决了反应炉漏气会导致硼原子无法掺杂进硅片中的技术问题。该反应炉包括:炉管组件,炉管组件的第一开口与反应腔连通;第一法兰组件,与炉管组件的具有第一开口的一端连接,第一法兰组件...
  • 一种调节机台长膜平坦度装置,包括:反应腔体;喷淋头,用于向反应腔体内通入工艺气体;加热盘,用于承载并加热放入反应腔体内的晶圆;调节杆,调节杆沿第一方向延伸,调节杆一端与加热盘固定连接,调节杆的另一端贯穿反应腔体的侧壁并延伸至反应腔体的外部;...
  • 本实用新型属于刀具表面物理气相沉积技术领域,具体的说是一种刀具多拨叉转盘,包括平台,所述平台底部固接有电机,所述电机输出端固接有转轴;所述转轴与平台转动连接;所述转轴顶部固接有支撑台;所述支撑台顶部固接有第一连接块;所述第一连接块侧壁为弧形...
  • 本发明涉及多功能等离子加工装置及多功能等离子加工系统,包括外壳体,外壳体中设置有容纳腔;外壳体包括外壳主体、以及与外壳主体的底部可拆卸连接的负极底板,容纳腔中靠近负极底板的位置处设置有陶瓷绝缘件,陶瓷绝缘件的上侧设置有正极片,陶瓷绝缘件与负...
  • 本发明公开了一种具有微纳结构与类液特性的复合涂层制备方法,属于表面功能涂层技术领域。该方法在同一真空腔体内,采用等离子体增强化学气相沉积工艺连续执行以下步骤:首先,以四甲基环四硅氧烷为第一前驱体,在基底表面沉积形成具有纳米结构的粗糙层;随后...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备。该气路控制方法包括:获取作业模式的选择指令;启用与作业模式相对应的气路互锁条件,控制气路系统执行与作业模式相对应的任务。该气路控制装置包括:模式选择工具...
  • 本申请提供一种用于电子束蒸镀工艺的金属预融方法及装置。该用于电子束蒸镀工艺的金属预融方法在真空环境下,将电子枪发射的电子束对蒸发源中的待蒸镀金属材料进行预融,包括以下步骤:第一阶段,以第一预设功率使待蒸镀金属材料初步熔化,第一预设功率低于使...
  • 本发明属于真空磁控溅射镀膜技术领域,具体地说是一种磁控阴极的磁场设计方法及磁场测量装置,将磁钢分为中心磁钢和外环磁钢,通过磁场测量装置测量磁控阴极组件的磁场分布,根据测量结果调整中心磁钢和外环磁钢的相对位置,获得磁钢的最优布置,使磁控阴极组...
  • 本申请涉及通信电缆领域,具体而言,涉及一种浸锡用模具、浸锡装置和浸锡方法。所述的浸锡用模具,包括:主体件,所述主体件包括:相对设置的上端面和下端面;其中,所述主体件内部设置有相互连通的线缆通道和气体通道;所述线缆通道自所述下端面延伸至所述上...
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