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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明公开了一种不锈钢黑化剂及其制备与应用方法,属于化工材料技术领域。以1*103份不锈钢黑化剂计,包括以下重量份原料:强碱350~450份、硫氰酸钠75~85份、硫代硫酸钠35~45份、稳定剂3~6份及缓蚀剂0.1~...
  • 本发明属于等离子喷涂技术领域,具体涉及一种用于在复材基体上制备碳化钽涂层的制备方法及喷涂保护装置,通过将复材基体置于具有焰流保护组件、气氛填充组件以及切向焰流加速组件的反应罩体中,使得通过焰流保护组件通入保护气体以在等离子起弧后对反应腔内的...
  • 本发明涉及一种铜包覆钼结构涂层的铝基体表面改性方法,包括依次对铝基体试样表面进行打磨、抛光、清洗的步骤、分别以铜靶材和钼靶材的溅射磁控驱动靶对铝基体试样表面进行溅射,实现在铝基体试样表面形成铜包覆钼涂层的步骤及取出步骤。同时,本发明还提供了...
  • 本实用新型公开了镀膜设备技术领域内的一种用于高真空镀膜设备的挡片同步升降结构,包括:基片台升降组件,安装在真空腔上,用以驱动基片台升降,包括伸入真空腔设置的基片台以及控制基片台升降的基片台驱动组件;挡片升降组件,安装在真空腔上,用于驱动挡片...
  • 本实用新型涉及一种超高纯碳化硅化学气相沉积设备,属于碳化硅加工技术领域,包括支撑板,所述支撑板的顶部可拆卸连接有反应室,所述支撑板上设置有放置结构;所述放置结构包括反应室外壁设置的连接板,所述连接板的底部固定连接有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆...
  • 本发明涉及一种钨硅合金靶材的镀镍方法,所述镀镍方法包括以下步骤:(1)将钨硅合金靶材依次进行第一清洗处理、活化处理、第一浸泡热处理和第二浸泡热处理,得到预处理后的靶材;(2)将步骤(1)得到的所述预处理后的靶材浸泡在镀镍液中进行镀镍处理,然...
  • 本发明涉及一种酸性水性组合物,其不含或基本上不含氟阴离子和镍阳离子两者,并且至少包含彼此不同的组分a1)至a5),即作为a1)的磷酸根阴离子、作为a2)的硝酸根阴离子、作为a3)的锌阳离子、作为a4)的铜阳离子以及作为a5)的镁阳离子;一种...
  • 本实用新型涉及化工生产设备技术领域,涉及一种高磷化学镍制备装置,包括:混合桶以及搅拌机构,所述混合桶上端设置有进料口且下端设置有下料管,所述搅拌机构包括搅拌电机以及搅拌轴组件,所述搅拌轴组件包括搅拌轴以及搅拌叶片和清洁刮板,所述清洁刮板远离...
  • 本申请公开了一种外置磁场调节机构及磁控溅射设备,外置磁场调节机构包括固定组件、转动组件和磁性件,固定组件用于连接磁控溅射设备的阴极,并设置在阴极的外部,转动组件与固定组件连接,可相对于固定组件转动,磁性件设置在转动组件上,与转动组件共同相对...
  • 本实用新型涉及真空镀膜机技术领域,且公开了一种可对活塞环均匀镀膜的真空镀膜机,底板的底部设置有固定块,底板的顶部设置有真空镀膜机构,真空镀膜机构的内部设置有均匀转动固定机构,固定块的底部设置有支撑底板,均匀转动固定机构包括均匀转动组件与固定...
  • 本实用新型提供一种用于优化大尺寸晶圆薄膜均匀性的装置,涉及超导量子计算技术领域。一种用于优化大尺寸晶圆薄膜均匀性的装置,包括真空腔室、控制电脑、遥控手柄和样品台,所述真空腔室的内部固定连接有电子束蒸发设备、速率晶振和膜厚晶振,所述样品台和真...
  • 本实用新型公开了一种新型离子注入功能的镀膜机,涉及镀膜机技术领域。本实用新型包括镀膜机主体,所述镀膜机主体左侧和右侧均固定连接有喷射座,所述喷射座远离镀膜机主体的一侧固定连接有进料管,所述喷射座上方设置有固定块,所述固定块顶部固定连接有电动...
  • 本实用新型提供了一种气相沉积设备及半导体加工系统,属于半导体制造技术领域,气相沉积设备包括基座、中心遮挡部、至少一遮蔽环和驱动结构,基座用于承载衬底,中心遮挡部设置于基座的上方,用于遮挡衬底的中部,遮蔽环用于嵌套于中心遮挡部的边缘,与中心遮...
  • 本发明提供一种在将钨膜作为微细结晶膜的同时,还能根据膜厚调整膜应力的硬掩模的制造方法。其包括:以钨材质的靶材作为靶,在真空气氛的处理室内导入稀有气体和氮气,通过反应性溅射法在被处理基板Sw表面形成氮化钨膜Ly1的第一工序;以及,以钨材质的靶...
  • 本实用新型公开了一种用于热镀锌机组沉没辊的位置调整装置,本装置的支撑底座跨设于热镀锌机组的气刀底座上,升降驱动机构包括由电机驱动的升降机,升降驱动机构设于支撑底座,升降导柱设于升降机,横移底座设于升降导柱,横移底座内设有套筒,横移导柱设于套...
  • 本发明提供了一种基于真空镀膜在线检测电机控厚装置包括位于外壳内部的驱动板和多个并排设置的控厚组件,所述控厚组件包括依次连接的直线电机、连杆、连接块和补正板,所述驱动板通过直线电机控制补正板接近或者远离离子膜发射柱,所述连杆穿过外壳的前面板,...
  • 本发明提供了一种喷淋板、一种半导体器件的加工设备以及一种半导体器件的加工方法。所述喷淋板包括:顶板,设于所述喷淋板的顶部,其中心区域设有第一进气口,用于获取反应气体;喷淋头,设于所述喷淋板的底部,配合所述顶板形成混气腔,并经由设于所述喷淋头...
  • 本发明涉及一种兼容于集成电路后道工艺的石墨烯薄膜的制备方法,其包括如下步骤:S1,提供厚度为10nm‑50nm的金属薄膜衬底,该金属薄膜衬底选自铜,钴,钌或镍薄膜衬底中的一种;S2,在活性碳原子浓度增强场中,350℃‑400℃下,通入碳源气...
  • 本实用新型提供了一种可调控气流的镀膜装置,所述镀膜装置包括若干个泵组件、镀膜室和连接所述泵组件与镀膜室的连接件;所述连接件上设置有气流比例阀,所述气流比例阀用于控制气路的流量;所述气流比例阀包括阀体、阀芯和磁流体;所述阀体的上方设置有磁流体...
  • 本实用新型公开了一种碳化硅基板定位装置,包括底座,所述底座的一侧设置有定位结构,底座的上端面安装有至少一个支撑座,支撑座上安装有定位座,定位座向底座上设置有定位结构的一侧伸出,定位座上设置有定位缺口。使用时,通过底座上的定位结构对碳化硅基板...
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