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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明提供了一种宇航级Parylene‑C基薄膜及其制备方法,属于航空航天材料技术领域。宇航级Parylene‑C基薄膜包括依次成型于待镀器件上的偶联剂层、Parylene‑C主体膜层、胶黏剂层和聚酰亚胺保护膜层。通过使用偶联剂,可使Par...
  • 本发明公开了一种薄膜处理装置及其方法,该装置包含:反应腔室、进气隔板和排气隔板;进气法兰组件,其包含多个与反应空间对应的主反应气体喷口和与净化空间对应的辅助气体喷口;气体导流组件,其包含多个与进气隔板的辅助气体进气通道连通的辅助气体导流管道...
  • 本发明总体上提供了一种用于真空腔室的气体扩散器支撑结构的装置和方法。所述气体扩散器支撑结构包括具有中心孔的背板和气体偏转器,所述气体偏转器的长度和宽度不等于透过多个向外紧固件连接到所述背板的长度,所述多个向外紧固件连接到形成在所述背板中的多...
  • 本发明属于薄膜制备技术领域,公开了一种蒸镀设备。该蒸镀设备包括本体、盖体、驱动件、限位件和检测件。本体设有腔室;盖体具有打开腔室的第一状态和关闭腔室的第二状态,盖体设有安装位;驱动件与盖体传动连接,用于带动盖体在第一状态和第二状态之间切换;...
  • 本实用新型提供一种腔室的门阀组件及半导体工艺设备。腔室的门阀组件设置于腔室的传片口,门阀组件包括门框,门框设置有沿门框的厚度方向贯穿门框的传片通道,门框还设置有进气孔、出气孔、进气通道、排气通道和收集腔;其中,进气孔位于传片通道的顶壁上且与...
  • 本发明涉及金属表面处理技术领域,提出了一种铝板表面无机覆盖层制备工艺控制方法,旨在解决现有铝板磷化工艺存在的适应性差、控制精度低、膜层质量不稳定等技术问题。该方法通过工况诊断、参数预调整、动态参数补偿、差异化后处理及效果验证五个核心步骤,基...
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜机的限位装置,属于真空镀膜机技术领域,包括真空室体框,所述真空室体框的一侧固定安装有铰链,所述铰链的端部固定连接有真空室门框,所述真空室门框和真空室体框的顶部设置有限位装置。本实用新型中,通过在真空室门框和真空室...
  • 本申请涉及真空镀膜技术领域,且公开了一种多工位连续式真空镀膜设备,包括外筒体,所述外筒体开口向上,且所述外筒体外表面一侧开设有槽体,所述外筒体与槽体相对的一侧固定连接有镀膜机,所述外筒体内部中心处转动连接有转动柱,所述转动柱外表面固定连接有...
  • 本实用新型属于金刚石膜制备领域,公开了一种钼台。所述钼台包括底座,底座上表面设置圆形凹槽,所述圆形凹槽的底部设置生长圆柱;所述生长圆柱包括圆柱段和位于圆柱段上部的凸球面,所述圆柱段的高度小于圆形凹槽的深度,所述生长圆柱的高度大于圆形凹槽的深...
  • 本发明提供了一种适用于高强度钢的化学镀Ni‑Co‑P合金工艺方法,包括的步骤有:表面整理;脱脂处理;酸洗;表面调整;化学镀Ni‑Co‑P合金;回收;二级逆流漂洗;对镀后的工件吹水、烘干或除氢处理;进行封闭处理。本发明解决了装备用高强度合金钢...
  • 示例性半导体处理系统包括:处理腔室,所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道,所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱,所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括可移...
  • 本发明涉及钢材料表面耐腐蚀膜制备技术领域,具体涉及一种耐腐蚀锆硅复合膜制备方法。(1)硅烷水解液制备:按一定比例配置乙醇水溶液,取一定体积硅烷成膜剂缓慢加入乙醇水溶液中,缓慢搅拌并加入有机弱酸调节pH值,待完全水解即得硅烷水解液;(2)钢材...
  • 本申请公开了一种检测装置,涉及半导体领域。一种检测装置,应用于工艺腔室,工艺腔室包括腔体以及设于腔体内的承载装置和匀流板,匀流板的底端面与承载装置的承载面相对设置,且匀流板的环形侧壁面与底端面之间通过倾斜连接面过渡连接;检测装置包括:安装组...
  • 本发明公开了一种耐磨多主元合金氮化物薄膜,其特征在于:包括以氩气和氮气为离化气体在硅基底上直接镀覆一层(VCoNi)Nx薄膜;所述(VCoNi)Nx薄膜包含按照原子百分比含量计算的如下元素:V19~39%、Co19~39%、Ni19~39%...
  • 本发明公开了一种等离子喷涂自动旋转工装,包括底座,底座的顶部一侧固定连接有固定座,底座的顶部远离固定座的一侧设置有第一移动座,等离子喷涂自动旋转工装还包括;管件固定组件,设置于固定座和第一移动座的顶部;动力单元,设置于固定座的顶部远离第一移...
  • 本实用新型公开了一种气体喷淋头组件及等离子体处理装置,气体喷淋头组件设置在等离子体处理装置的反应腔内,包括:背板,位于反应腔内的顶部;气体喷淋头,位于背板的下方;悬挂装置,悬挂装置的第一端连接背板,悬挂装置的第二端连接气体喷淋头;气体喷淋头...
  • 本申请公开了一种提高含渗氮层类部件性能的方法、含渗氮层类部件,其中,所述方法包括以下步骤:对含渗氮层类部件进行脉冲磁场与超声耦合处理;所述超声的频率T1和所述脉冲磁场的频率T2的比值k范围为4×104‑2×105。本申请通过在适宜频率下的超...
  • 公开沉积源和电子装置。该沉积源可包括:外壳;喷嘴部件,设置在外壳上,并且包括第一喷嘴和与第一喷嘴相邻的第二喷嘴;第一储存器,设置在外壳中并且被配置以容纳第一沉积材料;第二储存器,设置在外壳中并且被配置以容纳第二沉积材料;以及盖,设置在外壳与...
  • 本实用新型涉及真空镀膜加工技术领域,具体为一种节能型真空镀膜固定装置,包括真空热蒸机构,设置在真空热蒸机构内的钨丝以及设置在真空热蒸机构内的多组调角承印机构,所述真空热蒸机构包括均布的多个承压外壳,所述调角承印机构包括三个丝杆,设置在相邻两...
  • 根据本发明的实施方案的用于形成含钼薄膜的化合物是由化学式1表示的化合物,其中,化学式1中,R1和R2各自独立地选自氢、碳原子数为1至6的直链烷基和碳原子数为3至6的支链烷基,R3选自碳原子数为1至6的直链烷基、碳原子数为3至6的支链烷基和碳...
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