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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明公开了一种激光熔覆同轴送粉喷嘴,涉及金属熔覆技术领域。一种激光熔覆同轴送粉喷嘴包括机座,机座的上方安装有激光发生机构,机座的外侧固定安装有送粉机构,机座的下方通过通道管贯穿连接有喷嘴,喷嘴的内部周向同等角度开设四个第四滑槽,四个第四滑...
  • 本实用新型属于真空镀膜技术领域,具体是涉及一种分区式多层镀膜装置。本实用新型的分区式多层镀膜装置,主要包括真空腔室、多个镀膜区和传送装置;多个镀膜区相邻设置;镀膜区包括靶材、电源和磁场装置;靶材固定于镀膜区的内壁上;电源通过电缆与靶材相连;...
  • 本实用新型公开了一种可移动式激光熔覆修复装置,涉及熔覆修复技术领域,包括装置本体和熔覆头,所述装置本体上部开设有安装槽,所述安装槽内壁上转动连接有相互啮合连接的蜗轮和蜗杆,所述蜗轮上部固定连接有转盘,所述转盘上部设置有支撑熔覆头的支撑组件,...
  • 本发明公开了一种触力稳定大行程引弧装,包括引弧针、加长杆、引弧杆、固定套筒、导杆气缸、气缸固定座、靶材,所述导杆气缸安装于气缸固定座上,固定套筒固定安装在固定座上,所述固定套筒中安装有直柱型无油衬套,与引弧杆形成滑动副,所述导杆气缸通过绝缘...
  • 本申请涉及一种射频靶。射频靶包括靶材、靶材背板、磁极、隔水组件以及限位组件,靶材设置于靶材背板的一侧,磁极设置于靶材背板背离靶材的一侧,隔水组件包括隔水板,隔水板设置于靶材背板与磁极之间,隔水板与靶材背板界定形成冷却水道;限位组件被配置为用...
  • 本实用新型公开了一种激光熔覆头,涉及激光熔覆设备技术领域,包括机架以及激光头本体,所述机架上装配有能够调整激光头本体熔覆角度的调整机构;通过设置有调整机构,在第一弧形架摆动带动延伸架移动时,延伸架通过第二滑块使球形件在第一滑块上滑动,此时第...
  • 本发明涉及半导体材料领域,尤其是一种磁控溅射氧化镓薄膜的制备方法,针对现有技术中的氧化镓薄膜制备方法结晶度低、探测器响应度与响应速度相互制约和暗电流大的问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1、靶材制备;S2、基片处理,将蓝宝石基片超声清...
  • 本发明公开了一种无磷预膜剂,由如下质量百分比的组分组成:N‑月桂酰基肌氨酸12~18%、锌盐15~20%、亚铁盐7~10%、丙烯酸‑衣康酸共聚物5~9%和软化水50~60%。本发明还公开了上述无磷预膜剂的制备方法及其在循环冷却水系统中进行预...
  • 本实用新型公开了一种管件内壁激光熔覆装置,涉及激光熔覆设备技术领域,包括机架以及管道,所述机架上装配有能够对管道进行固定限位的固定机构;通过设置有输送机构,通过第二电机驱动第二齿轮使第一齿轮开始转动,第二螺杆就会带动激光发生器本体和喷涂器本...
  • 本实用新型涉及新能源光伏技术领域,尤其涉及一种免堵风刀加热装置,包括有固定架、固定夹与风刀组件;固定架一侧设置有固定板,固定架一侧设置有固定夹,固定板内侧设置有螺纹杆,螺纹杆外侧转动连接有活动夹,螺纹杆上端设置有转动块,固定夹与活动夹之间设...
  • 本实用新型公开了一种可调注气挡板及沉积设备,该可调注气挡板主要包括阻挡板和堵孔件,阻挡板开设通气孔以供气流通过并进入反应腔,堵孔件设置于阻挡板远离反应腔的一侧,并能够在垂直于阻挡板的方向进行调节;堵孔件在沿垂直于阻挡板的方向调节至第一位置时...
  • 本发明涉及激光熔覆喷嘴技术领域,公开了一种激光熔覆同轴送粉喷嘴,包括喷嘴主体,还包括激光通道,同轴开设在喷嘴主体的中部;多个粉末通道,均匀开设在喷嘴主体的内部;锥形保护气通腔,同轴开设在喷嘴主体的内部且位于粉末通道的外部,锥形保护气通腔的外...
  • 本发明涉及一种低能耗蓄热式污泥脱水‑焚烧一体化装置与运行方法,该装置包括以下部件:真空脱水装置;电动刀闸电机;微波焚烧装置;尾气焚烧装置;高压涡旋风机;余热利用蓄热釜;预热回收装置;污泥螺旋输送机;尾气输送管道;灰渣收集装置;储泥罐;智能控...
  • 本发明公开了一种用于固态电池的梯度功能化微孔铜箔及其制备方法,涉及固态电池制造技术领域。本发明核心技术方案包括:1.采用PLA与PBS共混体系,掺杂纳米黏土及马来酸酐接枝PLA作为原材料,经熔融挤出、双向拉伸、热定型制备基膜;2.对基膜进行...
  • 本发明公开了一种基于铝垫直接化学镀重布线层的制作方法,涉及半导体加工技术领域,包括以下步骤,晶圆清洗、光阻涂布、PAB软烘烤、RDL曝光、显影、Descum处理、活化处理、RDL化镀以及光阻去除;本发明摒弃了传统半导体封装中必需的、昂贵且复...
  • 本实用新型公开了一种半导体外延及半导体结构,属于半导体技术领域。所述半导体外延至少包括:衬底;第一缓冲层,设置在所述衬底上,所述第一缓冲层为非晶结构;以及第二缓冲层,设置在所述第一缓冲层上,所述第二缓冲层为多晶结构。通过本实用新型提供的半导...
  • 本发明提供了一种工艺腔室、一种工艺腔室气体浓度的控制方法,以及一种计算机可读存储介质。所述工艺腔室包括:侧壁,其上设有晶圆的传片口;以及吹扫机构,集成于所述侧壁,并包括多个匀气通道,其中,所述吹扫机构的第一匀气通道在所述侧壁中沿所述工艺腔室...
  • 本实用新型公开了一种用于镀硫化锌设备的过滤装置,包括盖合在蒸发舟上端的壳体,壳体将蒸发舟内腔密封,壳体两端分别延伸设有正电极连接端和负电极连接端,壳体内腔从下至上依次间隔设有第一过滤网板、第二过滤网板和出气网板,第一过滤网板和第二过滤网板分...
  • 本发明涉及铜带材清洗,具体是一种光面铜带无刷清洗表面控制方法。清洗全过程采用“无刷清洗”,与传统研磨清洗相比,铜带表面质量控制难度明显增加,通过化学清洗与高压喷淋相结合的方式替代传统机械刷洗,实现高端产品表面不允许有划伤、刷纹的要求。为保证...
  • 本发明涉及半导体薄膜沉积技术领域,公开了一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法,包括:实时获取蒸发云空间分布信息,并基于该信息同步计算聚焦度特征、空间漂移特征与瞬态剧烈扰动;根据聚焦度特征与空间漂移特征,分别解耦调节电子束扫描的幅度与中心点,...
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