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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法
    一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法_亚芯半导体材料(江苏)有限公司_202511261233.1
    本发明涉及靶材制备技术领域，尤其涉及一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法，包括以下步骤：步骤1、真空熔炼：取出钽锭；步骤2、正向轧制；步骤3、斜轧制；步骤4、叠轧制；步骤5、热处理：将轧制后的钽靶坯进行热处理；步骤6、机械加工：将热处理后的钽...
    2025-12-23
  • 一种同轴矩形孔式激光熔覆送粉喷嘴
    一种同轴矩形孔式激光熔覆送粉喷嘴_常州工业职业技术学院_202520167758.8
    本实用新型涉及激光熔覆送粉喷嘴技术领域，尤其是涉及一种同轴矩形孔式激光熔覆送粉喷嘴，包括至少两个送粉嘴和冷却盒，所述送粉嘴上沿其轴向设置有送粉通道，所述冷却盒上开设有冷却内腔，所述冷却盒上设置有与冷却内腔连通的进水口和出水口，所述冷却盒上设...
    2025-12-23
  • 立式炉管
    立式炉管_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410783591.8
    本申请提出的立式炉管，包括：工艺管，底部内侧设有基座；多个气体喷射器，包括流体连通的进气管和喷射管，所述进气管的一端与工艺气体的供应源连接，另一端水平插设在所述基座内；所述喷射管设置在所述工艺管内部，且竖直插设在所述基座内；所述喷射管靠近底...
    2025-12-23
  • 一种电镀锡钢板用助熔剂及钢板表面助熔方法
    一种电镀锡钢板用助熔剂及钢板表面助熔方法_上海梅山钢铁股份有限公司_202410781798.1
    本发明公开了一种电镀锡钢板用助熔剂及钢板表面助熔方法，解决了现有电镀锡钢板表面质量差、表面性能差的技术问题。技术方案为，一种电镀锡钢板用助熔剂，其组成成分为：牛磺酸5‑80g/L，甲基磺酸10‑80g/L，抗坏血酸或苹果酸中一种5‑120g...
    2025-12-23
  • 蒸发装置及镀膜设备
    蒸发装置及镀膜设备_重庆金美新材料科技有限公司_202423296739.X
    本申请公开了一种蒸发装置，包括蒸发组件和加热组件。其中，蒸发组件上设置有蒸发池，蒸发池用于承载并蒸发膜料。加热组件包括至少两组，至少两组加热组件沿蒸发池的高度方向依次间隔设置于蒸发池的顶部，各组加热组件均包括至少一个加热件，加热件的延伸方向...
    2025-12-23
  • 一种高强度耐腐蚀钢制自行车托架及其制备方法
    一种高强度耐腐蚀钢制自行车托架及其制备方法_扬州元辰汽车配件有限公司_202511320097.9
    本发明涉及不锈钢技术领域，具体公开了一种高强度耐腐蚀钢制自行车托架及其制备方法，采用二次激光熔覆的方式，在自行车托架表面一次形成镍铬钼过渡层和碳化钛‑硼化铬功能层，之后进一步对涂层强化处理，包括激光重熔和热处理，涂层内部晶粒得到细化，涂层内...
    2025-12-23
  • 一种磺酸离子膜成膜设备及其使用方法
    一种磺酸离子膜成膜设备及其使用方法_厦门市液流储新能源科技研究院(个人独资)_202511331251.2
    本发明公开了一种磺酸离子膜成膜设备及其使用方法，包括烤箱本体，所述烤箱本体上安装有箱门，所述烤箱本体的内部自上而下固定有导热板和石英玻璃载盘，所述烤箱本体通过导热板和石英玻璃载盘分隔为上层缓冷区、中层恒压区、下层辐射区，所述上层缓冷区内安装...
    2025-12-23
  • 一种载流摩擦诱导纳米铜粉转移形成的银铜合金及其制备方法
    一种载流摩擦诱导纳米铜粉转移形成的银铜合金及其制备方法_暨南大学_202511062883.3
    本发明公开了一种载流摩擦诱导纳米铜粉转移形成的银铜合金及其制备方法，属于金属表面功能化涂层技术领域。该方法是通过在润滑介质中添加纳米铜粉，并利用载流摩擦诱导实现铜元素定向转移，从而形成银铜合金涂层。本发明的银铜合金尤其适用于高导电、高耐磨、...
    2025-12-23
  • 一种镀膜转架及镀膜设备
    一种镀膜转架及镀膜设备_星氢源(上海)科技有限公司_202423307934.8
    本实用新型公开了一种镀膜转架及镀膜设备，转架包括：设有上转盘和下转盘的架体；第一导轨和第二导轨，沿架体的转动周向分设于上转盘和下转盘上；定位组件，包括成对分设于上转盘和下转盘的边缘上的第一定位部和第二定位部，用于竖直夹持挂杆；定位组件沿转动...
    2025-12-23
  • 镀膜装置以及镀膜系统
    镀膜装置以及镀膜系统_辽宁卓越真空设备有限公司_202520175123.2
    本申请提供镀膜装置以及镀膜系统，该镀膜装置包括镀膜室、镀膜构件以及调节构件；镀膜构件设置有多个，多个镀膜构件沿镀膜室的周向方向间隔排布于镀膜室；镀膜构件包括多个镀膜部；多个镀膜部能够向待镀件发射等离子体。利用多个镀膜部对带锯条镀膜时，能够提...
    2025-12-23
  • 喷淋板和原子层沉积设备
    喷淋板和原子层沉积设备_捷泰新能源科技(苏州)有限公司_202520051919.7
    本实用新型涉及一种喷淋板和原子层沉积设备，包括：外板，设有第一外孔和第二外孔；与外板分体设置且可拆卸连接的内板，沿第一方向贯穿设有第一内孔和第二内孔；内板与外板相连时，内板与外板沿第一方向面向彼此的表面贴合，第一外孔与第一内孔拼接形成用于喷...
    2025-12-23
  • 一种硅片舟
    一种硅片舟_无锡普乐新能源有限公司_202423082940.8
    本申请提供了一种硅片舟，硅片舟包括第一底板、第二底板、两对立柱以及用于承载硅片的至少一对槽板，两对立柱的两端分别固定设置在第一底板和第二底板的第一侧边缘、第二侧边缘，两边缘相对，每个立柱的外侧面均设置有一个搭接部；或者，设置于同一侧边缘的一...
    2025-12-23
  • 脉冲激光沉积设备
    脉冲激光沉积设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202310090654.7
    本发明公开了扫描式靶座装置以及脉冲激光沉积设备。其中，该扫描式靶座装置包括：第一传动单元，具有第一主体和呈空心状的安装筒，第一主体安装到镀膜室的外侧，安装筒相对第一主体可回转；第二传动单元，安装到安装筒，第二传动单元具有第二主体以及安装轴，...
    2025-12-23
  • 一种钇掺杂梯度结构环境障涂层及其制备方法和应用
    一种钇掺杂梯度结构环境障涂层及其制备方法和应用_中国航发北京航空材料研究院_202511313780.X
    本申请公开了一种钇掺杂梯度结构环境障涂层、其制备方法及应用，依次设置的基体、Si‑HfO2‑Y粘结层、Yb2‑xYxSi2O7中间层、yYb1.6Y0.4DS‑(1‑y)Yb1.6Y0.4MS过渡层和Yb2‑zYzMS环境障层，其中x为0至...
    2025-12-23
  • 一种层状异构镁合金型材及其制备方法和应用
    一种层状异构镁合金型材及其制备方法和应用_湖南科技大学_202511167375.1
    本发明提供了一种层状异构镁合金型材及其制备方法和应用，涉及镁合金材料加工领域，该层状异构镁合金型材的制备方法，包括：提供多个第一、第二镁合金坯体。分别对各第一、第二镁合金坯体进行固溶处理，得到多个第一、第二预处理坯体，且第一预处理坯体与第二...
    2025-12-23
  • 一种易脱脂的热浸锌铝镁镀层钢板及其制备方法
    一种易脱脂的热浸锌铝镁镀层钢板及其制备方法_首钢集团有限公司_202511279689.0
    本申请涉及一种易脱脂的锌铝镁镀层钢板及其制备方法，属于钢板制备技术领域。所述钢板包括钢基体，以及覆在所述钢基体表面的锌铝镁镀层，所述锌铝镁镀层表面的共晶组织面积比例＜30％。由于共晶组织一般分为三元共晶Zn‑Al‑MgZn2或者二元共晶Zn...
    2025-12-23
  • 一种可降低6系合金晶粒度及偏析层的制备方法
    一种可降低6系合金晶粒度及偏析层的制备方法_福建祥鑫新材料科技有限公司_202511056585.3
    本发明公开了一种可降低6系合金晶粒度及偏析层的制备方法，涉及金属材料制备技术领域，该制备方法的具体步骤为：S100，原料准备；利用电子分析天平按6系合金标准成分称量铝锭、纯镁锭、硅铁合金，各原料称量误差为±0.01％；本发明通过磁场约束凝固...
    2025-12-23
  • 保温结构及半导体工艺设备
    保温结构及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410783080.6
    本申请公开了一种保温结构及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种保温结构，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺门和晶舟，所述保温结构设于所述工艺门与所述晶舟之间；所述保温结构包括：第一承载件、第二承载件、多个连接件和多个保温件；所...
    2025-12-23
  • 薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备
    薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备_拓荆科技(上海)有限公司_202423114162.6
    本实用新型公开了一种薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备。该调整装置包括：底座，其内部包括若干条气管，其中，第一气管中通入反应气体；以及加热盘，其上隔空放置正面镀膜的晶圆，所述加热盘的表面设有对应所述晶圆背面的多个区域的多块出气区，其中...
    2025-12-23
  • 一种成膜装置及半导体处理设备
    一种成膜装置及半导体处理设备_无锡先为科技有限公司_202423318280.9
    本申请公开了成膜装置及半导体处理设备，属于半导体技术领域。成膜装置，包括：处理室、基座、进气组件及多个载台，处理室包括底壁、顶壁及侧壁，顶壁、底壁与侧壁共同围成有反应腔；基座设置于反应腔内，并与底壁或顶壁连接；进气组件包括进气主体，进气主体...
    2025-12-23
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