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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法
    一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法_九江德福科技股份有限公司_202410579135.1
    本发明公开了一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，属于埋阻铜箔技术领域，以解决现有技术无法制备出低电阻温度系数和阻值波动小、电阻率大于9×10‑4的埋阻铜箔产品的问题。方法包括制备生箔层、制备表面处理层、反应溅射电阻...
    2025-09-13
  • 一种船用潜水钟绞车绞缆管理装置
    一种船用潜水钟绞车绞缆管理装置_百纳电气科技(广州)有限公司_202422892619.X
    本实用新型公开了一种船用潜水钟绞车绞缆管理装置，包括转盘和机身，所述转盘的顶端安装有机身，所述机身的顶端设置有横臂，所述横臂靠近机身的一端安装有第一连接轴，且横臂经过第一连接轴与机身活动连接，所述横臂远离第一连接轴的一端设置有弯臂，所述弯臂...
    2025-09-13
  • 一种TPU注塑件射出片的光学镀膜加工方法
    一种TPU注塑件射出片的光学镀膜加工方法_广东中鼎科技发展有限公司_202510652429.7
    本发明涉及光学镀膜的技术领域，具体公开了一种TPU注塑件射出片的光学镀膜加工方法。其包括以下步骤：S1、前处理：将TPU注塑件射出片置于超声波清洗设备中进行脱油脱脂清洗；烘干后对TPU注塑件射出片喷涂有机硅改性树脂，固化后在TPU注塑件射出...
    2025-09-13
  • 一种高塑性高耐蚀镁合金及其制备方法和应用
    一种高塑性高耐蚀镁合金及其制备方法和应用_上海交通大学_202310570136.5
    本发明公开一种高塑性高耐蚀镁合金，所述镁合金包含以下重量百分含量的成分：Sn 1～6％、Al 0.1～1％、Zr 0.1～1％、Mn 0.01～3％，余量为Mg和不可避免的杂质。本发明通过对于镁合金中元素成分的调控，并结合合适的挤压工艺得到...
    2025-09-13
  • 一种通信滤光片加工用镀膜治具
    一种通信滤光片加工用镀膜治具_苏州文迪光电科技有限公司_202422790506.9
    本实用新型公开了一种通信滤光片加工用镀膜治具，涉及通信滤光片加工领域，包括底座以及底座下端固定安装的驱动电机，且驱动电机的输出端固定安装有镀膜箱，并且镀膜箱的前后两端转动安装有转动杆，而且前后两个所述转动杆的内侧固定安装有镀膜盘，所述底座的...
    2025-09-13
  • 一种基于后碲化处理的高功率因子Bi2Se3薄膜的制备方法
    一种基于后碲化处理的高功率因子Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法_河北大学_202510289879.4
    本发明属于热电薄膜材料技术领域，具体公开了一种基于后碲化处理的高功率因子Bi2Se3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、制备靶材；S2、放置基片与靶材；S3、调节真空度；S4、薄膜沉积，得到Bi<...
    2025-09-13
  • 塔机突然卸载防倾覆系统、控制方法及处理器
    塔机突然卸载防倾覆系统、控制方法及处理器_中联重科股份有限公司_202211125074.9
    本发明公开一种塔机突然卸载防倾覆系统及其控制方法，所述防倾覆系统包括臂架与塔身铰接；所述可脱落平衡重设置于臂架上；平衡重脱落机构，所述平衡重脱落机构在锁止状态下将所述可脱落平衡重锁止于臂架上，在释放状态下解除对所述可脱落平衡重的锁止，以使所...
    2025-09-13
  • 镀膜设备
    镀膜设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202510602084.4
    本公开实施例提供了一种镀膜设备，包括：第一腔室；静电吸盘，位于所述第一腔室内；准直器，位于所述第一腔室内，具有多个间隔分布的准直通道；第二腔室，与所述第一腔室相邻设置，其中，所述第二腔室与所述第一腔室相邻的腔壁上具有连通通道，所述第二腔室通...
    2025-09-13
  • 沉积处理设备
    沉积处理设备_三星显示有限公司_202110516229.0
    提供了沉积处理设备。沉积处理设备包括装载有衬底固定装置的第一室、限定执行沉积处理的沉积处理空间的第二室以及包括将衬底固定装置从第一室传输到第二室的传输模块的第三室。衬底固定装置包括第一支承件和第二支承件，第一支承件支承至少一个衬底，第二支承...
    2025-09-13
  • 显示装置的制造装置和显示装置的制造方法
    显示装置的制造装置和显示装置的制造方法_三星显示有限公司_202510126312.5
    本发明涉及显示装置的制造装置和显示装置的制造方法，本发明的一实施例公开显示装置的制造装置，包括：第一腔室，在所述第一腔室的内部装载显示基板；第二腔室，与所述第一腔室连通，在所述第二腔室中产生第一等离子体；气体供给部，用于向所述第二腔室供给第...
    2025-09-13
  • 一种高强度高压压铸镁合金及其制备方法
    一种高强度高压压铸镁合金及其制备方法_山西瑞格金属新材料有限公司_202510942748.1
    本发明公开了一种高强度高压压铸镁合金及其制备方法，属于有色金属材料技术领域。本发明提供的高强度高压压铸镁合金，按照重量百分比计，由以下成分组成：Zn 6‑10％、Al 6‑10％、La 0.1‑1％、Ce 0.1‑2％、Sm 0.001‑0...
    2025-09-13
  • 一种具有双粘结层结构的热障涂层及其制备方法
    一种具有双粘结层结构的热障涂层及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511004108.2
    一种具有双粘结层结构的热障涂层及其制备方法属于热障涂层领域。本发明所述热障涂层以镍基高温合金为基底，依次包括MCrAlY下粘结层、Cr2AlC上粘结层和8YSZ陶瓷层，其中MCrAlY下粘结层和Cr2AlC上粘结层采用超音速火焰喷涂工艺制备...
    2025-09-13
  • 一种用于建筑工程中塔吊倾覆控制的安全装置及施工方法
    一种用于建筑工程中塔吊倾覆控制的安全装置及施工方法_中建国际工程有限公司_202510943400.4
    本发明公开一种用于建筑工程中塔吊倾覆控制的安全装置及施工方法，涉及建筑施工技术领域，装置包括调节限位机构和承托机构，所述承托机构包括承托支架、滑降制动组件、与所述滑降制动组件连接的滑轨；所述承托支架的两侧设有滑动支座，以及与所述滑动支座连接...
    2025-09-13
  • 镀膜装置
    镀膜装置_铠柏科技有限公司_202111305884.8
    本发明公开一种镀膜装置，其包括基座模块、倾角模块、承载模块、位移模块以及自转模块。倾角模块包括第一驱动单元以及第一连动单元。第一驱动单元能活动地连接于基座模块。第一连动单元连接于第一驱动单元，并穿设于基座模块。承载模块连接于第一连动单元，承...
    2025-09-13
  • 一种内壁具有超疏水/超滑性能的易脱模混凝土试模及其制备方法
    一种内壁具有超疏水/超滑性能的易脱模混凝土试模及其制备方法_泰山学院_202211273362.9
    本发明公开一种内壁具有超疏水/超滑性能的易脱模混凝土试模及其制备方法，该方法包括以下步骤：a、旋涂负性光刻胶，并通过紫外光刻的方式，得到内壁具有倒梯形微米结构的基底；b、真空蒸发沉积金属层；c、将基底内壁的倒梯形微米结构上表面的金属层去掉；...
    2025-09-13
  • 陶瓷基座
    陶瓷基座_美科陶瓷科技有限公司_202510225978.6
    本发明涉及一种陶瓷基座，根据本发明的陶瓷基座可以包括：绝缘板，配置有一个以上的电极；中空轴，所述中空轴的一端部连接于所述绝缘板；以及一个以上的电极杆，连接于所述电极，所述中空轴可以包括一个以上的侧壁孔，所述一个以上的侧壁孔贯通所述中空轴的侧...
    2025-09-13
  • 一种固液复合超滑的高熵硼化物及其制备与应用
    一种固液复合超滑的高熵硼化物及其制备与应用_中国科学院兰州化学物理研究所_202510841569.9
    本发明公开了一种固液复合超滑的高熵硼化物薄膜及其制备与应用，该方法包含：溅射靶材的制备、衬底预处理、抽真空、基底清洗、靶材清洗、薄膜制备和真空退火；其中衬底预处理是将衬底放入丙酮中超声清洗，转移至无水乙醇中超声清洗，放入水中超声清洗，干燥。...
    2025-09-13
  • 一种可伸缩式塔吊安全通道
    一种可伸缩式塔吊安全通道_湖南省第四工程有限公司_202422421972.X
    本实用新型公开了一种可伸缩式塔吊安全通道，涉及塔吊安全辅助装置技术领域，包括调节板，所述调节板一侧设置有通行钢板，所述通行钢板另一侧内部设置有用以容纳通行钢板的容纳槽，所述通行钢板上端对称设置有两组第一立柱，所述第一立柱左侧设置有第二立柱，...
    2025-09-13
  • 一种加热盘调整装置及调整方法
    一种加热盘调整装置及调整方法_拓荆科技(上海)有限公司_202510815407.8
    本发明公开了一种加热盘调整装置及调整方法，调整装置包括基座背板、加热盘、驱动组件以及联动组件，加热盘具有至少两个，驱动组件固定在基座背板上，联动组件连接驱动组件和至少两个加热盘；其中，驱动组件能够通过联动组件同步驱动至少两个加热盘升降。当驱...
    2025-09-13
  • 一种改善硅片翘曲度的方法
    一种改善硅片翘曲度的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510813030.2
    本发明涉及半导体材料生产技术领域，具体涉及一种改善硅片翘曲度的方法，包括：LPCVD工艺优化：将成膜温度降低到目标温度范围，使成膜晶粒尺寸变小，晶界面积变小，界面能减小，减少晶界应力，从而降低硅片翘曲度；调节SiH4流...
    2025-09-13
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