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  • 本公开公开了一种钨栓塞填充方法, 属于半导体技术领域。该钨栓塞填充方法包括获取设计参数, 根据设计参数确认得到工艺参数, 设计参数包括膜层结构、接触孔尺寸、介电层材料, 工艺参数包括抛光参数和制备参数;根据制备参数, 在介电层上加工得到接触...
  • 本发明提供了一种雾化填孔方法, 其既解决了芯片通孔底部的残留应力和可靠性问题, 又降低了封装成本。在芯片背部硅通孔互连结构的腔体及表面通过二流体雾化填孔装置将非导电填料喷印形成非导电填料区域, 所述非导电填料填充于硅通孔的腔体、且印附于芯片...
  • 本发明属于集成电路工艺领域, 涉及一种集成电路工艺中接触孔的填充方法, 该方法包括:采用离子化金属等离子体沉积在接触孔中依次制备第一TiN层, 第二TiN层和Ti层;采用物理气相沉积法在Ti层表面沉积Al, 并完全填充所述接触孔;第二TiN...
  • 本发明公开了一种功率模块的封装结构, 涉及封装结构技术领域, 包括封装盒、DBC基板和盖板, 所述封装盒的内部开设有基板槽, 且基板槽的底部安置有DBC基板, 所述DBC基板的表面设置有功率半导体芯片, 且封装盒的顶部卡合连接有盖板。该功率...
  • 提供容易稳定地涂敷安装材料的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、配置于所述基板上的安装材料、及配置于所述安装材料上的半导体元件。沿所述基板上的所述安装材料的周围形成有壁状的堤防部与未设有该堤防部的非堤防区域。
  • 本申请公开了一种具有金刚石片阵列的晶圆、模具及制备方法, 晶圆包括包覆有若干的金刚石片第一填充层和第二填充层, 第一填充层硬度小、弹性大。模具包括下模具, 外模具, 第一上模具和第二上模具。第一上模具、外模具的及下模具之间形成第一填充空间;...
  • 本公开实施例提供了一种半导体封装体, 包括:第一半导体芯片;设置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片;设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第一材料层;其中, 第一材料层包括非导电性基材以及分布于非导电性基材中的第一类填料和第二类填料, ...
  • 本发明提供一种半导体封装结构, 其包括载板、第一芯片、第二芯片、多个接合线以及多个第一凸块。所述第一芯片设置在所述载板上。所述第二芯片设置在所述第一芯片上。所述多个接合线设置为电连接所述第一芯片和所述载板。所述多个第一凸块设置为电连接所述第...
  • 一种半导体装置包含具有第一表面的衬底、安置于所述第一表面上的第一粘合剂及安置于所述第一粘合剂上的第一半导体芯片。所述半导体装置进一步包含第一绝缘部件, 所述第一绝缘部件安置于所述第一表面上以便与所述第一粘合剂的至少一部分接触。在垂直于所述第...
  • 一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底的第一表面上方的多个第一电部件。第二衬底具有多个第二电部件。第二衬底设置在第一电部件中的至少一个的上方。第一密封剂沉积在第一衬底、第一电部件、第二衬底和第二电部件上方。第一屏蔽材料设置在第一密封剂上...
  • 本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本公开涉及一种半导体管芯(1), 所述半导体管芯(1)包括:碳化硅(SiC)半导体主体(11);钝化系统(40), 位于SiC半导体主体(11)的第一侧(11.1);钝化系统(40), 包括无机钝化层系统(...
  • 半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1), 包括:半导体主体(10);在半导体主体(10)的第一侧(10.1)上的绝缘层(90);在绝缘层(90)上的粘附促进剂层(190);在半导体主体(10)的第一侧(10.1)上...
  • 半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1), 包括:碳化硅(SiC)半导体主体(10), 在其中形成具有负载端子(21)的器件结构(20);在SiC半导体主体(10)的第一侧(10.1)上的金属化(30), 在其中形成...
  • 半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1), 包括碳化硅(SiC)半导体主体(11);在SiC半导体主体(11)的第一侧(11.1)上的钝化系统(40);所述钝化系统(40)包括无机钝化层系统(45)和在无机钝化层系统...
  • 本发明涉及工业自动化技术领域, 具体涉及一种多芯片框架塑封功率器件, 包括底板、四个塑封体、两个安装组件和两个连接组件, 四个塑封体与底板固定连接, 两个安装组件分别设置在对应的塑封体的内部, 两个连接组件分别设置在对应的塑封体的内部, 安...
  • 本公开涉及半导体器件和晶格状鳍片。根据一个实施例, 半导体器件包括:包括半导体芯片的半导体模块, 半导体芯片具有第一表面和第二表面;以及晶格状鳍片, 靠近半导体芯片的第二表面侧。晶格状鳍片包括第一晶格状本体和第二晶格状本体, 第一晶格状本体...
  • 本申请提供了一种射流液冷结构、其制作方法及电子设备, 射流液冷结构包括:基板、芯片、冷却罩、塑封和金属防护层。芯片和冷却罩位于基板之上, 且冷却罩与基板构成腔体, 芯片位于腔体内部。塑封体填充于基板之上的芯片与冷却罩之间, 塑封体覆盖芯片的...
  • 一种具散热功能的功率晶片封装模组, 包含蒸气腔、介电层、导电层以及功率晶片, 蒸气腔包含铜上盖以及一相对于铜上盖的下板, 铜上盖具有上盖上表面, 当铜上盖耦合于下板时, 形成一密闭气腔、一吸热区以及一冷凝区, 其中, 吸热区位于铜上盖;冷凝...
  • 本申请实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备, 涉及电子技术领域, 用于改善芯片封装结构无法兼容散热性能和防翘曲性能的问题。芯片封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和散热盖。第一芯片和第二芯片位于基板同一侧。第一芯片的温度低于第二...
  • 半导体装置(10)具备部件内置基板(20), 部件内置基板(20)具有:基板(25);第一半导体元件(31);第二半导体元件(32), 其在与基板(25)的厚度方向(DT)正交的方向上隔开间隔地与第一半导体元件(31)排列;第一散热构件(6...
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