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最新专利技术
  • 一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用
    一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用_河南微米光学科技有限公司_202511069558.X
    本申请属于晶体技术领域，尤其涉及一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用。该晶体为掺杂镁离子和钡离子的氟化钙晶体，在该晶体的制备方法中，先将用于掺杂的镁离子和钡离子进行预处理，用氟化钙前驱体进行包覆，采用传统坩埚下降法结...
    2025-12-29
  • 一种单晶炉加热系统及调控方法
    一种单晶炉加热系统及调控方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511050412.0
    本发明涉及单晶炉加热技术领域，具体涉及一种单晶炉加热系统及调控方法，包括主加热器、辅加热器和分控模型，主加热器套设于坩埚外围且与炉体底壁固定连接，辅加热器与炉体底壁固定连接且位于主加热器底部，辅加热器与主加热器同轴布设，主加热器和辅加热器通...
    2025-12-29
  • 液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统
    液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511069101.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统；所述液氩输送管道穿设于套管式换热组件的通道内，管道外壁与通道内壁间形成的环形间隙作为空气传热介质，使液氩冷量依次经环形间隙空气、套管式换热组件内壁...
    2025-12-29
  • 单晶炉真空度抽吸装置
    单晶炉真空度抽吸装置_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511070148.7
    本发明提供的单晶炉真空度抽吸装置，属于单晶炉抽真空技术领域，包括真空泵、防堵塞组件、过滤除尘组件，真空泵通过管道与防堵塞组件连接，防堵塞组件通过管道与过滤除尘组件连接，使用本申请提供的抽吸装置对单晶炉内的废气进行抽吸时，首先真空泵抽取单晶炉...
    2025-12-29
  • 热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法
    热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法_胜高股份有限公司_202511088640.7
    本发明提出一种能够扩大可获得无缺陷的单晶硅的晶体的提拉速度的界限的热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。本发明的热屏蔽部件(1)设置在从被配置于石英坩埚的周围的加热器加热并贮存在石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭(I)...
    2025-12-29
  • 低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品
    低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511067360.8
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及其产品，方法包括等径过程中，通过增加炉压并改变拉速，其中，增加炉压包括通过控制惰性气体的阀门开度将炉压由转肩完成时的12Kpa逐步抬升至30Kpa，并保持稳定...
    2025-12-29
  • 高阻高氧高BMD单晶硅及其掺杂剂浓度补偿方法与制备方法
    高阻高氧高BMD单晶硅及其掺杂剂浓度补偿方法与制备方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511405495.0
    本发明提供了一种高阻高氧高BMD单晶硅掺杂剂浓度补偿方法、高阻高氧高BMD单晶硅及其制备方法与系统，该补偿方法包括：根据高阻高氧高BMD单晶硅的目标电阻率计算P型掺杂剂的理论掺杂浓度；根据高阻高氧高BMD单晶硅中的氮元素的初始掺杂浓度以及高...
    2025-12-29
  • 泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置
    泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置_天通银厦新材料有限公司_202510823954.0
    本发明公开了一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置，炉体内设底保温板、顶保温板、主保温筒及侧保温筒，主保温筒通过由石墨碳毡制成的筒状结构拼接而成，该装置的热场结构能够满足达到晶体生长所需的较小温度梯度和“微凸”固液界面，得到较高质量的晶...
    2025-12-29
  • 碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备
    碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备_江苏集芯先进材料有限公司_202511043735.7
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备，碳化硅晶体生长容器包括：容器主体；容器盖，容器盖设在容器主体上；固定环，固定环安装在容器盖上，固定环上设有台阶槽；长晶石墨纸，长晶石墨纸夹持在固定环和容器盖之间；第一石墨纸环，...
    2025-12-29
  • 一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜
    一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜_中国科学院上海技术物理研究所_202511029700.8
    本发明提供一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1、提供一洁净单晶衬底；S2、将所述衬底传入分子束外延预处理室进行除气处理；S3、将经过除气处理后的衬底传入分子束外延生长室进行脱氧处理；S...
    2025-12-29
  • 一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法
    一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法_南京邮电大学_202511070577.4
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法。制备方法包括：将蓝宝石衬底清洗后放入金属有机物化学气相沉积系统的腔室中；设置反应腔内气压，通入载气，升温至第一预设温度，通入第一预设高流量氧气，进入衬底高...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓晶体生长炉气路系统
    一种氮化镓晶体生长炉气路系统_沈阳中科汉达科技有限公司_202511318746.1
    本发明涉及一种氮化镓晶体生长炉气路系统，包括与生长炉连通的工艺气组分调节模块、真空抽气及压力控制模块、尾气处理模块和超压快排模块，所述生长炉上设有真空规P。本发明显著提高对工艺气体的气相组分和工艺压力的控制精度，使得晶体可以在高浓度氨气环境...
    2025-12-29
  • 基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法
    基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法_武汉大学_202510816155.0
    本发明提供了一种基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法，属于半导体领域。包括：提供衬底；对衬底进行预处理，去除衬底表面缺陷及污染物；持续往生长腔内通入镓源；持续往生长腔内通入氮源；开启微波电源，在生长气体的氛围下，在生长腔内外延得到氮化...
    2025-12-29
  • 铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备
    铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备_比亚迪股份有限公司_202510783644.0
    本申请公开了铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备。本申请提出的铜箔，以铜箔的(111)晶面织构系数、(200)晶面织构系数、(220)晶面织构系数和(311)晶面织构系数的总和为基准，(220)晶面织构系数的占比为75％～98％。本申请...
    2025-12-29
  • 一种单晶石墨及其制备方法
    一种单晶石墨及其制备方法_深圳清力技术有限公司_202511284294.X
    本申请涉及材料制备领域，公开了一种单晶石墨及其制备方法，包括：将单晶金属衬底置于石墨基材的表面，并将单晶金属衬底和石墨基材置于加热设备的腔体中；其中，石墨基材作为单晶石墨的碳源；当腔体内为非氧化性气氛，对单晶金属衬底和石墨基材加热，以在单晶...
    2025-12-29
  • 一种晶体生长模拟实验装置
    一种晶体生长模拟实验装置_中国科学院力学研究所_202510962305.9
    本发明涉及环状流模型领域，具体涉及一种晶体生长模拟实验装置，包括液池模组、中心柱和驱动系统，液池模组用于容纳实验液体，其外围设置有制冷元件；中心柱设置于液池模组的中心区域，其内部设置有制热元件；驱动系统与中心柱连接，并用于驱动中心柱沿重力方...
    2025-12-29
  • 一种钙钛矿减薄液及其制备方法
    一种钙钛矿减薄液及其制备方法_上海君宇浩升光电科技有限公司_202510967045.4
    本发明提供了一种钙钛矿减薄液及其制备方法，所述钙钛矿减薄液包括质量比为2.7‑3.3：4.5‑5.5：0.9‑1.1：0.27‑0.33：0.27‑0.33：0.18‑0.22：0.18‑0.22的去离子水、醇类试剂、研磨颗粒、分散剂、悬浮...
    2025-12-29
  • 铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用
    铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用_山东大学_202511091159.3
    本发明属于闪烁材料技术领域，具体来说是铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用。本发明铬离子掺杂的近红外闪烁晶体分子式为A3B2‑xCrxC3O12，其中，0.005≤x≤0.1，采用铬离子掺杂紫外‑可见光无机闪烁体后，发光位于650n...
    2025-12-29
  • 一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用
    一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用_中国科学院合肥物质科学研究院_202511414917.0
    本发明涉及一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用，属于激光晶体材料技术领域。本发明激光晶体包括基质晶体和激活离子，所述激光晶体的化学式为RE3xAe3(1‑x)Me5O12，其中RE3+为激活离子，Ae3(1‑x)Me5...
    2025-12-29
  • 一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用
    一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用_福州大学_202511068664.6
    本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用，所述中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的化学式为KHg4Ga5S12；所述KHg4Ga5S12晶体结构为：结构中K含有1个晶体学位点，Hg/Ga含有3个共占据的晶体学位点，S含有4...
    2025-12-29
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