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  • 本实施方式涉及盘装置以及盘装置的控制方法。根据一个实施方式,提供一种具有盘介质、头以及控制器的盘装置。盘介质具有记录面。头具有第1读元件以及加热器。第1读元件与记录面相向。控制器根据在开始向加热器供给电力时由第1读元件从盘介质读取的信号来检...
  • 本发明涉及三维闪存存储技术领域,公开了垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统。该系统的垂直堆叠存储阵列模块依据存储器单元物理布局信息,确定阵列结构配置参数集;栅极电压调控模块基于该参数集,生成栅极电压调控参数集以优化电荷捕获效率;电荷...
  • 一种存储器装置包括非易失性存储器的存储器单元的阵列和耦合到阵列的输入/输出(IO)缓冲器。IO缓冲器包括耦合在电源与接地之间且耦合到数据快速(DQ)输出线的主上拉晶体管。IO缓冲器包括与主上拉晶体管并联耦合的可选择上拉晶体管。IO缓冲器包括...
  • 本公开提供一种存储器,存储器至少包括:存储结构和控制结构,所述存储结构中位线沿第一方向延伸,字线沿第二方向延伸,所述存储结构和所述控制结构沿第三方向堆叠,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向;所述存储结构中的位线通过位线接触结构与所...
  • 本发明提供一种无线充电录音笔,涉及录音笔技术领域,包括底座,所述底座上固定安装有录音组件和无线充电组件,所述底座一侧设置有第一凹槽,所述第一凹槽内设置有太阳能薄膜电池和挡板,所述太阳能薄膜电池一侧端部与底座固定连接,所述太阳能薄膜电池另一侧...
  • 本申请提供了一种基于信号时延的磁性存储单元及装置,所述单元包括第一自旋轨道矩层及设置在所述第一自旋轨道矩层上的第一磁隧道结;所述第一磁隧道结与所述第一自旋轨道矩层两端的距离分别为第一距离和第二距离,所述第一距离和所述第二距离不相等;从所述第...
  • 本发明提供磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统,涉及电路设计技术领域,包括通过获取磁芯存储器参数规格并模拟生成比特线电流分布曲线,提取最大、最小电流值并划分电流调节区间,选择最高读取成功率区间的中值作为最优参考电流;进一步检测不同温度点的...
  • 本申请涉及一种FeMFET存储单元的多脉冲编程方法及编程电路。其中,所述FeMFET存储单元的多脉冲编程方法,包括:配置FeMFET存储单元进入写入操作状态;响应于所述FeMFET存储单元进入写入操作状态,向所述FeMFET存储单元连续施加...
  • 本申请公开了一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法,其中,所述2T2FC铁电存储单元包括:存储晶体管;控制晶体管,其源极连接至所述存储晶体管漏极;第一铁电电容器,其一端连接第一板线,另一端耦合至所述存储晶体管栅极;第二铁电电容器,其一端连接...
  • 本公开涉及包括电化学存储元件的存储单元以及包括其的半导体器件。一种半导体器件包括彼此电连接的电化学存储元件和控制元件。电化学存储元件包括设置在平面上的源极线、设置为与源极线间隔开且沿垂直于该平面的方向延伸的位线、设置为在该平面上与源极线和位...
  • 本公开提供一种存储器装置及其操作方法,存储器装置的操作方法,包括:在存储器装置接收到第一操作命令后,开始第一操作循环,包括电压设定期间、第一操作设定期间、第一操作执行期间及第一操作恢复期间;当在第一操作恢复期间结束前,存储器装置接收到第二操...
  • 一种存储器包括多级数据路径分区电路,且至少包括:第一数据路径层级分区,其包括配置成经由至少一个全局输入‑输出电路向所述存储器输入数据或从其输出数据的至少一个输入;第二数据路径层级分区,其配置成在多个写入辅助电路中的一个和所述至少一个全局输入...
  • 公开了用于非易失性存储器件编程的异常检测的方法、装置和系统。可以执行具有至少第1编程阶段至第n编程阶段的迭代编程操作,以对具有通过字线连接的存储单元的非易失性存储器件进行编程。第n编程阶段可以将第n编程电压施加到字线,并且生成第n验证结果,...
  • 本申请涉及使用多个间隙位置的损耗均衡起始间隙算法。提供用于存储器装置中的存储器管理操作的系统、方法及设备。在一种方法中,使用起始间隙算法执行针对所述存储器装置的损耗均衡。使用单个集区中的多个间隙位置实施所述损耗均衡。响应于存储器管理命令,移...
  • 本申请公开了一种存储器的校准方法及存储设备,涉及存储技术领域,通过分阶段步骤对参考电压、第一信号的接收延迟及发送延迟、各数据线的接收延迟及发送延迟进行系统性校准,能够有效消除存储器硬件个体差异等因素带来的影响,确保数据在传输过程中被准确采样...
  • 本发明涉及基于通用互连总线的FPGA内嵌射频单元测试方法,属于集成电路领域;通过FPGA内嵌处理器,对FPGA内嵌射频单元按照配置参数和发收双工模式进行配置;基于FPGA内部可编程逻辑资源,在FPGA内嵌射频单元产生配置参数对应的第一射频信...
  • 本申请提供一种内存测试电路、内存控制器及微处理器架构,应用于计算机技术领域,该电路包括配置模块和访存模块,配置模块用于存储模式配置信息,通过模式配置信息在多个预设测试模式中指定任意一个作为目标测试模式,访存模块响应于测试请求,按照目标测试模...
  • 本申请提供一种内存测试电路、内存控制器及微处理器架构,应用于计算机技术领域,该电路用于微处理器架构硅后调试过程中的内存测试,包括配置模块、过程控制模块以及多个测试模块,每一个测试模块搭载至少一种内存测试算法,配置模块存储模块配置信息,过程控...
  • 本公开涉及包括ECC解码器电路的存储器和存储器系统及其操作方法。存储器可以包括:多个数据端子;多个数据接收电路,其被配置为通过多个数据端子接收数据和奇偶校验位;纠错码(ECC)解码器电路,其被配置为使用数据和奇偶校验位来检测数据和奇偶校验位...
  • 一种存储器系统可以包括存储器介质和控制器。该存储器介质可以包括多个存储器芯片,多个存储器芯片中的每一个可以包括多个存储器单位,并且多个存储器单位中的每一个可以包括多个存储器单元。该控制器可以从存储器介质中包括的多个存储器单位之中检测故障存储...
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