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最新专利技术
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510545719.1
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包含衬底，所述衬底包含具有外围部分和中心部分的第一侧、第二侧、横向侧、介电结构及导电结构。电子组件包含在所述中心部分中耦合到所述导电结构的组件第一侧、组件第二侧及组件横向侧。加强件在所...
    2025-12-01
  • 半导体结构及半导体结构的制造方法
    半导体结构及半导体结构的制造方法_矽磐微电子(重庆)有限公司_202510904988.2
    本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构中，第一基板包括第一绝缘基底、位于第一绝缘基底一侧的第一金属层及多个第一导电柱，第一绝缘基底设有多个第一通孔，各第一导电柱位于一个第一通孔内；第一金属层的各金属块覆盖多个第一导电柱；...
    2025-12-01
  • 半导体设备封装和其制造方法
    半导体设备封装和其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511057286.1
    本公开关于一种半导体设备封装和其制造方法。本公开还涉及一种电子装置。该电子装置包括：电路结构，其具有第一介电层；第一天线图案，其安置在所述电路结构上；第二介电层，其安置于所述第一天线图案上，其中所述第一介电层是单块结构且具有第一宽度，所述第...
    2025-12-01
  • 功率模块
    功率模块_株式会社东芝_202510027858.5
    本发明涉及一种功率模块，能够适当地形成功率环路。本实施方式所涉及的功率模块具有第1导电图案、第2导电图案、第1功率器件、第3导电图案、第1电容元件、第4导电图案、第2电容元件、第1导电插塞、第5导电图案、第2导电插塞以及第2功率器件。在功率...
    2025-12-01
  • 包括硅通孔的集成电路
    包括硅通孔的集成电路_三星电子株式会社_202510409168.6
    提供了集成电路。在一方面，一种集成电路，包括：多个第一有源图案，位于第一区域中，并在衬底上沿第一水平方向延伸；硅通孔，位于第一区域中，并竖直地延伸穿过衬底和多个第一有源图案中的至少一个第一有源图案；以及多个第一扩散中断，位于第一区域内，多个...
    2025-12-01
  • 半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法
    半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511411029.3
    本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法。该半导体器件，包括金属互连层；金属互连层的金属覆盖区域为由多个方向不同的边界线通过过渡线连接形成的封闭区域；相邻两条边界线之间的过渡线为根据两条边界线的相交关系确定的曲线，曲线的...
    2025-12-01
  • 半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法
    半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511411113.5
    本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法。该半导体器件，包括金属互连层，金属互连层包括至少一个凹角位置，凹角位置设置有与金属互连层一体成型的过渡带；同一过渡带在凹角位置的两个垂直方向上的延伸距离不同，且在两个垂直方向上...
    2025-12-01
  • 射频前端模组
    射频前端模组_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202410500516.6
    本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种射频前端模组，包括电路基板以及设于倒装连接于电路基板上的芯片，芯片包括晶体管单元和金属构件，金属构件与晶体管单元的至少任意一个电极电连接，金属构件与晶体管单元的设置区域具有重叠区域；晶体管单元中靠近重...
    2025-12-01
  • 具有面内部互连的晶体管封装
    具有面内部互连的晶体管封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510553408.X
    公开了具有面内部互连的晶体管封装。一种半导体芯片封装包括半导体晶体管芯片，半导体晶体管芯片具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一侧包括第一负载电流芯片焊盘和第二负载电流芯片焊盘。互连基板包括第一金属层、第二金属层和被部署在第一金属层和第二金...
    2025-12-01
  • 一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法
    一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510988148.9
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法。括若干间隔设置的中介层芯片，中介层芯片两侧表面分别设有导电结构一，中介层芯片一侧表面通过导电结构二连接硅桥芯片、HBM芯片、SoC芯片，并且硅桥芯片一侧分别连...
    2025-12-01
  • 一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法
    一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511001026.2
    本发明提供了一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法，所述晶圆级跨台阶互连结构包括基板、芯片、贴膜层和互连线。本发明提供的晶圆级跨台阶互连结构，通过设置基板，在基板上通过粘贴的方式将待堆叠的芯片粘贴到基板上，在基板与芯片上增设贴膜层，起到保护基板...
    2025-12-01
  • 一种测试结构和测试方法
    一种测试结构和测试方法_湖北江城实验室_202511044102.8
    本公开实施例提供了一种测试结构和测试方法，测试结构包括第一梳状结构、蛇形结构和第二梳状结构，第一梳状结构和蛇形结构互不接触；测试结构用于进行金属层间介质层测试和电迁移测试，蛇形结构用于进行电迁移测试；第一梳状结构包括沿第一方向延伸、沿第二方...
    2025-12-01
  • 形成具有EMI屏蔽的C2W封装的半导体器件和方法
    形成具有EMI屏蔽的C2W封装的半导体器件和方法_星科金朋私人有限公司_202510453149.3
    一种半导体器件具有衬底和设置在衬底上方的电部件。在衬底上方形成导电柱。中介层可以设置在衬底上方，并且电部件设置在中介层上方，并且导电柱形成在中介层上方。密封剂沉积在衬底、电部件和导电柱上方和周围。屏蔽材料设置在衬底和密封剂上方，并通过导电柱...
    2025-12-01
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202410799587.0
    一种半导体封装包含基板、晶片、电容器、第一模压材及第二模压材。基板具有第一表面、第二表面及开口，其中第一表面与第二表面相对。晶片位于基板的第一表面上并位于基板的开口中。电容器在垂直方向上与晶片重叠并电性连接到晶片。第一模压材覆盖晶片及基板的...
    2025-12-01
  • 功率模块
    功率模块_株式会社东芝_202510027857.0
    本发明提供一种功率模块。实施方式的功率模块能够适当地检测电流路径的电流。本实施方式所涉及的功率模块提供具有功率器件、第1导电图案、分流电阻元件以及第2导电图案的功率模块。第1导电图案的一端与功率器件连接。第1导电图案从功率器件至少在第1方向...
    2025-12-01
  • 高电压电容装置
    高电压电容装置_恩智浦有限公司_202510576373.1
    一个例子公开一种电容装置，包括：衬底；耦合到所述衬底的底板；耦合到所述底板的绝缘体；以及耦合到所述绝缘体的顶板；其中所述顶板包括平坦部分和弯曲部分。
    2025-12-01
  • 显示器件、显示器件的制备方法和显示装置
    显示器件、显示器件的制备方法和显示装置_成都辰显光电有限公司_202410539321.2
    本申请公开了一种显示器件、显示器件的制备方法和显示装置。显示器件包括阵列基板、发光基板、多个隔垫结构和导电结构，阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的像素电路；发光基板包括第二衬底、连接件和发光单元，连接件和发光单元设置在第二衬底上，连接...
    2025-12-01
  • 一种固态电池的界面优化技术方法
    一种固态电池的界面优化技术方法_中科融能(盐城)科技有限公司_202510912110.3
    本发明公开了一种固态电池的界面优化技术方法，具体包括以下步骤：S1、材料选择：根据电极材料和电解质的类型，选择合适的缓冲保护层材料；本发明涉及固态电池技术领域。该固态电池的界面优化技术方法，缓冲保护层能够提供额外的离子传输通道，减少界面阻抗...
    2025-12-01
  • 锂电池纳米多层结构负电极制备方法
    锂电池纳米多层结构负电极制备方法_苏州金科发能源技术有限公司_202510964147.0
    本发明提供锂电池纳米多层结构负电极制备方法，包括：对导电衬底进行表面活性预处理；制备硅‑锗混合靶材，对硅‑锗混合靶材进行脉冲激光沉淀处理，从而在导电衬底表面形成硅‑锗复合膜层；对硅‑锗复合膜层进行表面改性处理；将纳米石墨氧化物溶液涂覆在硅‑...
    2025-12-01
  • 锂电池硅基合金电极制备方法
    锂电池硅基合金电极制备方法_苏州金科发能源技术有限公司_202510964148.5
    本发明提供锂电池硅基合金电极制备方法，对导电衬底进行表面改性预处理；制备含硅‑合金混合材料，对含硅‑合金混合材料进行湿法转换，得到含硅‑合金浆料；对导电衬底进行多次含硅‑合金浆料涂覆，形成复合浆料层；对复合浆料层进行表面修饰；对复合浆料层进...
    2025-12-01
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