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  • 本申请公开了一种晶圆载具及表面处理方法,其中,晶圆载具包括承载主体、装载架以及翻转驱动机构,装载架转动设置在承载主体上,且用于夹持定位晶圆,本申请实施例中,采用上述的一种晶圆载具及表面处理方法,装载架可通过定位驱动机构带动定位杆运动以切换工...
  • 本发明属于光伏电池片堆叠技术领域,具体涉及光伏电池片制造时的堆叠工装,尤其涉及一种光伏电池片用堆叠工装及其工作方法。其中,光伏电池片用堆叠工装包括:承载底板;多个夹持板;所述夹持板的夹持面上设置有缓冲夹持件。通过设置在夹持板上的缓冲夹持件,...
  • 本发明公开了一种半导体芯片加工固定治具,包括底座, 和设置于底座上的固定架,以及位于固定架上的夹紧机构,所述夹紧机构包括固定框,所述固定框横向两侧分别设置有第一横向托板和第二横向托板,所述第一横向托板通过金属件固定于固定框上,所述固定框纵向...
  • 本发明涉及晶圆搬运技术领域,特别是一种多功能晶圆搬运机械手臂,包括:底座、升降臂、第一旋转臂、第二旋转臂、第三旋转臂和夹爪机构;所述底座顶部滑动安装有升降臂,所述升降臂顶部转动安装有第一旋转臂,所述第一旋转臂顶部转动安装有第二旋转臂,所述第...
  • 本发明公开了一种半导体结构的制作方法,属于半导体技术领域,制作方法包括:提供一衬底,在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层;蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底,形成浅沟槽,在所述垫氧化层和所述垫氮化层之间形成凹陷区;去除所述垫氮化...
  • 一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括互连区以及与其相邻的电容区;在电容区的衬底中形成电容器;在衬底上形成覆盖电容器的第一介电层;在互连区的第一介电层和衬底中形成互连通孔结构,在电容区的第一介电层中形成第一互连层,第一互连层...
  • 一种晶圆混合键合方法,包括:形成第一衬底,所述第一衬底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属层,第一衬底具有第一功能面,且所述第一功能面暴露出所述第一介质层和所述第一金属层;对所述第一功能面进行第一等离子体表面活化处理;在所述第一等...
  • 本发明公开了一种多重曝光工艺通孔制造方法,制造通孔时,每层通孔硬掩膜图形形成后沉积一层衬垫层,沉积的衬垫层用作下一道湿法清洗工艺的牺牲层。本发明能抑制通孔关键尺寸膨胀,扩大AIO刻蚀窗口,具有良好的可扩展性。
  • 本发明公开了一种先进工艺节点通孔微缩制造方法,在执行后段金属互连一体化刻蚀工艺之前,增加衬垫层工艺步骤, 包括:在沟槽结构表面沉积一层衬垫层;在已经沉积的衬垫层上打开窗口,暴露出通孔底部结构或硅衬底结构;对打开窗口后残留的衬垫层进行微调或收...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件的制造方法包括:提供一衬底,包括芯片区和边缘区,芯片区包括第一区域和第二区域,边缘区包括第三区域和第四区域,第一区域与第四区域通过第二区域与第三区域隔开;采用第一掩膜版在衬底中形成第一图案和第...
  • 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法中,在获取待形成金属通道的半导体基板后,对应于各有效芯片区及至少部分无效芯片区的层间介质层形成暴露第一金属布线层的第一通孔和第二通孔,之后形成第二金属布线层,并分别对应于第一通孔和第二通孔形...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。本发明中半导体器件包括衬底和形成在衬底上的多个芯片。衬底具有至少一个划片道,每个划片道位于相邻两个芯片之间,划片道的宽度由上至下逐渐变大,在切割过程中,刀具不会与划片道的侧壁接...
  • 本申请提供一种晶圆解理方法和装置,所述方法包括:确定所述目标晶圆对应的切割边缘;在双边切割模式时,根据所述目标晶圆的材质、衬底偏转角度以及不同解理区域与所述切割边缘的相对位置,确定所述不同解理区域所生长的保护膜的厚度、硬度和感光性;确定所述...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,特指一种预防芯片微裂纹的封装结构,包括:基板;设于所述基板之上的芯片,所述芯片通过粘接层贴设于所述基板上;设于所述基板上并与所述芯片相对应的压力传感器,所述压力传感器用于实时检测芯片在贴装过程中受到的压力;设于...
  • 本发明公开一种封装基板单元结构及其制作方法,该结构包括:玻璃芯板,具有相对的第一表面和第二表面、连接第一表面和第二表面的侧面,以及由第一表面、第二表面和侧面共同界定的外周缘;增层结构,配置于玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上,且增层结构的边...
  • 本发明涉及半导体封装领域,公开了一种叠层封装结构及实现方法,所述叠层封装结构包括DPC陶瓷CBGA基板、金属围框、设置于封装空腔内的内部印制板、多个内部互连锡球以及金属盖板;所述内部印制板为无开窗的完整板体,通过其底部的内部互连锡球整体焊接...
  • 本发明提供一种提升晶圆划片可靠性的结构。该结构包括芯片区域、相邻的划片道、位于芯片区域内邻近划片道的密封环,以及覆盖这些区域的钝化层。其关键在于,在钝化层中、位于密封环与划片道之间形成一钝化层开槽,并在该开槽与密封环及划片道之间分别界定有第...
  • 本发明提供一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法,封装结构包括由下至上依次设置的铜基板、第一环氧胶层、环氧树脂基复合材料层、第二环氧胶层、一体设置的上桥铜层和下桥铜层、芯片焊料层、功率芯片;功率芯片包括上桥芯片和下桥芯片;芯片...
  • 本申请实施例公开了一种封装结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体领域,能够降低多个芯片之间的干扰,且不额外增加封装结构的尺寸。封装结构包括基板,第一芯片,第一封装层,第二芯片和第二封装层。第一芯片设置于基板的一侧;第一芯片与基板耦接。第一封...
  • 本发明涉及一种器件,包括支持件、覆盖支持件的导电层、位于导电层上的半导体衬底和绝缘壳体。
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