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最新专利技术
  • 射频功率放大器、射频前端模组
    射频功率放大器、射频前端模组_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202410531463.4
    本申请实施例提供了一种射频功率放大器、射频前端模组，射频功率放大器包括第一射频放大电路、第二射频放大电路、第一变压器、第二变压器以及耦合器；第一射频放大电路用于输出第一射频信号，第二射频放大电路用于输出第二射频信号；第一变压器包括第一线圈和...
    2025-11-28
  • 双向放大器、芯片和射频收发机
    双向放大器、芯片和射频收发机_深圳市中兴微电子技术有限公司_202410542685.6
    本申请实施例提供了一种双向放大器、芯片和射频收发机，在发射模式下，通过控制第一开关网络的第一晶体管关断和第二开关网络的第二晶体管导通，控制放大电路切换第一放大元件对信号收发端的发射信号进行放大；在接收模式下，通过控制第一开关网络的第一晶体管...
    2025-11-28
  • 一种高精度电流反馈高速运算放大器
    一种高精度电流反馈高速运算放大器_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511021563.3
    本发明涉及模拟集成电路领域，特别涉及一种高精度电流反馈运算放大器，包括输入级电路、有源负载电路、输出级电路，输入级电路与有源负载电路连接，有源负载电路还与输出级电路连接，输入级电路包含偏置电路；本申请通过在运算放大器的输入级电路中引入电流补...
    2025-11-28
  • 射频功率放大器、射频前端模组、电子设备
    射频功率放大器、射频前端模组、电子设备_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202510872016.X
    本申请实施例提供了一种射频功率放大器、射频前端模组、电子设备，在预设模式下，射频功率放大器用于与第二射频功率放大器处理不同频段的射频信号，射频功率放大器包括第一差分放大电路、第二差分放大电路以及级间匹配电路，级间匹配电路连接在第一差分放大电...
    2025-11-28
  • 一种基于树状结构的氮化镓限幅电路和氮化镓限幅芯片
    一种基于树状结构的氮化镓限幅电路和氮化镓限幅芯片_西安电子科技大学_202510924226.9
    本发明公开了一种基于树状结构的氮化镓限幅电路和氮化镓限幅芯片，该电路包括：依次连接的第一级限幅单元、第二级限幅单元以及第三级限幅单元；其中，第一级限幅单元包括两组第一级对管和树状结构，树状结构连接两组第一级对管，且两组第一级对管位于树状结构...
    2025-11-28
  • 一种基于π型匹配微带的超宽带氮化镓限幅电路
    一种基于π型匹配微带的超宽带氮化镓限幅电路_西安电子科技大学_202510945930.2
    本发明提供了一种基于π型匹配微带的超宽带氮化镓限幅电路，输入匹配微带，用于将输入阻抗匹配到标准阻抗；第一级限幅电路，用于在标准阻抗下对获取的射频信号进行初步限幅处理，得到第一限幅射频信号；级间匹配电路，用于将标准阻抗匹配到目标阻抗；第二级限...
    2025-11-28
  • 一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法
    一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511430987.5
    本发明公开了一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法，具体涉及第三代半导体技术与射频前端器件技术领域，采用多步骤清洗去除污染与氧化层，沉积多层缺陷梯度结构控制电荷迁移，构建牺牲层形成空腔基础，沉积支撑层提升结构稳定性，叠加高导电电极与...
    2025-11-28
  • 一种片上温补石英谐振器的制造方法
    一种片上温补石英谐振器的制造方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511008017.6
    本发明涉及一种片上温补石英谐振器的制造方法，包括：根据测温精度需求确定铂电阻的设计电阻值，并基于铂电阻的设计电阻值确定铂电阻的线宽、厚度及长度；基于铂电阻的线宽、厚度及长度在晶圆上制备一个或多个铂电阻；其中，每个铂电阻采用蛇形走线且并联可熔...
    2025-11-28
  • 一种矩形波导阻抗匹配方法、设备及存储介质
    一种矩形波导阻抗匹配方法、设备及存储介质_成都奋羽电子科技有限公司_202511088806.5
    本发明提供了一种矩形波导阻抗匹配方法，包括：计算矩形波导内有耗负载阻抗；所述有耗负载均匀填充在矩形波导内；通过调节介质板的设置方式组成不同的匹配网络，计算所有匹配网络阻抗值并构建匹配网络阻抗数据库；从匹配网络阻抗数据库中确定与有耗负载阻抗对...
    2025-11-28
  • 一种单相换能器的优化方法
    一种单相换能器的优化方法_南京大学_202510769477.4
    本发明公开了一种单相换能器的优化方法，包括以下步骤：(1)确定压电材料、电极厚度、电极材料、声学模式的初始条件；(2)计算每种界面反射率包括力学反射和电学反射；(3)计算由额外电场对总电学反射和总力学反射的影响；(4)确定信号电极和接地电极...
    2025-11-28
  • 一种宽带纵向耦合结构的声表面波滤波器
    一种宽带纵向耦合结构的声表面波滤波器_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511003624.3
    本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种宽带纵向耦合结构的声表面波滤波器；包括：压电衬底、金属叉指电极和Si3N4介质层；金属叉指电极位于压电衬底上，包括沿第一方向依次排列的第一反射栅、第一叉指换能器、第二叉指换能器、第三叉指换能器和第二反射...
    2025-11-28
  • 用于消防应急通讯的抗干扰滤波方法及装置
    用于消防应急通讯的抗干扰滤波方法及装置_南京瑞蓝世光电传感技术研究院有限公司_202511456384.2
    本发明公开了一种用于消防应急通讯的抗干扰滤波方法及装置，该方法包括：设计包含顺序交换微扰的探测信号，施加于频响设备并采集其响应；基于响应与探测信号，解调得到描述编码分量间耦合效应的二阶交叉敏感度；依据二阶交叉敏感度，为已锁定频点集构造零影响...
    2025-11-28
  • 数字滤波器的阻带残留补偿方法、设备、存储介质及计算机程序产品
    数字滤波器的阻带残留补偿方法、设备、存储介质及计算机程序产品_深圳市东微智能科技股份有限公司_202511454434.3
    本申请公开了一种数字滤波器的阻带残留补偿方法、设备、存储介质及计算机程序产品，涉及音频信号处理技术领域，所述方法包括：采集原始音频信号和数字滤波信号；将数字滤波信号和原始音频信号同步输入预先构建的阻带残留噪声动态补偿模型中进行处理，得到平滑...
    2025-11-28
  • 差分信号发生器及其校准方法
    差分信号发生器及其校准方法_深圳市鼎阳科技股份有限公司_202511447294.7
    本申请提供了一种差分信号发生器及其校准方法，差分信号发生器包括：控制处理单元用于获取共模偏置电压设定值和差模偏置电压设定值，并根据第一映射关系确定共模偏置电压码字，根据第二映射关系确定差模偏置电压码字，将共模偏置电压码字和差模偏置电压码字输...
    2025-11-28
  • 低失真脉冲发生器
    低失真脉冲发生器_杭州荷声科技有限公司_202511453074.5
    本发明提供了一种低失真脉冲发生器，包括：晶体管MP1，晶体管MP1的S极用于连接高压电源端，D极用于连接换能器；第一电平转换器，用于驱动晶体管MP1的G极，以实现对换能器施加具有上升沿的电压脉冲；晶体管MN1，晶体管MP1的S极用于接地，D...
    2025-11-28
  • 基于可关断运放跨阻放大器的光纤陀螺去尖峰脉冲方法
    基于可关断运放跨阻放大器的光纤陀螺去尖峰脉冲方法_浙江大学_202511438310.6
    本发明涉及一种基于可关断运放跨阻放大器的光纤陀螺去尖峰脉冲方法，属于陀螺仪技术领域，包括以下步骤：将光纤线圈输出的光信号通过可关断运放跨阻放大器转化为电压信号，并利用可关断运放跨阻放大器去除电压信号中的尖峰脉冲；对可关断运放跨阻放大器输出的...
    2025-11-28
  • 一种数字信号转换为TTFS编码尖峰的转换器电路
    一种数字信号转换为TTFS编码尖峰的转换器电路_电子科技大学_202511025950.4
    本发明涉及信号转换和神经形态处理领域，具体为一种数字信号转换为TTFS编码尖峰的转换器电路。本发明采用全集成化且与芯片内同步时钟的架构，以计数器单元提供时间基准，构建延时单元以及动态延时器产生层次化时间编码，实现可控时钟周期延时；再辅以数字...
    2025-11-28
  • 一种多芯粒集成亿门级FPGA的配置回读测试方法
    一种多芯粒集成亿门级FPGA的配置回读测试方法_北京微电子技术研究所_202510982724.9
    本发明公开了一种多芯粒集成亿门级FPGA的配置回读测试方法，该FPGA使用SSI技术集成了多个超逻辑区域芯粒：一个主超逻辑区域芯粒和多个从超逻辑区域芯粒，每个超逻辑区域有自己的配置回读控制器；本发明按照主超逻辑区域——从超逻辑区域的顺序，对...
    2025-11-28
  • 基于忆阻器的分层比较器
    基于忆阻器的分层比较器_安徽大学_202510913726.2
    本发明公开基于忆阻器的分层比较器，属于忆阻器电路领域；基于忆阻器的分层比较器包括：不带符号位的分层比较器和带符号位的分层比较器，二者均包括忆阻器并行结构；不带符号位的分层比较器的比较流程包括：先对输入进行1bit比较，得出分别对应大于、小于...
    2025-11-28
  • 一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法
    一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法_烟台哈尔滨工程大学研究院_202511025216.8
    本发明涉及功率半导体器件在线监测与电力电子系统控制，尤其涉及一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法，通过二阶无源RC滤波电路有效抑制高频振荡干扰，结合深度符号优化算法建立的精确数学模型，在50A‑300A电流范围内实现≤1.5％的测...
    2025-11-28
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