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  • 本发明公开了应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法,包括超薄钝化层以及沉积在超薄钝化层上方的电子传输层;超薄钝化层由氧化钛、氧化硅或本征非晶硅材料中的一层或叠层结构组成;电子传输层为ZnO/Mg/ZnO纳米叠层;通过简单技术,提...
  • 本发明提供一种光导开关及其制备方法,涉及半导体技术领域。该光导开关包括:晶圆、正面电极、圆环状接触电极、反射介质膜和电镀加厚层;晶圆的上表面设置正面电极;晶圆的下表面设置圆环状接触电极和反射介质膜,且反射介质膜位于圆环状接触电极的圆环内部;...
  • 本发明公开一种用于透明围护结构的调光光伏玻璃及其制备方法,用于透明围护结构的调光光伏玻璃包括功能膜层分别沉积堆叠在同一玻璃基底的上下两面的光伏电池部分和电致变色部分,光伏电池部分包括间隔设置的产能区和透光区,太阳光由光伏电池部分入射,一部分...
  • 本发明提供了一种对接式焊接封装的陶瓷外壳,属于陶瓷封装技术领域,包括:具有下腔体的陶瓷下底座、具有上腔体的陶瓷上底座、设置于下腔体内的第一芯片以及设置于上腔体内的第二芯片;陶瓷上底座焊接于陶瓷下底座上构成双层堆叠结构,并使下腔体与上腔体构成...
  • 本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括硅衬底,硅衬底包括相对的两个表面,至少一个表面上具有第一纹理结构,第一纹理结构为非金字塔纹理结构,包括:多个凹陷部,分别朝向硅衬底的内部凹陷;以及多个凸起部,位于...
  • 本申请提供了一种硅片、电池片及光伏组件,硅片包括沿硅片厚度方向相对设置的第一表面和第二表面,第一表面上设有第一凹陷腔,第二表面上设有第二凹陷腔;硅片的总厚度为H0,第一凹陷腔沿硅片厚度方向的深度为H1,第二凹陷腔沿硅片厚度方向的深度为H2;...
  • 本发明涉及光伏技术领域,提供一种光伏电池片、光伏组件和光伏系统,光伏电池片包括:硅基体,包括第一表面,第一表面为绒面结构;透光层,填充于绒面结构,沿光伏电池片的厚度方向,第一距离大于第二距离,第一距离为绒面结构的顶部与绒面结构的底部之间的距...
  • 本发明提供一种LED薄膜器件及其制备方法,通过先键合再进行背金蒸发的方式,避免了硅支撑基板蒸发后因翘曲度过大破片问题。通过蒸发多层调节应力的金属层,使得硅支撑基板背面金属对硅支撑基板产生向下的大压应力,以抵消去除外延片的衬底后产生的背向硅支...
  • 本发明涉及半导体发光器件制造技术领域,具体为一种倒装LED芯片的制作方法,包括以下步骤:步骤一、在图形化蓝宝石衬底上制作外延层,包括N‑GaN、量子阱、P‑GaN;步骤二、制作MESA蚀刻出N型区域及确定芯片大小和沟道;步骤三、制作ISO将...
  • 本发明涉及半导体光电技术领域,具体为一种提高载流子复合效率的蓝光LED生长方法,包括如下步骤:S1.与常规蓝光LED制程相一致,在蓝宝石上分别外延Buffer层、3D层、GR层、N‑GaN层。S2.在N‑GaN层后增加一层N‑Al0.2Ga...
  • 本发明公开了一种提高LED芯片发光效率的方法,包括以下步骤:S1、基于电流密度分布调控注入载流子浓度以优化复合区域分布;S2、根据温度变化动态调整LED芯片的工作电压以维持量子效率稳定;S3、依据外延层材料特性优化光学谐振模式增强光子逃逸率...
  • 本发明公开了一种雪崩增强型的无载流子注入式纳米LED,包括:LED包括:第一电极和第二电极;位于第一电极和第二电极之间的绝缘层和衬底层;位于绝缘层和衬底层之间的第一对称结构,第一对称结构依次包括第一n‑GaN层、第一单量子阱雪崩发光结、第一...
  • 本发明公开了一种双色混光LED结构及其制备方法,涉及半导体光电子技术领域,通过在同一外延片上集成两个独立的外延发光单元,实现了芯片级的双色混光,不仅大幅简化了制备工艺,更显著提升了混光均匀性和光色稳定性。双色混光LED结构包括中心区域的第一...
  • 本申请实施例提供一种发光二极管芯片组、显示背光模组及照明模组,涉及半导体技术领域,该发光二极管芯片组产生白光,包括至少一个多波长芯片,多波长芯片中,第一发光层以电致发光的方式产生至少一种波段的光线,并激发第二发光层产生至少两种波段的光线;或...
  • 本申请提供一种多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组,涉及半导体技术领域,该多波长发光二极管芯片将N个发光层层叠设置在N型电极和P型电极之间,利用N型电极和P型电极之间形成电场,通过调控电压/电流来调控发光层发出不同数量的波长的光线,这样...
  • 本发明提供了一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片,通过在双结红外LED外延结构的两侧表面设置吸光层(第一吸光层、第二吸光层),吸光层包括AlGaAs/GaAs异质结构,使其带隙能量略低于两个结的有源区所发射的光子能量;基于此,从有源区...
  • 本发明公开一种发光二极管元件,包含:一半导体叠层,包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间;暴露区,位于半导体叠层中,包含侧表面和底部,其中底部包含第一半导体层的上表面。第一电极,位于暴露区上并电连接第一半导体层,包含第一焊盘电极...
  • 本发明公开了一种半导体元件。半导体元件包括一第一半导体结构、位于第一半导体结构上的一第二半导体结构以及位于第一半导体结构和第二半导体结构之间的一主动结构。第一半导体结构包括具有一第一带隙的一第一波导层,以及直接接触第一波导层且具有一第一厚度...
  • 本发明提供无论是暗视觉还是明视觉都是明亮的、且降低了对人的炫目的发光装置。上述发光装置包含:在430nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的发光元件、以及被上述发光元件的光激发,在507nm以上且660nm以下的范围内具有发光峰值波长的...
  • 本发明公开了一种嵌入式共面焊接的CSP灯珠封装结构及其封装方法。该封装结构包括金属基片和具有第一、第二电极的LED芯片。其核心在于,金属基片与电极具有相互适配的立体几何构造,二者形成对接结构,使得电极底面与金属基片底面共同形成一个宽大的共面...
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