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最新专利技术
  • 基板、液体排出装置、检查方法及物品的制造方法
    基板、液体排出装置、检查方法及物品的制造方法_佳能株式会社_202510688073.2
    提供对高精度地进行液滴的排出控制有利的技术。用于计量弹落的液滴的基板具备：玻璃基材、在所述玻璃基材上配置的金属膜、和在所述金属膜上配置的拒液膜。上述拒液膜的厚度为5[nm]以上，上述拒液膜含有含氟树脂，上述含氟树脂在侧链具有 : 选自全部氢...
    2025-12-23
  • 用于制造显示装置的方法、显示元件和电子装置
    用于制造显示装置的方法、显示元件和电子装置_三星显示有限公司_202510425260.1
    提供了用于制造显示装置的方法、显示元件和电子装置。用于制造显示装置的方法包括：将面板支承膜附接到包括弯曲区域的显示面板上；去除面板支承膜的设置在弯曲区域中的一部分；以及将粘合剂膜附接到面板支承膜上，其中，粘合剂膜包括粘合剂层和设置在粘合剂层...
    2025-12-23
  • 用于制备钙钛矿光伏组件的前驱体溶液及制备方法
    用于制备钙钛矿光伏组件的前驱体溶液及制备方法_苏州子高科技有限公司_202511207691.7
    本申请涉及钙钛矿光伏组件制备技术领域，公开了用于制备钙钛矿光伏组件的前驱体溶液，所述前驱体溶液用于300×300mm及更大尺寸钙钛矿光伏组件的成膜，包括以下成分：铅源：摩尔浓度0.8‑1.8mo l/L；有机胺盐：与铅源摩尔比(1.0‑1....
    2025-12-23
  • 一种制冷片加热保持装置
    一种制冷片加热保持装置_杭州先导热电科技有限公司_202510965465.9
    本发明公开了一种制冷片加热保持装置，旨在提供一种能够在XYZ轴三个方向上对制冷片进行定位限制，以使加热中保持晶粒与方形覆铜陶瓷片位置稳定性的一种制冷片加热保持装置。它包括底座、制冷片限位机构及Z轴限位机构，制冷片限位机构包括：X向限位件与Y...
    2025-12-23
  • 一种微米级微型热电制冷器的制备方法
    一种微米级微型热电制冷器的制备方法_南京航空航天大学_202511017478.X
    本发明公开了一种微型热电制冷器的制备方法；属于微米级电子设备散热领域，该方法主要采用磁控溅射工艺，通过共溅射的方法，制备出微型热电制冷器的两种热电臂，通过调整溅射功率，可以调控热电臂材料配比，实现最佳热电性能；制备过程中采用了两种光刻胶PI...
    2025-12-23
  • 一种基于气凝胶超黑材料与热电材料的温差电池及其制备方法
    一种基于气凝胶超黑材料与热电材料的温差电池及其制备方法_李元祯_202511239689.8
    本发明涉及一种基于气凝胶超黑材料与热电材料的温差电池及其制备方法。该电池包括吸热层、热电层和电极层。吸热层采用氧化硅气凝胶悬浮吸光纳米粒子的超黑材料，具有高光吸收率(>98%)和优异的耐高温稳定性及力学性能。热电层采用高性能热电材料(如碲化...
    2025-12-23
  • 一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用
    一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用_大连理工大学_202511187026.6
    本发明提供一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用，所述高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料的化学组成为Mg3.2Sb1.5Bi0.49Te0.01–x InSb，其中x＝0.01‑0.05。所述高...
    2025-12-23
  • 一种规模化制备复合压电材料的方法和应用
    一种规模化制备复合压电材料的方法和应用_中原工学院_202511193728.5
    本发明属于聚合物材料成型加工技术领域，公开了一种规模化制备复合压电材料的方法和应用。步骤为：(1)将干燥后的压电聚合物与无机压电材料混合均匀，得到混合物；(2)将步骤(1)得到的混合物加入到挤出机中进行熔融塑化，然后将塑化均匀的混合物熔体引...
    2025-12-23
  • 一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺
    一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺_合肥领航微系统集成有限公司_202511039802.8
    本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺，结构包括基底、功能层和TFT晶体管，基底具有相对的正面及背面；功能层设置在基底的正面，TFT晶体管设置在功能层的正面，工艺包括：在基底的正面生长功能层，在...
    2025-12-23
  • 一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺
    一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺_合肥领航微系统集成有限公司_202511039915.8
    本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺，包括基底，基底的正面生长上缓冲层，上缓冲层的正面生长TFT晶体管；上压电层的正面设置在TFT晶体管的正面；制备工艺包括：在基底的正面生长上缓冲层；在上缓冲...
    2025-12-23
  • 一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法
    一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法_安徽大学_202511208223.1
    本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法，包括封装框架下铜板和压电变压器主体，所述封装框架下铜板顶面覆有柔性热界面层，所述柔性热界面层顶面固定安装有压电变压器主体；本发明设置了一种封装结构实现压电变压...
    2025-12-23
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410776618.0
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法为，主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2025-12-23
  • 一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元
    一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元_山东大学_202511595718.4
    本发明提出了一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元，属于磁性存储技术领域，包括多层膜结构的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括重金属层、位于所述重金属层上的合成反铁磁自由层；位于所述合成反铁磁自由层的隧穿绝缘层，位于所述隧穿绝缘层上的参...
    2025-12-23
  • 磁存储单元及其制造方法、磁存储器
    磁存储单元及其制造方法、磁存储器_中电海康集团有限公司_202511606777.7
    本申请提供一种磁存储单元及其制造方法、磁存储器，该磁存储单元包括：依次层叠设置的钉扎层、参考层、势垒层、自由层和复合自旋源层；其中，复合自旋源层包括：用于通入翻转电流以产生自旋流的拓扑绝缘体层；以及，具有高轨道霍尔电导率和/或高轨道流‑自旋...
    2025-12-23
  • 一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法
    一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法_江西大有科技有限公司_202511022797.X
    本发明提供一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法，涉及电子元器件技术领域，薄膜材料包括：硅钢薄膜层、绝缘层、以及抗腐蚀层；绝缘层设于硅钢薄膜层的下表面，绝缘层包括纳米三氧化二铝，厚度为5μm~10μm，纳米三氧化二铝的粒径为20nm~50...
    2025-12-23
  • 一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法
    一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法_中国科学院电工研究所_202511220897.3
    本发明公开了一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法，属于高温超导技术领域。首先在银层表面旋涂厚度约3‑6 μm的AZ系列光刻胶，并通过优化曝光和显影条件获得稳定的图形化掩膜。随后将样品置于氩离子束刻蚀系统中，采用垂直入射方式，控制...
    2025-12-23
  • 一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法
    一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法_杭州逻辑比特科技有限公司_202511565391.6
    本发明涉及量子信息技术领域，具体为一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法。采用锡铟金银多元合金焊料，在低温环境下仍保持良好的韧性和超导特性。在芯片走线区布置特定排列的焊盘阵列，每个信号焊盘周围环绕多个接地焊盘，形成类同轴电磁屏蔽结构，显著...
    2025-12-23
  • 一种非中心超导材料W3-xCrxReRuC及其制备方法和应用
    一种非中心超导材料W3-xCrxReRuC及其制备方法和应用_广州森特新材料有限公司_202511216964.4
    本发明属于量子功能材料技术领域，具体涉及一种非中心超导材料W3‑xCrxReRuC及其制备方法和应用。本发明利用传统高温固相法，通过将相应化学计量比的W，Cr，Re, Ru, C充分研磨后，压成圆柱形块体，再经过电弧熔炼法一步合成得到W3‑...
    2025-12-23
  • 集成装置、热管理装置以及方法
    集成装置、热管理装置以及方法_华为技术有限公司_202410680787.4
    本申请提供一种集成装置、热管理装置以及方法。该装置包括：第一导热绝缘介质，该第一导热绝缘介质与相变材料接触；热管理装置，该热管理装置包括第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构通过第一导热绝缘介质与相变材料相连，第二导电结构用于输入电压，且...
    2025-12-23
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410705619.6
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和所述第一金属层的顶面形成有第一介质阻挡层；形成覆盖所述第一介质阻挡层顶面的第一介质层；形成覆盖所述第一介质层顶面的硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层、所述...
    2025-12-23
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