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  • 本申请公开一种悬浮显示设备,悬浮显示设备包括气囊和投影组件,气囊包括内层囊体和外层囊体,内层囊体用于填充密度比空气密度小的第一气体以提供升力,外层囊体包覆于内层囊体的外周且与内层囊体间隔设置,外层囊体与内层囊体之间的空间用于填充密度比第一气...
  • 本申请公开了一种正投屏幕,属于投影显示领域,包括表面层和反射层,所述表面层为微结构层,所述微结构层远离所述反射层的一侧为非光滑面;所述微结构层由面胶形成,所述微结构层的厚度为10微米~500微米;所述反射层由粘接胶和反射粒子混合形成,所述反...
  • 本发明涉及立体投影技术领域,提出的振动喷液3D立体投影方法、装置及系统,包括振动喷液模块、投影模块和控制模块。具体工作方式为,所述振动喷液模块喷出液面,并发送振动位置信号给所述控制模块,从而确定当前液面所对应的振动位置,所述控制模块控制所述...
  • 本发明公开了一种双目摄像头3D显示系统及显示方法,特别的,该系统和现实方法应用于手术显微镜,以实现手术视野的3D显示。该显示系统包括:主眼采集模块、从眼采集模块、图像融合模块和3D显示设备;响应于接收到的时钟同步指令,所述主眼采集模块,将基...
  • 本发明公开一种四曝光图像采集方法,属于非接触式图像采集技术,旨在解决现有技术中激光器与相机不匹配、无法同时实现高频与大视野流场测量的问题。该方法所用设备含两组凸透镜、棱锥形反射镜、两组反光镜与图像传感器及光阑,待测物光信号经透镜、光阑后,由...
  • 本公开提供了一种离轴照明光刻掩模及其制备方法、光刻系统,可应用于微纳加工与先进光刻技术领域,该光刻掩模包括:掩模基底,包括相对设置的第一表面和第二表面;光刻掩模图形结构,位于掩模基底的第二表面;入光部,位于掩模基底的第一表面,入光部包括多个...
  • 提供包括基板、多层反射膜、保护膜和具有相移功能的吸光膜的反射型掩模坯料。吸光膜含有钌、钽和氮并且不含氧,且钌含量为80至90原子%、钽含量为5至15量%、氮含量为不大于10原子%,具有38至50nm的厚度和对于为在极紫外范围内的光的曝光光为...
  • 本申请涉及一种相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:获取初始的掩膜版图,掩膜版图包括位于透光区的主图形;基于初始的掩膜版图进行曝光模拟,获取出现旁瓣图形的旁瓣位置区;根据旁瓣位置区,在主图形中确定目...
  • 本公开提供了一种相移掩模及其制备方法,属于掩模制备技术领域。相移掩模包括:掩模基底,包括第一表面;相移结构,嵌设于掩模基底内;其中,相移结构的暴露表面与掩模基底的第一表面共面;以及掩模图形,覆盖相移结构的暴露表面的预设区域以及掩模基底的第一...
  • 本发明提供了一种OPC修正方法、版图及半导体器件,属于半导体领域。该OPC修正方法包括提供一版图,所述版图包括若干原始图形。在所述第一凹角转角处朝向所述凸角转角的方向内挖,形成凹槽,以获取修正图形,所述凹槽在所述第一边沿第一方向延伸的第一长...
  • 本发明涉及一种掩模版检测卡盘,涉及掩模版检测装置技术领域, 包括基板和至少两个用于挤压掩模版的夹持组件,所述基板的一侧开设有置物槽,所述置物槽具有四个槽壁,且其中相互垂直的两个槽壁分别为第一夹持面和第二夹持面,所述基板还开设有多个均连通所述...
  • 本发明提供一种纳米压印结构制备方法,采用本发明提供的复制模具结构;所述方法包括:制备得到复制模具;在产品基底表面涂覆产品胶形成所述产品胶层;将所述复制模具压合于所述产品胶层上,使产品胶填充所述模具胶层的纳米结构并经固化形成复合结构;将所述模...
  • 本发明提供正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜。本发明提供一种正型感光性树脂组合物,其可得到显影性和耐热性优异的抗蚀剂膜、且保存稳定性和厚膜制膜性良好。一种正型感光性树脂组合物,其含有下述成分(A)~(C),(A)由间...
  • 本发明提供一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版,采用高效肟酯引发剂能提高感光层的感度,还能减少版面发粘现象;同时为了防止引发剂过度所产生的感光弹性体发脆问题,在柔性树脂版用感光弹性体中引入高分子液态环己烷‑1...
  • 本申请涉及光刻胶制备技术领域,特别涉及一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法,按照质量份数计,所述高亮度、高对比的光刻胶包括改性树脂溶液35~40份,光敏组分8~10份,颜料4~5份,添加剂4~5份,溶剂45~50份;所述改性树脂溶液的制备...
  • 本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质,在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序:成膜工序,将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛,向所述第二气氛的所述处...
  • 一种套刻对准标记和套刻误差的测量方法,套刻对准标记包括:前层标记,在平行于前层标记表面的方向上,前层标记具有第一几何中心;当层标记,位于前层标记的上方,在平行于当层标记表面的方向上,当层标记具有第二几何中心,且在同一投影面上,当层标记的投影...
  • 一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质,套刻误差的测量方法包括:获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差,第一参考套刻误差为产品晶圆上的第一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差;获取第二状态下...
  • 本申请公开了一种光刻机垂向参数补偿方法及系统,属于半导体领域,该方法包括:在对产品各个曝光场进行曝光前,获取各个曝光场的垂向面型;对各个曝光场的垂向面型进行拟合,得到各个曝光场的垂向参数实际值;垂向参数实际值包括Z向高度实际值、绕X向倾斜实...
  • 本揭露提供一种电子装置的制造方法。电子装置的制造方法包括以下步骤:提供具有容置空间的透明载板,其中透明载板具有第一记号;设置样品于透明载板的容置空间中,其中样品具有第二记号;根据第一记号、第二记号以及标准值计算样品的偏移量;以及根据偏移量,...
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