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最新专利技术
  • 背接触光伏组件
    背接触光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511984170.2
    本发明公开了一种背接触光伏组件，所述背接触光伏组件包括电池串，电池串包括沿第一方向排列的多个背接触电池片，背接触电池片的背面具有电极图案，相邻两个背接触电池片的边缘交叠形成交叠区域，且相邻两个背接触电池片被焊带串联，电极图案与交叠区域之间具...
    2026-03-28
  • 光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备
    光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610171092.2
    本申请涉及一种光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备。光伏组件包括电池串、焊带和胶点。电池串包括多个太阳能电池，至少一太阳能电池包括基底、多个栅线和导电结构，基底具有沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面中的至...
    2026-03-28
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610186624.X
    本申请涉及一种光伏组件。光伏组件包括电池串及第一汇流条。电池串包括电池片，电池片具有背面；第一汇流条位于电池片的背面，且包括导电主体及绝缘层。其中，导电主体具有沿第一方向朝向背面设置的第一外表面，绝缘层至少设于第一外表面上。导电主体与电池串...
    2026-03-28
  • 一种合串装置及电池串制备方法
    一种合串装置及电池串制备方法_苏州小牛自动化设备有限公司_202610189971.8
    本发明公开了一种合串装置及电池串制备方法，涉及电池串生产技术领域，该方法包括多个合片组件，合片组件包括用于承载电池片的插片台，和设于插片台一侧的用于承接胶膜组的承膜台，合片组件还配置于承载焊带，焊带包括与电池片表面叠置的第一长段和延伸至插片...
    2026-03-28
  • 一种基于六方氮化硼薄膜的线阵真空紫外探测器及其制备方法
    一种基于六方氮化硼薄膜的线阵真空紫外探测器及其制备方法_西安交通大学_202511808546.4
    本发明公开了一种基于六方氮化硼薄膜的线阵真空紫外探测器及其制备方法，探测器包括从下到上依次设置的衬底、hBN薄膜和线阵电极。在衬底上沉积hBN薄膜，hBN薄膜的厚度为50～300 nm，在hBN薄膜上制备具有叉指结构的线阵电极，线阵电极厚度...
    2026-03-28
  • 极紫外位置敏感探测器、制备方法、极紫外光斑定位方法
    极紫外位置敏感探测器、制备方法、极紫外光斑定位方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511786360.3
    本发明涉及一种极紫外位置敏感探测器、制备方法、极紫外光斑定位方法。极紫外位置敏感探测器包括从下至上的N型SiC衬底、SiC本征吸收层和P型宽禁带异质纳米柱阵列，能够形成表面PN异质结以提供强大的垂直载流子收集电场和横向的电学隔离。通过强大的...
    2026-03-28
  • InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法
    InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法_南京国科半导体有限公司_202511844123.8
    本发明涉及pBn探测器技术领域，具体涉及一种InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法，InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、p+‑GaSb接触层、InAs/InAsSb...
    2026-03-28
  • 高性能β-Ga2O3/ZrO2异质结紫外光电探测器件及其制备方法
    高性能β-Ga2O3/ZrO2异质结紫外光电探测器件及其制备方法_杭州千拓光电科技有限公司_202511916169.6
    本发明公开了高性能β‑Ga2O3/ZrO2异质结自供电紫外光电探测器件及其制备方法。自下而上依次包括蓝宝石衬底、β‑Ga2O3薄膜层、ZrO2薄膜层以及金属电极。所述β‑Ga2O3薄膜层与ZrO2薄膜层构成异质结，在界面处形成强内建电场和极...
    2026-03-28
  • 一种降低暗电流的低噪声单光子雪崩探测器及其制备方法
    一种降低暗电流的低噪声单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511578429.3
    本发明公开了一种降低暗电流的低噪声单光子雪崩探测器及其制备方法，该探测器包括从下至上依次设置的衬底、n+ InP buffer层、i : InGaAs吸收层、n+ InGaAsP渐变层、i : InP倍增层以及掩膜层；i : InP倍增层中...
    2026-03-28
  • 一种基于外延结构设计的SPAD探测器及其制备方法
    一种基于外延结构设计的SPAD探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511663755.4
    本发明公开了一种基于外延结构设计的SPAD探测器及其制备方法，该探测器包括InP衬底以及在InP衬底上从下至上生长的n型InP的buffer缓冲层、交替生长In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格过渡层、i‑In0....
    2026-03-28
  • 雪崩光电探测器和光电探测方法
    雪崩光电探测器和光电探测方法_清华大学_202511728755.8
    本申请涉及一种雪崩光电探测器和光电探测方法。雪崩光电探测器包括本征区，本征区包括沿第一方向设置的第一本征区和第二本征区，第一本征区在第二方向上的第一长度小于第二本征区在第二方向上的第二长度，第一方向和第二方向垂直；N型掺杂区，沿第二方向设置...
    2026-03-28
  • 一种凹面结单光子雪崩二极管
    一种凹面结单光子雪崩二极管_季华实验室_202511912002.2
    本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种凹面结单光子雪崩二极管。其包括P型外延层、刻蚀槽、以及依次形成的N型重掺杂层、P型埋层、P型轻掺杂埋层和P型表面掺杂层。其核心在于，通过掺杂浓度显著低于P型埋层的P型轻掺杂埋层与掺杂浓度高于该轻掺...
    2026-03-28
  • 一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管
    一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管_天津大学_202511985796.5
    本发明公开了一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管所述二极管包括：由N型轻掺杂的HVNW层和P型重掺杂的DPW层构成单光子雪崩二极管的中心PN结；所述中心PN结为倒置N/P+结，中心PN结由P型轻掺杂的HVPW包围；HVNW层的接触区为重掺...
    2026-03-28
  • 一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用
    一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用_苏州大学_202511537683.9
    本发明涉及一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用，包括依次层叠设置的衬底层、键合胶层、第一金属膜层、硅膜层、第二金属膜层；所述第二金属膜层设有周期性排布的纳米孔阵列，且纳米孔为贯穿第二金属膜层的通孔。本发明通过在第二金属膜层...
    2026-03-28
  • 硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用
    硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用_苏州大学_202511537684.3
    本发明涉及硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用，属于光电探测技术领域。本发明的光电探测器包括依次叠层设置的底部电极层、硅孔层以及顶部金属膜层；其中，底部电极层与硅孔层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅孔层形成肖特基接触；通过控制硅...
    2026-03-28
  • 一种基于金属-硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法
    一种基于金属-硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法_苏州大学_202511541215.9
    本发明涉及一种基于金属‑硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的包括探测器依次设置的第一金属膜层、硅膜层和第二金属膜层；第一金属膜层与硅膜层形成的结、第二金属膜层与硅膜层形成的结独立地为肖特基结或欧姆...
    2026-03-28
  • 基于α-In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法
    基于α-In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法_河南师范大学_202511826494.3
    本发明公开了基于α‑In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，双极化可重构光电逻辑器件，包括：衬底；栅介质层，设置在衬底之上；二维WSe2光敏层；二维α‑In2Se3铁电层，所述二维WSe...
    2026-03-28
  • 双面三维探测器及其制备方法和应用
    双面三维探测器及其制备方法和应用_中国科学院微电子研究所_202511482339.4
    本申请提出一种双面三维探测器及其制备方法和应用，双面三维探测器包括：基底层、第一电极、第二电极和欧姆连接层；第一电极设置在基底层中，且沿第一方向延伸，第一电极的深宽比为80~110：1；沿第一方向，第一电极的上表面和第二电极的下表面分别位于...
    2026-03-28
  • 一种手机摄像头模组的注塑封装方法
    一种手机摄像头模组的注塑封装方法_嘉兴乐威电子科技有限公司_202511776106.5
    本发明涉及封装技术领域。本发明公开了一种手机摄像头模组的注塑封装方法，其包括：S1：备好含线路板、图像传感器及镜头的摄像头模组组件，定位于承载面，通过承载面连通的负压气孔施负压，吸附固定组件；S2：闭合注塑模具，向型腔注电磁屏蔽复合塑料包覆...
    2026-03-28
  • 一种摄像头模组封装工艺
    一种摄像头模组封装工艺_盛泰光电科技股份有限公司_202511889567.3
    本发明涉及摄像头模组封装技术领域，公开了一种摄像头模组封装工艺，包括以下步骤：组装模组，将芯片安装在电路板上，再将使用金线将芯片与电路板电连接；组装模具，将模组放入第二型腔内，再将上模与下模相扣合；模具固定，使用螺栓固定上模和下模，使密封胶...
    2026-03-28
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