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  • 本申请涉及真空镀膜技术领域,具体公开了一种蒸发源外置的蒸发镀膜装置,包括:储料罐、送料组件、蒸发组件与镀膜腔室;送料组件包括:送料腔室、进料座、送料机与出料管;送料机设置于送料腔室内部;进料座设置于送料腔室顶部,且进料座的底部连通有延伸至送...
  • 本发明涉及铁电材料技术领域,尤其涉及一种铁电功能薄膜及其制备方法。本发明采用脉冲激光法在衬底上沉积靶材,沉积完成后进行后处理,得到铁电功能薄膜;所述靶材包括钛酸铅靶材和钛酸锶靶材中的一种或两种。本发明通过改变脉冲激光沉积过程中的工艺参数,实...
  • 本发明公开了一种双腔室脉冲激光沉积设备及其工作方法,涉及薄膜沉积技术领域,中转腔,与至少两个镀膜腔室分别连通;真空抽气系统,与所述中转腔连接,用于中转腔内部始终保持真空;可升降样品台,至少设有两个,分别位于所述中转腔的内部两端;双样品托传输...
  • 本发明涉及光学镀膜生产技术领域,特别是涉及一种防止基板变形翘曲的光学镀膜方法及滤光片,包括:将光学滤光片的目标光谱分解成第一光谱和第二光谱;按照第一光谱设计第一膜层,按照第二光谱设计第二膜层;在基板的正面沉积第一膜层,在基板的背面沉积第二膜...
  • 本发明提供了一种利用电弧离子镀制备厨刀的方法,可以得到具有极高初始锋利度和锋利保持度的厨刀。该方法包括:在设置有电弧生成装置的电弧离子镀腔室中放置具有刃部的厨刀刀体基材,刃部的两侧的表面分别为第一刃侧表面和第二刃侧表面;对第一刃侧表面进行离...
  • 本发明提供一种大尺寸复杂形状的碳化钨靶材及其制备方法,属于靶材技术领域。该碳化钨靶材的制备方法,先将由碳化钨板坯切割成的多片小块碳化钨板磨加工处理,以确保小块碳化钨板的粗糙面保持一定的粗糙度,然后对小块碳化钨板进行喷砂和超声清洗后,再在小块...
  • 本发明涉及一种适用于绝缘靶材溅射的挡板结构及溅射镀膜装置。所述适用于绝缘靶材溅射的挡板结构包括:竖板,沿第一方向延伸,所述竖板包括相对分布的内侧壁和外侧壁,所述外侧壁用于朝向溅射腔体的内壁;多片挡板,均凸出设置于所述竖板的所述内侧壁上,且多...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,涉及一种靶材表面防氧化的处理方法,所述处理方法包括如下步骤:(1)对靶材表面依次进行抛光处理、超声清洗以及干燥,得到预处理靶材;(2)对步骤(1)所得预处理靶材的表面喷涂防氧化液,烘烤后得到表面防氧化的靶材;步...
  • 本发明公开了一种镀膜方法和镀膜系统,镀膜方法用于镀膜系统,镀膜系统包括镀膜机和镀膜设备,所述镀膜方法包括:步骤S1、将工件放置于镀膜机上;步骤S2、在工件表面镀覆基底膜层,基底膜层包括多层;步骤S3、将工件由镀膜机转移至镀膜设备;步骤S4、...
  • 本发明涉及一种基于ITO微结构的低离型力DLP 3D打印离型膜的制备方法,该离型膜包括透明柔性基底层,其表面构建有周期性纳米柱状微结构,所述微结构由氧化铟锡(ITO)材料形成,具备优异的透光性和稳定性。所述柱状结构参数包括:柱高10‑200...
  • 本发明公开了一种薄型红外高反射镜及其制备方法,属于光学器件技术领域。该制备方法包括:采用射频磁控共溅射工艺,以Ti靶和Ni靶为源,在通入Ar气和少量NH3气的沉积气氛中,于加热的Ti合金基底上沉积Ni‑Ti合金膜;通过阶梯式提高Ni靶溅射功...
  • 本发明公开了一种镀膜室以及磁控溅射镀膜设备,其中镀膜室包括腔室;运输装置,设置于腔室的内部,运输装置用于沿X轴方向运输工件架;旋转装置,设置于腔室,旋转装置用于带动工件架绕Z轴线转动;阴极装置,设置于腔室的侧部,阴极装置在Y轴方向面向工件架...
  • 本发明涉及磁控溅射工艺的技术领域,公开了一种磁控溅射中磁场与靶材协同运动的控制方法,步骤为:基于仿真和理论模型,结合靶材的尺寸和材料,确定协同运动的磁场移动速度范围、靶材旋转速度范围、速度比例系数,筛选若干速度比例系数获得预设速度比例系数;...
  • 本发明公开了一种磁控溅射制备的CoCrFeNi中熵合金涂层及其结构调控方法,属于材料科学与表面工程技术领域。本发明通过气压、功率与偏压三参数的协同控制,首次实现了CoCrFeNi中熵涂层中FCC至BCC/B2的定向可控相转变,解决了非平衡沉...
  • 本申请涉及折射薄膜技术领域,主要涉及一种低吸收可变折射率薄膜及其制备方法。制备方法包括以下步骤:配置衬底预处理;将衬底置于多靶磁控溅射设备中,抽真空,通入氩气和氧气,预热衬底,启动等离子体源;启动钽靶与硅靶的溅射电源进行共溅射,沉积形成钽硅...
  • 本发明公开了一种基于双蒸发源原位反应除水的高真空镀膜设备,包括真空腔体、基材承载与传输单元、第一蒸发源、第二蒸发源;真空腔体内设有挡板,挡板中间设有通道,基材承载与传输单元位于挡板上方的真空腔体内,第一蒸发源和第二蒸发源位于挡板下方的真空腔...
  • 本发明提供一种实现铜表面平整化的连续化处理方法及处理装置,该方法在同一腔室内进行,包括:在真空氛围下对铜基材进行退火处理;在铜基材表面沉积镀层,在沉积过程中腔室的温度为950‑1050℃,该温度持续设定时间,铜基材表面高温熔融形成熔融层,镀...
  • 本发明提供一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备,方法包括如下步骤:提供衬底并安置在基座上,基座环绕设置有遮蔽环,遮蔽环具有延伸至衬底的第一表面上方的遮挡部;向衬底的第一表面引入第一气体,并向位于遮挡部下方的衬底引入第二气体,通过气相沉积工...
  • 本发明提供一种激光器芯片外延片的组分控制方法及相关设备,该方法包括:在外延生长前,确定晶圆表面沿径向的基准监控位置和多个待测监控位置;在外延生长过程中,对基准监控位置和各待测监控位置同步施加光学激发,分别采集基准峰值波长和被测峰值波长;计算...
  • 本发明提供一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法,属于医疗器材领域,在传统电外科器械的刀头和侧面涂覆设计的涂层材料。第一步,对接受涂层的金属电极的刀头表面进行清洁处理,改善涂层和金属电极刀头表面的界面结合;第二步,通过材料生长工艺制备...
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