Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法
    一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法_大连理工大学_202511735533.9
    本发明提供一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法，属于医疗器材领域，在传统电外科器械的刀头和侧面涂覆设计的涂层材料。第一步，对接受涂层的金属电极的刀头表面进行清洁处理，改善涂层和金属电极刀头表面的界面结合；第二步，通过材料生长工艺制备...
    2026-05-07
  • 一种石墨烯表面生长碳纳米管的复合材料的制备方法
    一种石墨烯表面生长碳纳米管的复合材料的制备方法_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202511915645.2
    本发明公开了一种石墨烯表面生长碳纳米管复合材料的制备方法，步骤如下：首先对石墨烯进行氧化改性并形成均匀浆料，在其中添加EDTA‑Fe和乙酰丙酮钼进行配位耦合，通过微波辅助加热还原技术形成纳米化分散的催化剂颗粒，而后在850℃‑1000℃的条...
    2026-05-07
  • 连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法
    连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法_太行国家实验室_202610208927.7
    本发明的连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法，属于界面沉积装置领域，其包括密闭放丝区，其内设置有输送组件，所述输送组件用于碳化硅纤维的应力释放和持续输送；第一热处理区、第一化学气相沉积区、第二化学气相沉积区、第二热处理区和密闭收丝区，其...
    2026-05-07
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131972.7
    本申请公开了一种化学气相沉积方法，包括：通过CVD工艺在工艺腔室的上极板和下极板表面形成保护层，该保护层包括硅氧化物，在形成保护层的过程中通入的反应气体包括含硅有机物和氧气；通入氧气，在上极板和下极板之间通入射频电压，消耗工艺腔室中残留的含...
    2026-05-07
  • 一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用
    一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用_兰州理工大学_202511697744.8
    本申请公开了一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用，涉及防除冰技术领域，包括耐高温基底以及形成于所述基底上的复合功能层；所述复合功能层为包含非晶碳、碳纳米管和石墨烯的三元复合结构；所述三元复合结构具有微纳米级粗糙表面；所述涂层兼具...
    2026-05-07
  • APCVD背面污迹工艺的优化方法
    APCVD背面污迹工艺的优化方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511730212.X
    本发明涉及一种APCVD背面污迹工艺的优化方法，所属半导体硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用去离子水、清洗剂，同时采用超声波清洗或IPA擦拭对硅片进行表面洁净。第二步：温度参数的精确控制。第三步：压力参数的优化调整。第四步：气...
    2026-05-07
  • 一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法
    一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511965734.8
    本申请提供一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法, 包括进气口、第一气相前驱体储罐、反应腔等；进气口将惰性气体依次通过第一进气活塞、第二进气活塞、第三进气活塞送入气室玻璃管路；第一气相前驱体储罐用于储存水蒸气，通过控制系统精确控制第一进气...
    2026-05-07
  • 工艺腔室及半导体器件的加工设备
    工艺腔室及半导体器件的加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511970025.9
    本发明提供了一种工艺腔室及一种半导体器件的加工设备。该工艺腔室包括进气组件、加热盘组件和抽气组件。该进气组件用于将气体传输到工艺腔室的第一侧，其中，进气组件的边缘设有至少一圈第一凹凸部。该加热盘组件位于进气组件的下方，并与进气组件的下表面保...
    2026-05-07
  • 半导体结构的成膜反应装置及其控制方法
    半导体结构的成膜反应装置及其控制方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202512029303.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体结构的成膜反应装置及其控制方法，该成膜反应装置包括：反应腔、加热器、电极、空心绝缘柱、喷淋器和等离子体发生电源；空心绝缘柱连接于加热器的内部；电极连接于空心绝缘柱的内部；喷淋器用于向第一表面喷淋前...
    2026-05-07
  • 一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置
    一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610218405.5
    本申请公开了一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置，属于薄膜沉积技术领域。该方法主要包括：在向已装载待沉积基底的沉积腔体内通入反应气体时，同时向沉积腔体内通入预定流量的氦气；通过射频电场激发氦气和反应气体产生混合等离子体，并在混合等离子体的沉...
    2026-05-07
  • 气相生长装置
    气相生长装置_株式会社东芝_202510132219.5
    提供一种气相生长装置，能够提高在晶片表面形成的膜的厚度的均匀性。实施方式的气相生长装置具有：基座，载置晶片；驱动部，使基座旋转；以及晶片引导件，为包围晶片的外缘的环状，安装于基座。晶片引导件的朝向上侧的面位于比从晶片的朝向上侧的面向上侧0....
    2026-05-07
  • 成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置
    成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置_株式会社东芝_202510132223.1
    提供能够抑制成膜特性的恶化的成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置。实施方式的成膜方法是使用气相生长装置在晶片的面上形成膜的成膜方法。实施方式的成膜方法包括在所述晶片的面上形成膜的成膜处理。所述气相生长装置具有基座和多个晶片引导部。所述基座...
    2026-05-07
  • 基座及气相生长装置
    基座及气相生长装置_株式会社东芝_202510132227.X
    提供能够提高在晶圆表面成膜的膜的厚度的均匀性的基座及气相生长装置。实施方式的基座是设置于气相生长装置并供晶圆载置的基座。具有从下侧对晶圆的朝向下侧的面进行支撑的支撑面。在支撑面设置有与晶圆所具有的晶圆卡合部卡合的基座卡合部。
    2026-05-07
  • 一种基片台系统及MPCVD设备
    一种基片台系统及MPCVD设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511938401.6
    本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。...
    2026-05-07
  • 一种基片台系统及MPCVD设备
    一种基片台系统及MPCVD设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511938410.5
    本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。...
    2026-05-07
  • 一种分区控温系统及其控温方法
    一种分区控温系统及其控温方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202511957565.3
    本发明公开了一种分区控温系统及其控温方法，涉及半导体技术领域。该分区控温系统包括静电吸盘、第一流道、第二流道、第一控温组件和第二控温组件。静电吸盘设置有第一区域和第二区域，第一流道和第二流道均安装于静电吸盘内，其中，第一流道设置于第一区域，...
    2026-05-07
  • 基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法
    基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511681610.7
    本发明公开了基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法，涉及托盘处理技术领域。该12寸APCVD托盘的三次降温系统，包括：移出反应腔后托盘依次经过第一冷却盒、冷却板、第二冷却盒并完成三个阶段的降温，固定旋转装置用于带着清洗后的托盘...
    2026-05-07
  • 一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法
    一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法_四川大学_202511805129.4
    本发明属于微波等离子体化学气相沉积设备技术领域，特别涉及一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法。其技术方案为：一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置，包括反应腔室，反应腔室内安装有水冷台和托台，托台位于水冷台上，反应腔室设...
    2026-05-07
  • 一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法
    一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法_宁波晶钻科技股份有限公司_202511939858.9
    本发明提供一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域。通过每个馈电端口对应的固态微波源单独调控微波幅值和相位，直接改变反应腔内局部电场分布，解决了传统工艺参数调控仅能实现整体调控的局限，实现等...
    2026-05-07
  • 一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置
    一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置_深创超导(深圳)科技有限公司_202512022866.3
    本发明公开了一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置，涉及超导材料制备设备技术领域。通过多区环形喷淋头与垂直喷淋组件的协同作用，通过动态调节系统，支持梯度温度调控，改善基板表面温度均匀性，降低热响应时间；同时适配掺杂工艺、动态调...
    2026-05-07
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证